光電子素子は、第１の電極と、第１の電極上に配置される量子ドット層であって、複数の量子ドットを含む量子ドット層と、量子ドット層上に直接配置されるフラーレン層であって、量子ドット層とフラーレン層とが電子的ヘテロ接合を形成する、フラーレン層と、フラーレン層上に配置される第２の電極とを含む。素子は、電子ブロッキング層を含んでもよい。量子ドット層は、向上した電荷キャリア移動度を呈するように、化学処置によって修飾されてもよい。
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光検出器は、１つ以上のフォトダイオードと、信号処理回路とを含む。各フォトダイオードは、透明な第１の電極、第２の電極、および第１の電極と第２の電極との間に挿入されるヘテロ接合を含む。各ヘテロ接合は、量子ドット層、および量子ドット層上に直接配置されるフラーレン層を含む。信号処理回路は、各第２の電極と信号通信状態にある。光検出器は、赤外線、可視、および／または紫外線範囲内の波長に応答してもよい。量子ドット層は、量子ドット層の電荷キャリア移動度を向上させる化学物質によって処置されてもよい。
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