誘導法により多結晶シリコンインゴットを製造する方法が、インダクタで囲まれる冷却るつぼの溶融チャンバ内にシリコン原料を装入すること、融液表面を形成すること、及び、溶融することを含み、なお、インダクタの上面よりも下であるが、その高さの１／３よりも下ではない融液表面位置をもたらすように、シリコン原料の質量装入量及びインゴットを引き抜く速度を設定し、融液表面を同じ高さに保持する。この場合、インダクタの供給出力パラメータを所定範囲内に維持することによって、融液表面位置が同じ高さに保持される。本方法は、太陽電池の製造に好適な多結晶シリコンインゴットを鋳造することをもたらし、注目すべきより高い効率及びより低いエネルギー原単位を有する。 （もっと読む）

誘導法により多結晶シリコンインゴットを製造するための装置が、シリコンの加熱を始動させるための手段と、インダクターに囲まれる冷却るつぼとを備える筐体を備える。るつぼは、可動式の底部と、鉛直方向に延在するスロットで離間されるセクションで構成される４つの壁と、可動式の底部を移動させるための手段と、冷却るつぼの下方に配置される制御冷却コンパートメントとを有する。るつぼの内面は、矩形断面又は正方形断面の溶融チャンバの範囲を規定する。冷却るつぼの壁は、少なくともインダクターから冷却るつぼの最下部に向かって外側に広がるため、溶融チャンバが拡張され、溶融チャンバを拡張する角度βは、式
【数1】


（式中、ｄは、インデューサーの高さにおける溶融チャンバの断面の矩形の短辺又は正方形の一辺の寸法であり、ｂは、インデューサーの高さにおける溶融チャンバの断面の隣接する辺の寸法であり、ｋは実験係数であり、１．５〜２である）によって規定される。本装置は、シリコン融液の流出を減少させ、またこのようにして製造される多結晶シリコンの品質を高めることを可能にする。
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