【課題】表面処理剤または樹脂添加剤として使用した際、無機材料と有機材料の密着性を向上させ、貯蔵安定性や溶剤への溶解性が良好である新規なイミダゾールシラン化合物を提供すること。
【解決手段】下記一般式（１）または（２）で示される新規イミダゾールシラン化合物。
【化１】

（但し、Ｒ^１は水素、ビニル基または炭素数が１〜５のアルキル基、Ｒ^２は水素または炭素数が１〜２０のアルキル基、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６は炭素数が１〜３のアルキル基、ｎ、ｍはそれぞれ１〜３の整数、ｌまたはｋは１〜５の整数を表す） （もっと読む）

【課題】 高抵抗透明導電膜、特に抵抗膜式タッチパネル装置等の画面位置確定のために使用されるシート抵抗５００〜２０００Ω／□程度の高い表面抵抗率を有する透明導電膜の形成に有用である高抵抗透明導電性膜用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 酸化インジウムと酸化錫を主成分とする焼結体であって、さらに酸化ケイ素又は酸化チタンの少なくとも一方を含有することを特徴とする高抵抗透明導電性膜用スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】 電気銅めっきを行う際に、めっき液中のアノード側で発生するスラッジ等のパーティクルの発生を抑え、半導体ウエハへのパーティクルの付着を防止する半導体ウエハの電気銅めっき方法、電気銅めっき用純銅アノード及びこれらを用いてめっきされたパーティクル付着の少ない半導体ウエハを提供することを課題とする。
【解決手段】 電気銅めっきを行うに際し、アノードとして純銅を使用し、前記純銅アノードの結晶粒径を１０μｍ以下若しくは６０μｍ以上又は未再結晶であるアノードを用いて電気銅めっきを行うことを特徴とする電気銅めっき方法。 （もっと読む）

【課題】 透明導電膜等を形成するために使用されるＩＸＯ（酸化インジウム−酸化亜鉛の複合酸化物）スパッタリングターゲットスクラップ又はＩＸＯスパッタリングターゲットの製造時に発生する研磨粉等のＩＸＯスクラップ中の不純物、特に亜鉛を効率良く除去し、高純度のインジウムを回収する。
【解決手段】 ＩＸＯスパッタリングターゲット又は研磨粉等のＩＸＯスクラップからインジウムを回収する方法であって、ＩＸＯスクラップを粉砕しカーボン粉を混合する工程、この混合粉を還元炉に投入し加熱還元すると同時に亜鉛を蒸気として系外に排出する工程及び得られた粗インジウムを電解精製する工程からなることを特徴とするインジウムの回収方法。 （もっと読む）