アトテック ドイチェランド ゲーエムベーハーにより出願された特許
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スルーシリコンビア(TSV)内にチップ−チップ間、チップ−ウェハー間及びウェハー−ウェハー間の銅インターコネクトを電着するプロセス
シリコン基板内のビア内に高純度の銅を電着し、スルーシリコンビア(TSV)を形成するプロセスである。本プロセスは、電解銅めっきシステム内の電解槽内にシリコン基板を浸漬するステップと、高純度の銅を電着してTSVを形成するのに十分な時間の間、電圧を印加するステップとを含み、電解槽が酸、銅イオンの発生源、第一鉄イオン及び/又は第二鉄イオンの発生源、及び析出した銅の物理−機械的特性を制御するための少なくとも1つの添加剤とを含み、銅金属の発生源からの銅イオンを溶解することによって電着されることになる付加的な銅イオンを提供するために、前記槽内でFe2+/Fe3+レドックス系が、確立される。 (もっと読む)
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