【課題】アルミニウム等の低融点の金属類が溶融して火格子の底部に堆積して固化することがなく、ストーカ炉の作動不良を起こすことがなく、処理物に別の処理物が混入することがないストーカ炉及びストーカ炉の操業方法を提供する。
【解決手段】 ストーカ炉２０は、可動火格子２２ａ及び固定火格子２２ｂを水平又は排出部側に向かって下り勾配となるように傾斜させて配置すると共に、可動火格子２２ａの排出部側端部が固定火格子２２ｂの排出部側端部と同じ位置又はその近傍まで至るようにしたことを特徴し、ストーカ炉の操業法は可動火格子２２ａの前進と停止及び待機並びに可動火格子２２ａが所定時間を経過しても可動しない場合には警報を発するようにして制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置内の局所配線を簡単な工程で形成するための半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１０１上に１又は複数の半導体素子が作り込まれてなる半導体装置に局所配線構造を形成する際に、半導体素子の２つの導電領域を絶縁している絶縁領域に、この２つの導電領域を接続するようにシリコン膜１０４又は第１金属膜１０９を形成し（第１工程）、形成されたシリコン膜又は第１金属膜上に無電解めっき法により選択的に第２金属膜１１０を形成する（第２工程）。 （もっと読む）

【課題】半導体装置内の埋め込みコンタクトホールを簡略な工程で形成するための半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１０１上に１又は複数の半導体素子が作り込まれてなる半導体装置に埋め込みコンタクトを形成するにあたり、半導体素子層の全面に層間絶縁膜１０９を形成する（第１工程）。次いで、半導体装置内のシリコン１０６、１０７、ポリシリコン１０４Ａ、１０４Ｂ、又は金属シリサイド１０８Ａ，１０８Ｂからなる２つの領域が露出するように層間絶縁膜にコンタクトホール１０９ａを形成する（第２工程）。そして、コンタクトホールから露出しているシリコン１０６、１０７、ポリシリコン１０４Ａ、１０４Ｂ、又は金属シリサイド１０８Ａ，１０８Ｂの表面に無電解めっき法により選択的に金属膜１１１を形成する（第３工程）。 （もっと読む）

【課題】フラットパネルディスプレイ用表示電極等に用いられるＩＴＯ系非晶質透明導電膜をスパッタ時に水添加することなく製造でき、高エッチング性と低結晶化温度を有し、結晶化後には低抵抗率と高透過率の特性を高い次元で満足する透明導電膜、該透明導電膜製造用のスパッタ時に異常放電のない焼結体ターゲットを提供する。
【解決手段】酸化インジウムを主成分とし、Ｇｅ／（Ｇｅ＋Ｉｎ）の原子％で６〜１６％であり、その他の諸特性を有する焼結体ターゲット、該ターゲットを所定の条件でスパッタして得られる非晶質透明導電膜、該非晶質透明導電膜をアニールして得られる結晶質透明導電膜。 （もっと読む）

【課題】効率的かつ安定した製造技術及びそれによって得られた高純度ハフニウム材料、同材料からなるターゲット及び薄膜を提供する。
【解決手段】ジルコニウムとガス成分を除き純度４Ｎ以上であって、酸素含有量が４０ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とする高純度ハフニウム、同高純度ハフニウムからなるターゲット及び薄膜、ジルコニウムとガス成分を除き純度４Ｎ以上であって、硫黄、リンの含有量がそれぞれ１０ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とする高純度ハフニウム、同高純度ハフニウムからなるターゲット及び薄膜。ジルコニウムを低減させたハフニウムスポンジを原料として使用し、さらにハフニウム中に含まれる酸素、硫黄、リンの含有量を低減させた高純度ハフニウム材料、同材料からなるターゲット及び薄膜並びに高純度ハフニウムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ソース・ドレイン電極及び／又はゲート電極の低抵抗化を図り、微細化・高集積化を損なうことなく、低消費電力で高速操作可能な半導体素子を提供する。
【解決手段】素子分離領域１０２によりシリコン基板１０１Ａ表層に画成された素子領域に、チャネル領域を隔てて形成された一対のソース・ドレイン領域１０６と、ソース・ドレイン領域のそれぞれに導通するソース・ドレイン電極と、チャネル領域上にゲート絶縁膜１０３を介して形成されたゲート電極と、を備えた半導体素子において、ソース・ドレイン電極及び／又はゲート電極を、ソース・ドレイン領域表面又はゲートを構成するポリシリコン層表面に形成した第１金属膜がシリサイド化されてなるシリサイド層１０７ｂと、このシリサイド層上に無電解メッキ法により形成された第２金属膜１０８と、で構成する。 （もっと読む）

【課題】ヨウ素を添加剤として使用する硫化銅鉱の浸出後液などのヨウ化物イオンと鉄（II)イオンを含有する溶液からヨウ素を効率良く回収する方法を提供すること。
【解決手段】ヨウ化物イオンと鉄（II)イオンを含有する水溶液に、該水溶液のｐＨを２未満に維持するように制御しつつ塩素系酸化剤を添加し、該水溶液中のヨウ化物イオンを選択的に酸化する工程と、前記工程で生成したヨウ素を回収する工程を含むことを特徴とする、ヨウ素の回収方法。 （もっと読む）

【課題】ハフニウム中に含まれるジルコニウムの含有量を低減させた高純度ハフニウム、同ハフニウムからなるターゲット及び薄膜並びに高純度ハフニウムの製造方法に関し、効率的かつ安定した製造技術及びそれによって得られた高純度ハフニウム、同ハフニウムからなるターゲット及び薄膜を提供する。
【解決手段】ジルコニウム含有量が１〜１０００ｗｔｐｐｍ、酸素５００ｗｔｐｐｍ以下、窒素及び炭素がそれぞれ１００ｗｔｐｐｍ以下、鉄、クロム、ニッケルがそれぞれ１０ｗｔｐｐｍ以下であり、かつ純度が炭素、酸素、窒素等のガス成分を除き４Ｎ〜６Ｎであることを特徴とする高純度ハフニウム。 （もっと読む）

【課題】 羽口から炉内に粉状原料を吹き込む際の損傷が抑制された吹き込みノズルを提供する。
【解決手段】 吹き込みノズル（１００）は、転炉または精製炉に粉状原料を吹き込むための吹き込みノズルであって、粉状原料が供給される第１配管（１０）と、第１配管よりも小さい径を有し転炉または精製路に粉状原料を供給するための第２配管（２０）と、第１配管と第２配管とを接続し第１配管から第２配管にかけてテーパ状に縮径されるレデューサ部（３０）と、を備え、レデューサ部におけるテーパ角度θは、ｔａｎθ≦１５／１００を満たす。 （もっと読む）

【課題】従来の銀メッキ銅微粉における、銀メッキ前の銅微粉の酸化状態によって銀メッキ反応後の色調にバラツキが生じることや、フレーク状の銀メッキ銅微粉の表面に機械的な変形痕が生じる等の問題点を解決し、導電性と銀メッキ反応時の再現性に優れた銀メッキ銅微粉及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】フレーク状に加工した銅微粉を熱処理して銅微粉表面を酸化し、次に、銅微粉をアルカリ性溶液中で銅微粉表面の有機物を除去・水洗した後、酸性溶液中で銅微粉表面の酸化物を酸洗・水洗し、その後、この銅微粉を分散させた酸性溶液中に還元剤を添加しｐＨを調整して銅微粉スラリーを作成し、この銅微粉スラリーに銀イオン溶液を連続的に添加することにより、無電解置換メッキと還元型無電解メッキにより銅微粉表面に銀層を形成することを特徴とする銀メッキ銅微粉の製造方法。 （もっと読む）