説明

コミツサリア タ レネルジー アトミークにより出願された特許

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【課題】本発明は、機能性液体の拡散又は/及び蒸発を防止しながら、機能性液体を含む保持マトリクスを製造することを目的とする。
【解決手段】本発明は、(a)1つ又はそれ以上の壁(110)によって互いに分離され、少なくとも1つの所定の多孔性材料(125)で充填される、支持体(100)上の1つ又はそれ以上のマイクロキャビティを形成する段階と、(b)少なくとも1つの所定の機能性液体(130)を用いて、前記多孔性材料で充填された少なくとも1つのキャビティを充填する段階と、(c)前記キャビティが密閉されることができる密閉層を形成する段階と、を備える、少なくとも1つの液体で充填された1つ又はそれ以上のキャビティが備えられた装置を製造する方法である。 (もっと読む)


【課題】少なくとも1つの光学要素を電磁放射線検出器に可能な限り近接することによって位置決めおよび受動的整列するための新規なシステムおよび方法を提案する。
【解決手段】本発明は、少なくとも1つの光学要素を電磁放射線検出器に可能な限り近接して位置決めおよび受動的整列を行うためのシステムおよび方法に関する。このシステムは光学要素(35)を検出器(21)にZ軸に関して可能な限り近接して位置決めするための支持楔(37)と、支持楔および/または保持ボール(36)を利用してXおよびY軸について受動的整列を行うための手段と、を具備し、前記X,YおよびZ軸は互いに直交した3つの軸である。 (もっと読む)


【課題】基板(14)に転写されたブロック(10,12)を薄化する方法を提供すること。
【解決手段】本発明によれば、本方法は、
・少なくとも、基板(14)上に、かつ、転写されたブロック(10,12)に横方向に、薄化のためのブロック(10,12)の材料より抵抗が大きく、かつ、転写されたブロック(10,12)より厚さが小さい材料の停止層(16)を堆積させる段階、
・転写されたブロック(10,12)の薄化を始動する段階を含む。 (もっと読む)


【課題】改良された作動性を有するメンブレン変形の可能な光デバイスを提供すること。
【解決手段】少なくとも1つの変形可能なメンブレンと、支持体と、メンブレンに負荷をかけて、それを変形させる作動手段とを備え、メンブレンには、支持体に固定するための区域と固定区域によって囲まれた逆向きに変形するのに適した実質的に中心の区域とが備えられ、支持体およびメンブレンは、メンブレンの面の1つと接触する第1の流体と呼ばれる流体の固定区域の少なくとも内部に配置され、一定の容積を閉じ込めるのに寄与している、光デバイスに関する。作動手段は、メンブレンをある方向に移動させ、第1の流体を中心区域の方へ移動させるために中心区域と固定区域との間にある周辺区域内でメンブレンに負荷をかける主要作動手段と、メンブレンを逆方向に移動させるために中心区域内でメンブレンに負荷をかけるメンブレンに少なくとも固定された補助作動手段とを含む。 (もっと読む)


【課題】本発明の課題は、部品がウエハ上に移動されることができる新規な方法を見出すことである。
【解決手段】本発明は、少なくとも2つの回路のステージの積層体を形成する方法であって、各々のステージが、基板と、この基板内または基板上に形成された少なくとも1つの部品(10、20)及び金属接続とを含み、前記ステージの組立体が前のステージ上に移動される方法であって、(a)弱体化領域(30)を形成するように、前記部品(10、20)の少なくとも一部を介した、移動される前記ステージの基板(2、25)内におけるイオン注入(29)と、(b)前記部品の金属接続の形成と、(c)前記前のステージへの、この基板の部分の移動及び組立と、(d)前記弱体化領域(30)に沿った破砕による、前記基板の移動される部分を薄くする段階と、を含む方法に関連する。 (もっと読む)


【課題】従来技術の素子よりも少ない構成部品しか必要とせずおよび/または複雑でない構造を備え、集積回路がオンまたはオフになったときにそれを保護することを可能にし、保護される集積回路に対する非常に低い寄生容量を有する、かさ高にならない保護素子を提供すること。
【解決手段】少なくとも1つの集積回路を静電放電から保護するための素子(100)は、少なくとも、イオン化可能金属部分(106)と、イオン化可能金属部分に接して配置され、前記イオン化可能金属部分の金属と同様の性質の金属イオンを有する固体電解質(104)と、この固体電解質に電気的に接続された電極(102)とを備えており、固体電解質中の金属イオン濃度が、固体電解質中の金属イオン飽和濃度より小さい。 (もっと読む)


【課題】基板上に積層され自己整合された部品の製造方法を提供する。
【解決手段】基板の一表面に層の積層体を形成する段階であって、積層体が第1犠牲層、第2犠牲層及び表面層を備える段階と、第1犠牲層の一領域をエッチングする段階と、第1犠牲層のエッチングされた領域内及び表面層上に樹脂を堆積する段階と、犠牲層上の樹脂の少なくとも1つの領域に位置合わせされる樹脂の少なくとも1つの領域を第1犠牲層のエッチングされた領域に残すために樹脂をリソグラフィする段階と、第1犠牲層のエッチングされた領域内及び犠牲層上の除去された樹脂を残っている樹脂を制限するための材料で置換する段階と、第1犠牲層のエッチングされた領域内及び表面層上の残っている樹脂の領域を除去して部品の製造に対する専用の領域を提供する段階と、専用の領域内に部品の要素を形成する段階と、第2犠牲層の一領域を選択的にエッチングする段階と、を備える。 (もっと読む)


【課題】本発明は、液状またはゲル状の有機薄膜表面にトポロジー形状(複数の位相同形な形状)を形成させる方法に関する。
【解決手段】この方法は、薄膜を構成する物質と非混和性の液状物質を、局所的に噴霧する工程を含む。 (もっと読む)


【課題】光記憶媒体(10)で使用される材料を特性判定するための試験装置を提供すること。
【解決手段】この試験装置は、入射レーザビーム(21)を光記憶媒体(10)に導くように意図されたレーザ源(20)を備え、入射レーザビーム(21)は、光記憶媒体(10)に到達する前にかつ反射レーザビーム(25)としてそこで反射する前に、焦点調節用対物レンズ(22)を通過する。試験装置は、レーザ源(20)と焦点調節用対物レンズ(22)の間に位置し、入射レーザビーム(21)の開口数を焦点調節用対物レンズ(22)の開口数未満に縮小するための絞り(23)と、焦点調節用対物レンズ(22)を横切った後であるが絞り(23)に到達する前の、反射レーザビーム(25)の横断面を捕捉するための捕捉装置(26)とをさらに備える。 (もっと読む)


【課題】本発明は、第1導電型の結晶質半導体基板(210)と第1非晶質層(220)との間にヘテロ接合を含む光電池に関するものであり、非晶質層が、同じ半導体材料であって、第1導電型と反対である第2導電型を有し、1.1019から1.1022atoms/cmの間のドーパント濃度を有する。
【解決手段】光電池が、第1層と同じ導電型であって、かつ1.1016から1.1018atoms/cmの間のドーパント濃度を有する第2非晶質層(225)をさらに備え、前記第2層が、基板の第1面上に直接的に堆積され、前記第1層によってコーティングされている。最後に、第1面と反対である基板の第2面上において、この電池が、基板と同じ材料であり、かつ1.1019から1.1022atoms/cmの間のドーパント濃度を有する同じ導電型の第3非晶質層(260)を含む。 (もっと読む)


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