【課題】本発明の課題は、少なくとも１のエレクトロニクス構成要素を少なくとも１の基材と、コンタクト領域（その際、このコンタクト領域の少なくとも１は卑金属を含む）を介して結合させることを可能にさせる、ペースト並びに方法を提供することであった。
【解決手段】前記課題は、（ａ）金属粒子、（ｂ）少なくとも２個のカルボン酸単位を分子中に有する少なくとも１の活性化剤、及び、（ｃ）分散媒体、を含むペースト、並びに、前記ペーストを準備する工程を含む、少なくとも１のエレクトロニクス構成要素と少なくとも１の基材を、少なくとも１が卑金属を含むコンタクト領域を介して結合させるための方法により解決された。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、公知のスパッタターゲットを改善して均一なスパッタ速度および均一な厚さの層を達成することである。
【解決手段】支持管と、該支持管上に配置されたインジウムベースのスパッタ材料とを有する管状スパッタターゲットであって、該スパッタ材料が、スパッタ材料のスパッタで粗くされる表面上のグレインの平均直径として測定される１ｍｍ未満の平均グレインサイズを有する微細構造を有し、該スパッタ材料が最大１質量％の銅またはガリウム部分を含むことを特徴とする、管状スパッタターゲットによって解決される。 （もっと読む）

【課題】比較的低い融点を示し、同時に、はんだ接続が形成される温度が最も高い使用可能温度に設定される、はんだ物質を提供する。
【解決手段】はんだ物質の合金が、SnAgCuBiSb系に加え、さらにＮｉを含んでなる。これによりSnAgCu系が共晶範囲近傍の合金ベースとして存在し、特に更なる合金成分Ｂｉ、ＳｂおよびＮｉを合金化することにより、SnAgCu共晶に関しての溶融点の低下および耐クリープ性の向上のバランスよい組み合わせが達成できる。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、スパッタリングターゲットの寿命の間、スパッタリング材料の不変的に均質な層の製造を確実にするスパッタリングターゲットを提供することである。
【解決手段】この課題は、インジウム、亜鉛およびガリウムの少なくとも１つの三元系混合酸化物を含有する、インジウム、亜鉛およびガリウムの酸化物の混合物を有するスパッタリングターゲットであって、インジウム、亜鉛およびガリウムの三元系混合酸化物の割合が、混合物の総質量に対して少なくとも５０質量パーセントであり、且つ、アモルファス相の割合が、混合物の総質量に対して少なくとも２０質量パーセントである、スパッタリングターゲットによって解決される。 （もっと読む）

本発明は、酸化物半導体と、Ｃｕ合金に基づく電極材料とを組み合わせて使用するＴＦＴ構造に関する。 （もっと読む）

本発明は、接続用支持体（１）と、該接続用支持体（１）の上面（１ｃ）に設けられたオプトエレクトロニクス半導体チップ（８）とを有するオプトエレクトロニクス素子に関する。前記接続用支持体（１）の上面（１ｃ）に電気絶縁膜（３）が設けられており、前記電気絶縁膜（３）に、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（８）をフレーム状に包囲する陥入部（５）が設けられており、前記オプトエレクトロニクス素子は、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（８）を包囲する注型部材（１０）を備えており、前記陥入部（５）の底面（３２）は少なくとも局所的に、前記電気絶縁膜（３）によって形成されており、前記注型部材（１０）の少なくとも一部の領域は、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（８）に対向する、前記陥入部（５）の外側エッジ（５１）にまで達し、前記陥入部（５）の少なくとも一部の領域には、前記注型部材（１０）が存在しない。
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白金族の少なくとも１種の金属をベースとする含ホウ素合金の鋳造品は、酸素の存在でかつ合金の融点を下回る温度での熱的エージングにより処理される。この鋳造品は、装飾品分野において通常の温度でのさらなる加工を可能にする。処理された鋳造品は、医用工学用物品にさらに加工されることもできる。 （もっと読む）