光源を備えるシーンを照明するための構造化光生成器であり、光導波路（３０４）が、長手方向軸線を有し、かつ万華鏡風にシーンに向かって光源の個別の画像の配列を投射するように配置される略反射側部を有する筒状部を備え、前記光生成器は、投射軸線および光導波路軸線が互いに対して傾斜しているように光を再配向する光偏向素子を含む。このように、概して細長い構造体である光導波路は、光投射の方向から遠ざかるように「折り畳まれる」ことができ、それにより、投射の方向の厚さが望ましく最小限にされる光生成器のパッケージによって利点が提供される。
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本発明は、薄型の軽量電気化学セルを組み込んだ装置、およびその製造方法に関し、それによって薄型の可撓性ポーチ型セル（１）は、中間電解質層によって互いに分離された少なくとも１対の重複電極層（１３）を含み、セル外部はともに封止された第一および第二積層シート（３、９）によって画定され、導電層はそれ自体が活性電極層として機能してもよいものの、各積層シート（３、９）は、セル（１）のそれぞれの外面を形成する最外層（３ａ、９ａ）と、電流コレクタ層（３ｂ、９ｂ）として機能し、電極層（５、１１）を支持する同延最内導電層（３ｂ、９ｂ）とを有する。
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特定の距離または奥行き状況での使用に合わせた構造化光のパターンを投影することが可能な測距機器。場面内の検出された光点は、たとえばスマートフォンまたはＰＤＡとのインターフェースとしての、単純で低コストのジェスチャ認識システムを提供するために、所定のパターンテンプレートと比較されることが可能である。構造化光発生器は、タイミング制御にしたがって自動的に、または照射された場面からの検知情報に応じて適応的に、前記第一および第二構造化パターンの間を前後に切り替わるようになっていてもよい。あるいは、構造化光発生器は、第一および第二パターンを同時に投影するようになっていてもよい。個別の光発生器が異なるパターン向けに採用されてもよく、あるいは部品が共有されてもよい。
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量子鍵配送（ｑｕａｎｔｕｍ ｋｅｙ ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ、ＱＫＤ）で使用するための方法および装置が説明される。量子ＱＫＤ信号がソース（１０１）で生成され、光ファイバネットワークを通りエンドポイント（１０５）に送信され、鍵が古典的ＱＫＤチャネル上での通信で合意される。古典的ＱＫＤチャネルは、鍵が配送されソースとエンドポイントの間の中間のノード（１０４）で処理されることができるネットワークに関連する追加情報を含む。
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前方向にビームを形成するビーム形成装置は、光源から光を受けてこれを後方に反射するように配置された第一反射器、および前記第一反射器から光を受けてこれを前記第一反射器の開孔を通じて前方に反射するように配置された第二反射器を含む。最後部の反射器は双曲面の形状であり、前方反射器は有利なことに楕円形である。この配置は、一定の予測可能な方法で実現される、変動する制御可能な集光の、複数の異なるビームパターンを提供する。
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半導体デバイスが以下の要素を備えている：量子井戸構造を備える活性層（１）と、電荷キャリア閉じ込め層を活性層に形成するように適合された活性層の下のバッファ層（４）。バッファ層（４）は活性層（１）の歪み全体を増大させないように適合される。活性層（１）はすでに、活性層とバッファ層（４）間の格子不整合の結果として歪みをつけられている。バッファ層（４）の歪みは、歪みコントロールバッファ層（４１）を使用して、バッファ層とバッファ層が成長される基板（３）の材料および組成を適切に選択することによってコントロール可能である。
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半導体デバイスが、第１の閉じ込め層（３２）上に活性層（３１）を備える。活性層（３１）は厚さ２０ｎｍ未満のα−Ｓｎ層を備える。第１の閉じ込め層（３２）は、α−Ｓｎより広いバンドギャップの材料から形成され、α−Ｓｎとこの材料間のバンドギャップオフセットは活性層への電荷キャリアの閉じ込めを可能にし、活性層は量子井戸として作用する。類似の第２の閉じ込め層（３４）が活性層（３１）上に形成されてもよい。半導体デバイスはｐ−ＦＥＴであってもよい。このような半導体デバイスの製造方法もまた説明されている。
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