ＩＩＩ−ＮトランジスタとＩＩＩ−Ｎ整流デバイスをともに単一パッケージ内に封入して備える電子部品。ＩＩＩ−Ｎトランジスタのゲート電極は、単一パッケージの第１リードまたは単一パッケージの導電構造部と電気的に接続される。ＩＩＩ−Ｎトランジスタのドレイン電極は、単一パッケージの第２リードおよびＩＩＩ−Ｎ整流デバイスの第１電極と電気的に接続される。ＩＩＩ−Ｎ整流デバイスの第２電極は、単一パッケージの第３リードと電気的に接続される。 （もっと読む）

電子部品は、パッケージ内に収容された高電圧スイッチングトランジスタを備える。高電圧スイッチングトランジスタは、全てが高電圧スイッチングトランジスタの第１の側に設けられたソース電極と、ゲート電極と、ドレイン電極とを備える。ソース電極は、パッケージの導電性の構造部分に電気的に接続されている。上述のトランジスタを第２のトランジスタと共に用いて、アセンブリを形成することができ、ここで、一方のトランジスタのソースは、トランジスタを収容するパッケージの導電性の構造部分に電気的に接続することができる、第２のトランジスタのドレインは、第２のトランジスタを収容するパッケージの第２の導電性の構造部分に電気的に接続される。これに代えて、第２のトランジスタのソースを導電性の構造部分から電気的に分離し、第２のトランジスタのドレインを導電性の構造部分から電気的に分離してもよい。 （もっと読む）

ＩＩＩ−Ｎ材料層と、ＩＩＩ−Ｎ材料層の表面上に設けられた絶縁体層と、ＩＩＩ−Ｎ材料層から反対側の絶縁体層上記に設けられたエッチング停止層と、絶縁体層から反対側のエッチング停止層上に設けられた電極画定層とを備えるＩＩＩ−Ｎデバイスを開示する。電極画定層内には、凹部が形成される。凹部内には、電極が形成される。絶縁体は、特に電極とＩＩＩ−Ｎ材料層との間で、正確に制御された厚さを有することができる。 （もっと読む）

ゲート接続接地電界プレートを有するIII族窒化物ベースの高電子移動度トランジスタを説明する。ゲート接続接地電界プレートデバイスは、ミラー容量効果を最小化することができる。トランジスタは、高電圧空乏モードトランジスタとして形成し、低電圧エンハンスメントモードトランジスタと組み合わせて、単一の高電圧エンハンスメントモードトランジスタとして動作する部品を形成するために用いることができる。 （もっと読む）