説明

ソラア インコーポレーテッドにより出願された特許

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【課題】 LEDランプ用アクセサリと、アクセサリを照明源(例えば、LEDランプ)へ簡単に、かつ、安価に取り付けることを目的にする。
【解決手段】 LEDランプは、レンズを有し、該レンズは、LEDランプに機械的に固定される。レンズは、レンズに機械的に取り付けられる第1の固定具に適合するように設計される。アクセサリは、第2の固定具を有するように設計される。第2の固定具は、第1の固定具と噛合することで、第1の固定具及び第2の固定具により、第1のアクセサリとレンズとの間に保持力を発生させる。いくつかの実施形態において、保持力は機械的力であり、機械的固定具の機械的噛合によって達成される。他の実施形態において、保持力は磁力であり、磁力を有するように構成された磁石固定具によって達成される。 (もっと読む)


【課題】m方向に向かうミスカットが少なくとも0.35度であるc面表面を用いて、Ga面c面(Al、Ga、In)N基板上に(Al、Ga、In)N薄膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】前記平滑な(Al、Ga、In)N薄膜624上に、発光素子を形成する。前記平滑な表面上に作製された素子は、向上した性能を示す。 (もっと読む)


【課題】高効率の照明光源を提供する。
【解決手段】本発明に係る照明光源は、光を出力するためのLEDアセンブリと、前記LEDアセンブリに接続されたMR16型ヒートシンクであって、第1の直径を有し且つ比較的平坦な内側コア領域と第2の直径を有した外側コア領域とを含んだMR16型ヒートシンクとを具備している。前記LEDアセンブリは前記内側コア領域上に配置され、前記第1の直径は前記第2の直径の1/2未満である。 (もっと読む)


【課題】無極性ガリウム含有基板または半極性ガリウム含有基板(例えば、GaN、AlN、InN、InGaN、A1GaN、およびAlInGaN)を用いた、高出力で電磁放射を出射するための方法および素子を提供する。
【解決手段】レーザー素子は、緑色レーザー光または青色レーザー光を出射する複数のレーザーエミッタを含む。これらのレーザーエミッタからの放射を光学的に組み合わせるように、少なくとも1つの光学部材が基板に統合されて配置される。 (もっと読む)


光学装置は、基板上に形成されたLEDおよび波長変換材料を含む。前記波長変換材料は、前記LEDの近隣においてスタックするかまたはピクセル化することができる。波長選択表面は、前記LEDデバイスの直接放射を遮断し、前記波長変換材料との相互作用に起因する、選択された波長の発光を透過させる。 (もっと読む)


基板スケール処理を用いたLEDデバイスの製造方法は、表面領域を有する基板部材を提供する工程を含む。前記表面領域上に、反射層が配置される。前記反射面の反射率は少なくとも85%であり、導電性領域のアレイが前記反射面上に空間的に配置される。前記アレイ領域それぞれに、LEDデバイスが固定される。

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1つ以上の選択された波長の発光を行うために構成された活性領域を有する低電圧レーザ素子。 (もっと読む)


390−415nmの波長で発光する発光ダイオードデバイスは、活性領域を有したバルクガリウム及び窒素含有基板を有している。このデバイスは約175Amps/cmを超える電流密度を有している。また、このデバイスは、ロールオフが約5%未満の絶対効率である外部量子効率を有している。 (もっと読む)


ガリウム及び窒素含有材料の高速成長のための方法が記載される。本方法は、バルクガリウム及び窒素含有基板を提供することを含んでいる。第1の厚さの第1のエピタキシャル材料が、好ましくは擬似形態的プロセスによって、基板上に形成される。本方法は、第1の層上に第2のエピタキシャル層をも形成し、これによってスタック構造がもたらされる。スタック構造は、約2ミクロン未満の全体厚さで構成される。 (もっと読む)


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