イーメモリー テクノロジー インコーポレイテッドにより出願された特許
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電圧スイッチ回路
【課題】低濃度ドープのPMOSトランジスタを用いて、高電圧ストレスに耐える電圧スイッチ回路を提供する。
【解決手段】該電圧スイッチ回路は、出力回路210、第1の電圧降下制御回路220、第2の電圧降下制御回路230、第3の電圧降下制御回路240、および入力回路250を備えている。また、高電圧源HVの電圧振幅は、基準電圧源Vrefの電圧振幅よりも高く、基準電圧源Vrefの電圧振幅は、論理電圧源VDDの電圧振幅よりも高い。
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