【課題】本発明は窒化物半導体発光素子に関する。
【解決手段】本発明の一実施形態による窒化物半導体発光素子は、ｎ型及びｐ型窒化物半導体層と、上記ｎ型及びｐ型窒化物半導体層の間に形成された活性層と、上記ｎ型窒化物半導体層と上記活性層との間に形成された電子注入層と、を含み、上記電子注入層は、バンドギャップエネルギーが互いに異なる３つ以上の層が積層された多層構造からなり、上記多層構造は、２回以上繰り返され、上記多層構造を構成する層のうち少なくとも１つの層は、上記活性層に近いものほど、バンドギャップエネルギーが小さく、上記多層構造を構成する層のうち最も小さいバンドギャップエネルギーを有する層は、活性層に近いものほど、厚さが厚い構成を含む。 （もっと読む）

【課題】発光素子検査装置およびその検査方法が開示される。
【解決手段】本発明の実施形態に係る発光素子検査装置は光放出面上に蛍光体物質を含む少なくとも１つ以上の発光素子と、可視光線を発光素子に照射する第１照明ユニットと、紫外線を発光素子に照射する第２照明ユニットと、発光素子から反射された可視光線を撮像して少なくとも１つ以上の第１映像データを生成し、発光素子から反射された紫外線を撮像して少なくとも１つ以上の第２映像データを生成する映像撮像ユニットと、第１映像データおよび第２映像データを用いて発光素子の外観および発光特性に対する不良の有無を判断する判断ユニットとを備える。 （もっと読む）

【課題】 発光素子の検査装置及び方法を提供する。
【解決手段】 光を放出する少なくとも一つの発光セルを備える発光素子の特性を検査する検査装置であり、発光素子が搭載されるテーブルと、発光素子に電流を供給するプローブとが設けられたプロービングユニットと、発光素子の映像を獲得する映像獲得ユニットと、獲得された映像の輝度情報から少なくとも一つの発光セルの発光如何を検出して、発光素子のオープン／ショート不良を判定する判定ユニットと、を備える発光素子の検査装置。 （もっと読む）

【課題】ウエハベース工程の履歴情報を追跡し管理することができる半導体発光ダイオードチップ、その製造方法及びこれを利用した品質管理方法を提供する。
【解決手段】半導体発光ダイオードチップは、基板１１と、当該基板の一領域に形成され、第１及び第２の化合物半導体層１２ａ，１２ｂと当該第１及び第２の化合物半導体層間に形成された活性層１２ｃとを有する発光積層体と、当該第１及び第２の化合物半導体層にそれぞれ電気的に接続された第１及び第２の電極とを備える発光ダイオードＬＤと、上記基板の他の領域に上記発光ダイオードから電気的に絶縁されるように形成され、それぞれのウエハベース工程の履歴情報に対応する固有の電気的特性値を有する回路部と、当該電気的特性値を測定できるように当該回路部に連結された複数の電極パッド１７とを備える少なくとも一つのヒューズシグネチャ回路Ｓ４，Ｓ５とを含む。 （もっと読む）

【課題】発光素子パッケージおよびその製造方法が開示される。
【解決手段】本発明の実施形態に係る発光素子パッケージは、少なくとも１つの素子実装領域および複数の電極配置領域を含み、素子実装領域の上部面および下部面上に露出される少なくとも１つの第１放熱ビアを含み、複数の電極配置領域の上部面および下部面上に露出される複数の第２放熱ビアを含む回路基板と、素子実装領域の上部面に接合して第１放熱ビアと接続される少なくとも１つの第１放熱パッドと、第１放熱パッド上に実装された少なくとも１つの発光素子と、電極配置領域の上部面に接合して第２放熱ビアと接続される複数の第１電極パッドと、発光素子と第１電極パッドとを電気的に接続する複数のワイヤーとを備える。 （もっと読む）