【課題】歪チャネルを有するMOS トランジスタを製造するための比較的簡単な方法を提供する。
【解決手段】歪チャネルを有するMOS トランジスタ(M) を製造する方法は、(a) 半導体基板(10)の表面に、ソース領域及びドレイン領域とMOS トランジスタを囲む絶縁領域(22)に部分的に延びる絶縁された犠牲ゲートとを備えたMOS トランジスタを形成するステップと、(b) 犠牲ゲートの上面と略同一の高さの上面を有する絶縁層を形成するステップと、(c) 犠牲ゲートを除去するステップと、(d) 露出した絶縁領域(22)の少なくとも上部分をエッチングしてトレンチを形成するステップと、(e) 半導体基板(10)を歪ませることが可能な材料(24)をトレンチに充填するステップと、(f) 犠牲ゲートの除去によって空いた空間にMOS トランジスタの絶縁ゲート(12)を形成するステップとを有する。 （もっと読む）