【課題】 強度と加工性に共に優れた電子機器用銅合金を提供する。
【解決手段】 質量％でFe，Nb，V，Ta及びCrの群から選ばれる1種又は2種以上の添加元素を合計で7％以上20％以下含有し、Co，Ni，Mg，Sn，Ag，Zr，Cd，P，In，Ti及びSiの群から選ばれる1種又は2種以上の微量元素を合計で0．05％以上1％以下含有し、残部Cu及び不可避的不純物からなる二相合金であって、添加元素を含む第二相における微量元素の含有割合が０．５％以下である。 （もっと読む）

【課題】強度及び導電率の両者が改善された水素含有チタン銅を提供する。
【解決手段】 Ｔｉを１〜５質量％、Ｈを０．０１〜０．２質量％含有し、ＨをＴｉに対する原子比で０．５〜４含有し、残部銅及び不可避的不純物からなるチタン銅であって、ＴｉとＣｕの金属間化合物からなる析出物のうち、粒径０．１μｍ以上５μｍ未満のものが１×１０⁷個／ｍｍ²未満であり、５μｍ以上のものがなく、板厚方向に測定した硬さの標準偏差が１０以下であって、平均結晶粒径が３０μｍ以下であるチタン銅。 （もっと読む）

【課題】 精製炉から樋を介して溜鍋へ注湯する際に湯こぼれがなく、また確実に溶湯を溜鍋へ送り込むことが可能なアノード鋳造設備における注湯機構を提供することを目的とする。
【解決手段】 注湯機構１０は、精製炉２の傾転状態をエンコーダ１１によって検出し、検出された検出信号に基づいて精製炉２に貯えられた溶湯を溜鍋６に注湯するための樋３の傾斜角を変更することにより、樋３の湯受部３１を精製炉２の注湯孔２１の近傍に常に位置させるようにしたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】銅箔の光沢面とレジストとの密着性が優れ、また同光沢面で樹脂基板と密着させた場合の接着力を向上させることにより、ロープロファイル化されたプリント配線基板用銅箔を低コストで提供する。
【解決手段】電解銅箔１の光沢面４に、電解研磨によって形成された不規則かつ不定長の脈状起伏を備えていることを特徴とする電解銅箔。電解液として硫酸・硫酸銅浴を用い、電解銅箔の光沢面に電解研磨処理を行うことを特徴とする電解銅箔光沢面の電解研磨方法。電解銅箔の粗面側２にアノード３を配置し光沢面側にカソード５を配置して、電解処理を行うことにより、銅箔粗面に平滑めっき処理を行うとともに、銅箔光沢面に逆電解研磨処理を行うことを特徴とする電解銅箔光沢面の電解研磨方法。 （もっと読む）

【課題】 鋳造アノードを確実に保持することができ、しかも従来よりもコンパクトで効率の良い鋳造アノードの取り出し装置及び鋳造アノードの取り出し方法置を提供することを目的とする。
【解決手段】 ターンテーブル２の上方であって、且つ、ターンテーブル２の半径方向に伸びるようにして配置されたレール１３と、レール１３上を往復移動する移動台車２０と、移動台車２０に取り付けられた掴持装置３０であって、鋳造アノードＡの両側部を抱えるようにして掴持する掴持装置３０と、レール１３の途中位置に設けられ、鋳造アノードＡのうち不良のアノードＡを選別して排除する選別台４０とを備え、不良のアノードＡは選別台４０上で選別して排除し、良品のアノードＡはターンテーブル２側とは反対側のレール１３の端部近傍に配置された冷却槽５０へ収容することを特徴とする鋳造アノードの取り出し装置である。 （もっと読む）

【課題】塩素成分含有廃棄物の燃焼により生じる焼却灰及びまたは、澱物の塩素成分を除去するとともに、濾過脱水後の澱物の水分含有量を低下する処理方法を提供することを課題とする。
【解決手段】廃棄物焼却処理残渣の処理方法は、廃棄物焼却処理後の塩素含有量が１．８重量％以下の焼却灰を水浸出し、焼却灰の塩素含有量を０．２重量％以下に低下させる第１工程と、第１工程で塩素含有量を０．２重量％以下に低下させたスラリー状の焼却灰を濾過して濾過澱物を取得する第２工程と、廃熱を利用して床面を加熱するロードヒーティング乾燥設備をビニールハウス内に備えた乾燥室内の床面に、第２工程で取得した濾過澱物を薄く広げる第３工程と、第３工程で薄く広げた濾過澱物を攪拌、搬送し、乾燥を促進する第４工程を備えている。 （もっと読む）

【課題】有害物質を極力低減させるとともに、成膜時のパーティクルの発生数が少なく、膜厚分布が均一であり、かつ４Ｎ（９９．９９％）以上の純度を持ち、半導体メモリーのキャパシタ用電極材を形成する際に好適なスパッタリングターゲット製造用高純度Ｒｕ粉末、該高純度Ｒｕ粉末を焼結して得たスパッタリングターゲット及び該ターゲットをスパッタリングして得た薄膜並びに前記高純度Ｒｕ粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｎａ、Ｋなどのアルカリ金属元素の各含有量が１０ｗｔｐｐｍ以下、Ａｌの含有量が１〜５０ｗｔｐｐｍであることを特徴とする高純度Ｒｕ粉末、及び純度３Ｎ（９９．９％）以下のＲｕ原料をアノードとし、溶液中で電解して精製する、同高純度Ｒｕ粉末の製造方法。 （もっと読む）

【課題】銅箔の光沢面とレジストとの密着性が優れ、また同光沢面で樹脂基板と密着させた場合の接着力を向上させることにより、ロープロファイル化されたプリント配線基板用銅箔を低コストで提供する。
【解決手段】電解銅箔１の光沢面４に、電解研磨によって形成された不規則かつ不定長の脈状起伏を備えていることを特徴とする電解銅箔１。電解液として硫酸・硫酸銅浴を用い、電解銅箔１の光沢面４に電解研磨処理を行うことを特徴とする電解銅箔１光沢面４の電解研磨方法。電解銅箔１の粗面側２にアノード３を配置し光沢面４側にカソード５を配置して、電解処理を行うことにより、銅箔粗面２に平滑めっき処理を行うとともに、銅箔光沢面４に逆電解研磨処理を行うことを特徴とする電解銅箔１光沢面４の電解研磨方法。 （もっと読む）

【課題】インゴット間若しくはターゲット間又は薄膜間のバラツキが少なく、エッチング性を向上させ、かつアルファ粒子を放射するＵ、Ｔｈ等の同位体元素を厳格に低減させた９９．９ｗｔ％以上の純度を持つ高純度Ｎｉ−Ｖ合金、同Ｎｉ−Ｖ合金からなるターゲット及び同Ｎｉ−Ｖ合金薄膜並びにこれらの不純物を効果的に低減できる高純度Ｎｉ−Ｖ合金の製造方法を提供する。
【解決手段】非磁性体となる組成のＮｉ−Ｖ合金であって、ガス成分を除いたＮｉ−Ｖ合金の純度が９９．９ｗｔ％以上であり、金属間化合物であるＮｉ８Ｖの析出がなく、Ｃｒ、Ａｌ、Ｍｇの不純物含有量がそれぞれ１０ｐｐｍ以下、Ｕ、Ｔｈの不純物含有量がそれぞれ１ｐｐｂ未満、Ｐｂ、Ｂｉの不純物含有量がそれぞれ０．１ｐｐｍ未満、不純物であるＮ含有量が１〜１００ｗｔｐｐｍ、さらに合金インゴットのＶ含有量のバラツキが０．４％以内であることを特徴とする高純度Ｎｉ−Ｖ合金。 （もっと読む）

【課題】Ｎｉ−Ｐｔ合金インゴットの硬度を低下させて圧延を可能とし、圧延ターゲットを安定して効率良く製造する技術を提供する。
【解決手段】３Ｎレベルの原料Ｎｉを電気化学的に溶解する工程、電解浸出した溶液をアンモニアで中和する工程、活性炭を用いてろ過し不純物を除去する工程、炭酸ガスを吹き込んで炭酸ニッケルとし、還元性雰囲気で高純度Ｎｉ粉を製造する工程、３Ｎレベルの原料Ｐｔを酸で浸出する工程、浸出した溶液を電解により高純度電析Ｐｔを製造する工程からなり、これらの製造された高純度Ｎｉ粉と高純度電析Ｐｔを溶解する工程からなる。 （もっと読む）