メモリデバイスが開示されている。このメモリデバイスは、第１の金属層及び第１の金属層に結合された第１の金属酸化物層を具える。このメモリデバイスは、第１の金属酸化物層に結合された第２の金属酸化物層及び第２の金属酸化物層に結合された第２の金属層を有する。第１の金属酸化物層の形成が、第２の金属酸化物層の形成に関するギブスの自由エネルギよりも低いギブスの自由エネルギを有する。 （もっと読む）

これまで得られていたものよりも１または２桁低い圧力で高速の堆積を可能にする新規のスパッタ源が開示される。これにより、基板のイオンおよび電子損傷が低減されたより高密度の膜がもたらされる。 （もっと読む）