【課題】送達装置から固体前駆体化合物が枯渇するまでのプロセス全体にわたって均一で高濃度の前駆体蒸気を送達することができる送達装置を提供する。
【解決手段】送達装置１００は入口１０４および出口１０８を含む。この送達装置は入口チャンバー１１４および出口チャンバー１２０を含み、出口チャンバーは入口チャンバーに対して反対側にあり、かつ円錐セクション１１６を介して入口チャンバーと流体連通している。出口チャンバーは迷路１１０を含み、この迷路は送達装置に収容される固体前駆体化合物の固体粒子が送達装置から出るのを妨げ、一方で同時に固体前駆体化合物の蒸気が出口を通って送達装置から出るのを可能にするように機能する。 （もっと読む）

【課題】新規の光酸発生剤化合物（ＰＡＧ）およびこのＰＡＧ化合物を含むフォトレジスト組成物の提供。
【解決手段】ラクタム、アミドまたはイミドのような構造−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ＜の窒素ベースの官能性成分を含む新規のイオン性光酸発生剤化合物。特に好ましい光酸発生剤はアニオン成分がラクタム、アミドまたはイミドのような構造−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ＜の部分を含む塩である。また、１種以上の本発明のＰＡＧを含むフォトレジスト組成物も提供される。 （もっと読む）

【課題】ネガティブトーン現像によるフォトリソグラフィパターン形成に有用なフォトレジスト組成物の提供、及び、ネガティブトーン現像プロセスによってフォトリソグラフィパターンを形成する方法、並びに当該フォトレジスト組成物でコーティングされた基体の提供。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）の酸感受性である第１のポリマー；


光酸発生剤；並びに溶媒：を含むフォトレジスト組成物。当該組成物、方法およびコーティングされた基体は半導体デバイスの製造に特に適用可能である。 （もっと読む）

【課題】セレン／第３ａ族半導体を組み込むシステムの製造において使用するセレン／第３ａ族インクの堆積を容易にするインクを提供する。
【解決手段】（ａ）セレンを含むセレン成分；式Ｒ−ＣＯＯＨ（式中、ＲはＣ_１−１０アルキル、Ｃ_１−１０ハロアルキルおよびＣ_１−１０メルカプトアルキルから選択される）を有するカルボン酸成分；多座配位子と錯体形成したアルミニウム、インジウム、ガリウムおよびタリウムから選択される少なくとも１種の第３ａ族物質を含む第３ａ族錯体：の組み合わせを当初成分として含むセレン／第３ａ族錯体；並びに（ｂ）液体キャリア：を含み、セレン／第３ａ族錯体が液体キャリア中に安定に分散されている、セレン／第３ａ族インク。 （もっと読む）

【課題】セレン／第３ａ族半導体を組み込むシステムの製造において使用するためのセレン／第３ａ族インクを提供する。
【解決手段】ａ）セレン／第３ａ族錯体と（ｂ）液体キャリアとを含む、セレン／第３ａ族インクであって；前記セレン／第３ａ族錯体は、セレンを含むセレン成分；ＲＺ−Ｚ’Ｒ’およびＲ２−ＳＨから選択される式を有する有機カルコゲナイド成分（ＺおよびＺ’はそれぞれ独立して硫黄、セレンおよびテルルから選択され；Ｒ，Ｒ’，Ｒ２はＨ、Ｃ１−２０アルキル基、Ｃ６−２０アリール基、Ｃ１−２０ヒドロキシアルキル基、アリールエーテル基およびアルキルエーテル基から選択される）；並びに多座配位子と錯体形成したアルミニウム、インジウム、ガリウムおよびタリウムから選択される少なくとも１種の第３ａ族物質を含む第３ａ族錯体：の組み合わせを当初成分として含み；セレン／第３ａ族錯体が液体キャリア中に安定に分散されている。 （もっと読む）

【課題】半導体のための電流トラックを製造する方法を提供する。
【解決手段】半導体をコーティングする二酸化ケイ素もしくは窒化ケイ素上にロジン樹脂およびワックスを含むホットメルトインクレジストを選択的に堆積させ、次いで二酸化ケイ素もしくは窒化ケイ素層のコーティングされていない部分を無機酸エッチング剤でエッチングして半導体を露出させ、同時にホットメルトインクレジストのアンダーカットを阻害することを含む。エッチングされた部分は、次いで、金属化されて複数の実質的に均一な電流トラックを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】光酸発生剤化合物（ＰＡＧ）の合成のための新規の方法、新規の光酸発生剤化合物およびこのＰＡＧを含むフォトレジスト組成物が提供する。
【解決手段】１）ＳＯ_３⁻部分；２）１個以上のフッ素化炭素；および３）エステルケト基によって直接的にまたは非直接的に置換されている１個以上のフッ素化炭素を含む、新規な光酸発生剤化合物。好ましくは、下記式（Ｉ）の構造を含む光酸発生剤化合物。


（Ｒは水素、または非水素置換基であり；ＸおよびＹはそれぞれ独立して水素もしくは非水素置換基であり；ｐは０もしくは正の整数であり；ｍは正の整数であり；Ｍ＋は対イオンである。） （もっと読む）

【課題】電子デバイス製造に特別な適用可能性が見いだされるネガ現像プロセスを用いてフォトリソグラフィパターンを形成する方法の提供、及びこの方法によって形成されるコーティングされた基体および電子デバイスの提供。
【解決手段】（ａ）パターン形成される１以上の層を基体表面上に含む基体を提供し；（ｂ）酸により切断可能な基を含む樹脂と酸発生剤とを含むフォトレジスト組成物の層を、前記パターン形成される１以上の層上に適用し；（ｃ）前記フォトレジスト組成物層を化学線にパターン様（ｐａｔｔｅｒｎｗｉｓｅ）に露光し；並びに、（ｄ）前記フォトレジスト組成物層に現像剤を適用し、フォトレジスト層の未露光部分が現像剤によって除去され、前記パターン形成される１以上の層上にフォトレジストパターンを残す；ことを含む。現像剤は２−ヘプタノンおよび／または５−メチル−２−ヘキサノンを含む。 （もっと読む）

【課題】良好な焦点深度をはじめとする良好な解像度を提供する新規のフォトレジストシステムの提供。
【解決手段】樹脂、光活性成分、およびフェノール系成分；を含む化学増幅ポジ型フォトレジスト組成物のレリーフ像を半導体基体上にコーティングした半導体基体を提供し；並びにイオンを前記基体に適用する；ことを含む、イオン注入された半導体基体を提供する方法 （もっと読む）

【課題】サブミクロン寸法の高解像の像を提供することができる新たなフォトレジストの提供。
【解決手段】複数のヒドロキシル部分を含む新規の窒素含有化合物、およびこの窒素含有化合物を含むフォトレジスト組成物。好ましい窒素含有化合物は複数（すなわち２以上）のヒドロキシル置換基、および１以上の光酸不安定基を含む。 （もっと読む）