説明

日鉱金属株式会社により出願された特許

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【課題】高屈曲性を安定して発揮できる二層フレキシブル銅貼積層板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基体樹脂と銅箔とを積層してなる二層フレキシブル銅貼積層板の製造方法であって、前記銅箔を、200℃に達するまでに4秒以上かけて加熱し、さらに200℃で30分保持した後に室温まで冷却したとき、室温で測定した200面のX線回折強度比I/I0が40以上であり、前記銅箔と前記基体樹脂とを、300℃以上でかつ最高温度に達するまで5秒以上かけて昇温して積層加熱する。 (もっと読む)


【課題】Snめっき被膜の摺れや脱落を防止することにより、ロールのメンテナンス性に優れ、生産性を向上させることができるSnめっき被膜及びそれを有する複合材料を提供する。
【解決手段】樹脂層又はフィルム4を積層した銅箔又は銅合金箔1の他の面に形成され、電着粒の大きさが1.0μm以上であるSnめっき被膜2である。 (もっと読む)


【課題】ばね性とはんだ濡れ性とを高いレベルで同時に実現したCu−Ni−Si合金を提供する。
【解決手段】本発明のCu−Ni−Si合金は、Niを1.0〜4.5質量%、Siを0.3〜1.5質量%、Mgを0.05〜0.3質量%を含有し、更にZn,Sn,Fe,Ti,Zr,Cr,Al,P,Mn,Ag,又はBeのうち1種類以上を総量で0.05〜2.0質量%含有し、残部がCu及び不可避的不純物からなる銅基合金であって、0.2%耐力が500MPa以上、0.2%耐力とばね限界値との差が100MPa以下であり、酸化膜厚が10nm以下とする。 (もっと読む)


【課題】シート材料を加熱接合する多層積層体の製造方法において、シート材料の積層時に補助部材を使用し、被積層材料のスリッピングによる横ずれを防止する方法を提供する。大量の金属製枠又は金属製容器を不要とし、さらに積層時の材料組み作業の簡素化によるコスト削減と安全性の向上を図る。
【解決手段】互いに相似形状のシート状材料を複数枚重ね合わせ、これを加熱及び加圧する多層積層体の製造方法において、前記シート状材料を平板状の下金型に重ね合わせて載置すると共に、当該載置したシート状材料の外辺の外側に、重ね合わせたシート材料よりも厚い耐熱性の弾性ブロックを配置し、さらにこれらの上に平板状の上金型を載せ、上下の平板状金型間で、前記弾性ブロックと重ね合わせたシート材料を加熱しながら加圧し、前記弾性ブロックの膨出により、シート材料の横ずれを防止しながら、シート材料を加熱接合する多層積層体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】プリント配線板に使用される片面若しくは2層以上の多層積層板又は極薄のコアレス基板の製造の際に用いられるキャリヤー付銅箔に関し、樹脂を支持体とし、その片面または表裏両面に、易剥離性銅箔を配置することを特徴とし、プリント基板製造工程の簡素化及び歩留りアップによるコスト削減を実現することを課題とする。
【解決手段】合成樹脂製の板状キャリヤーと、該キャリヤーの少なくとも一方の面に、機械的に剥離可能に密着した金属箔からなるキャリヤー付金属箔。 (もっと読む)


【課題】回路形成工程において、最外層の銅箔がエッチング等により除去され、銅箔の支えを失った樹脂が収縮することにより応力を開放しようとするのを抑制する、すなわち基板内部応力を緩和することで、回路成形後の反りを軽減し、製品歩留まりを向上できる多層積層体を提供する。
【解決手段】プリプレグと金属箔のシート状材料を重ね合わせ、これを加熱及び加圧して積層体を製造する方法において、プリプレグの厚みが0.8mm以下であり、プリプレグの片面又は両面に前記金属箔を積層すると共に、当該金属箔の線熱膨張率よりも1.2倍以上大きく、厚みが10倍以上であるプレス板を、前記プリプレグに重ね合わせ、加熱及び加圧することを特徴とする多層積層体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】コスト高となる溶湯金属の急冷によるバルク金属ガラスに替えて、例えば粉末冶金法により、作製される超微細加工用コーティング膜が、パーティクル等の欠陥及び組成の不均一性の問題を生じない、結晶組織が極微細で均一な組織を有する高品質かつ実用的な大きさのターゲット材を提供する。
【解決手段】平均結晶子サイズが1nm〜5nmの組織を備え、Coを主成分として原子比率で50at%以上含有する3元系以上の合金からなり、主成分に対する他成分が12%以上の原子半径差を有すると共に負の混合熱を満たす金属ガラスの要件を備え、当該3元系以上の合金はTa及びBを含有し、かつ96.4%以上の相対密度を有し、ガスアトマイズ粉を焼結することによって得られた非晶質体であることを特徴とするスパッタリングターゲット。 (もっと読む)


【課題】強度、曲げ加工性のバランスに優れた電子部品用Cu−Ni−Si系合金。
【解決手段】Ni1.0〜4.0質量%、Niに対し1/6〜1/4濃度のSiを含有するCu−Ni−Si系基合金であって、全結晶粒界中の双晶境界(Σ3境界)の頻度が15〜60%である基合金。上記基合金は、更にMg0.2%以下、Sn0.2〜1%、Zn0.2〜1%、Co1〜1.5%、Cr0.05〜0.2%含有してもよい。 (もっと読む)


【課題】結晶組織が粗くコスト高となる溶湯金属の急冷によるバルク金属ガラスに替えて、焼結法による高密度の極微細で均一な組織を有するターゲットを提供する。
【解決手段】非晶質又は平均結晶子サイズが50nm以下の組織を備えている焼結体パッタリングターゲット、特に3元系以上の合金からなり、Zr、Pd、Cu、Co、Fe、Ti、Mg、Sr、Y、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Te、希土類金属から選択した少なくとも1元素を主成分とする焼結体パッタリングターゲットに関し、該ターゲットを、アトマイズ粉を焼結することによって製造する。 (もっと読む)


【課題】スパッタリング時の窒化反応に依存せずに、ターゲットそのものが、バリア膜と同一成分となるように、かつ半導体デバイスの反応を効果的に防止でき、さらに、スパッタリング時にパーティクルの発生のない、例えばバリア膜用として、最適なスパッタリングターゲット、同ターゲットの製造方法及び同バリア膜を備えた半導体デバイスを提供する。
【解決手段】TaxSiyBz(65≦x≦75、15≦y≦25、5≦z≦15)の組成を有するTa、Ta珪化物、Taホウ化物からなる焼結体スパッタリングターゲット、及びTa粉、Ta珪化物粉及びTaホウ化物粉を、TaxSiyBz(65≦x≦75、15≦y≦25、5≦z≦15)の配合比となるように混合し、これを10〜50MPaの加圧力、1700〜2000°Cでホットプレスにより焼結することを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。 (もっと読む)


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