説明

インテル・コーポレーションにより出願された特許

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プラットフォーム上のローカルな通信、プラットフォーム間の通信、または時間を隔てた同一プログラム間の通信かどうかに関らず、ソースからデスティネーションに至るまで、機密情報を扱う通信(および通信をサポートする機能)の秘匿性および/または整合性を保護するシステムおよび方法が提供される。
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クリーン状態のデータをマルチプル・プロセッサのキャッシュへプッシュするための技術を提供する。 (もっと読む)


圧電薄膜共振器は基板上で形成される。圧電薄膜共振器は、基板に近接した第1表面と基板から離間した第2表面を有する圧電材料の層を備える。圧電材料の第1表面に残された第1導電層は第1部分を備え、第1部分が備える表面の属する平面は、第2部分に関する表面が属する平面とは異なる。デバイスを形成する方法は、第1電極の第1部分と圧電層とを基板上へ堆積するステップを備える。本方法は、圧電層の下部の、および第1電極の一部分の下部の基板の一部分を除去するステップと、圧電薄膜層の上に、および第1電極の第1部分の上に第1電極の第2部分を堆積するステップを更に備える。
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【解決手段】
本発明の光増幅器は、デバイス基板と、デバイス基板に埋め込まれた第一の導波路と、複数のレーザとを備える。複数のレーザは、第一の導波路を実質的に横切る複数の第一のビーム光を供給するために、設置される。
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方法が、走査ビーム画像において観測することができる物体のサンプリングされた表現を複数のフィルタでフィルタリングすることであって、それによって、複数の中間画像を生成する、フィルタリングすることを含む。中間画像は合成されて、走査ビームにおいて観測されるものを予測するシミュレートされた画像が生成される。
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圧電薄膜共振器は、主表面を有する基板上で形成される。圧電薄膜共振器は細長いスタックを有する。細長いスタックは圧電材料の層を有し、圧電材料の層は、圧電材料の層の第1表面に堆積した第1導電層と、圧電材料の層の第2表面に堆積した第2導電層との間に位置する。細長いスタックは、基板の主表面に関して略垂直に位置する。第1および第2導電層は、圧電材料の層に略同時に単一の加工ステップによって配置される。基板の主表面は水平面内に存在する。また、圧電薄膜共振器のスタックは略垂直の表面である。形成された共振器構造は、共振器またはフィルタのいずれかとして使用されて良い。
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【課題】ゲストソフトウェアの現在の特権レベルが1つの特権レベル終了基準に合うと、1つのシステムの制御を1つの仮想マシンモニタに負担させる1つのシステム及び方法を提供する。
【解決手段】プロセッサは、現在の特権レベルが基準に合うことを検出し、次に、制御をゲストソフトウェアから仮想マシンモニタへ移す。仮想マシンモニタは、複数のある特権レベル変化または値に対する制御の負担を拒否できる。仮想マシンモニタへの移行はVMにおいて幾つかの命令を実行する前または、後に生じうる。 (もっと読む)


【課題】仮想マシン環境におけるネストフォールトの支持を提供する。
【解決手段】一実施形態によると、仮想マシン(VM)の動作中に発生した第1フォールトに関連する情報を第1フィールドに格納する。第1フォールトをVMに引渡している間に第2フォールトが検出され、第2フォールトが仮想マシンモニタ(VMM)への制御の移行に対応しているかどうか判定する。対応している場合は、第2フォールトに関連する情報を第2フィールドに格納し、VMMに制御を移行する。 (もっと読む)


経年変化によるレーザの1つのビームの波長ドリフトをモニタする複数の波長ロッカーが、その様々な複数の光学構成要素間の複数の製造位置合わせ不良を調整するために同調可能である。同調は、1つのフレクシャを使用して1つのコリメーティング・レンズの位置を調整することによって達成される。レンズ位置の調整は、固定された1つのフィルタと1つの検出器に対して、1つのモニタされたビームの入射角を変更し、同一の結果を実現するためにフィルタと検出器を回転させる困難な製造作業を回避する。
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1つの光学モジュール・パッケージが、一実施形態では、金属から作製可能な1つの本体を備え得る。複数のセラミック・インサートが金属製本体の中に挿入可能である。これらのセラミック・インサートは、電気接続を容易にするために1対の複数の棚を有し得る。一実施形態において、それぞれの棚は、1つの上向き接点表面および1つの下向き接点表面を備え得る。1つの結果として、幾つかの実施形態では、複数の望ましい強度特徴を有する1つのよりコンパクトな設計が構成可能である。
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