【課題】新規の光酸発生剤化合物（ＰＡＧ）およびこれを含むフォトレジスト組成物の提供。
【解決手段】下記式（Ｉ）および（ＩＩ）：


（式（Ｉ）および（ＩＩ）のそれぞれにおいて、Ｍ＋は有機オニウム基を表し；Ｒ１はステロイド構造であり；ｍは０〜１０の整数であり；ｎは正の整数である）から選択される光酸発生剤化合物。 （もっと読む）

【課題】導電層の表面上に銅を堆積させる銅めっき浴を提供する。
【解決手段】めっき浴は、特定のベンゾイミダゾールと特定のエポキシド含有化合物との反応生成物である平滑化剤を含み、ある範囲の電解質濃度にわたって、基体表面上に実質的に平坦な銅層を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】新規な光活性ポリマーおよびこのポリマーを樹脂成分として含むフォトレジスト組成物の提供。
【解決手段】（ｉ）共有結合した１以上の光酸発生剤部分、および（ｉｉ）１以上の光酸不安定基を含み、この１以上の光酸発生剤部分は１以上の光酸不安定基の成分である、新規のポリマーを含むフォトレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】 化学増幅ポジ型レジストの成分として有用な新規なポリマーの提供。
【解決手段】 光活性な成分、ならびに１）少なくとも約１２５立方オングストロームの分子容を有する第三エステル脂環式基を含み、全ポリマー単位に基づいて約１から５０モル％の量で存在するフォト酸レイビルエステル基；および２）全ポリマー単位に基づいて約２０から９５モル％の量で存在するフェノール基の繰り返し単位を含むポリマーを含む樹脂バインダーを含むフォトレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】ＰＣＢの製造に使用される銅電気めっき浴において、浴の均一電着性に影響を及ぼさずに、すなわち、浴が効果的にブラインドバイアおよびスルーホールを充填しつつ、平滑な銅堆積物を可能とする銅電気めっき浴を提供する。
【解決手段】平滑化剤として、１種以上の特定の窒素含有化合物および１種以上の特定のエポキシド含有化合物との反応生成物を含み、銅イオン源、電解質を含む、導電層の表面上に銅を堆積させる銅電気めっき浴。 （もっと読む）

【課題】薄膜光起電力素子の層のいくつかまたは全てを、化学蒸着から溶液堆積可能な材料で置き換えて、連続ロールツーロール製造技術によって薄膜太陽電池の経済的な製造を可能にする。
【解決手段】基体上に提供されるバックコンタクト、バックコンタクト上に提供されるｐ−型半導体吸収体層、ｐ−型半導体吸収体層上に提供されるｎ−型半導体層、ｎ−型半導体層上に提供される誘電有機材料層、誘電有機材料層上に提供される透明導電膜、並びに、場合によって透明導電膜上に提供される反射防止層を含む薄膜太陽電池及び薄膜太陽電池の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】光起電力素子などの入射光を低減させるのに適したテクスチャ構造を形成するための、改善された製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基体をケイ素エッチングアルカリもしくは酸溶液で清浄化し、清浄化された半導体基体の表面を、１種以上の酸化剤を含み、７を超えるｐＨを有する酸化性組成物で酸化し、酸化された半導体基体をテクスチャ化組成物でテクスチャ化する。 （もっと読む）

【課題】プリント回路板のような基体上に平滑な表面を有する、銅イオン源、電解質および平滑化剤を含む銅電気めっき浴およびめっき方法を提供する。
【解決手段】特定のイミダゾール化合物と特定のエポキシド含有化合物との反応生成物である平滑化剤を含む、銅めっき浴である。金属電気めっき浴に使用される平滑化剤の量は、０．２５〜５０００ｐｐｍ、である。該銅電気めっき浴中の銅と、めっきされる基体とを接触させ；並びに、基体上に銅層を堆積させるのに充分な時間にわたって電流密度を適用する：ことを含む、基体上に銅を堆積する。 （もっと読む）

【課題】イオン注入リソグラフィ用途に特に有用な、Ｓｉ含有基を含む接着促進成分を含む新規のフォトレジストの提供。
【解決手段】本発明のフォトレジストは、Ｓｉ含有基を含む接着促進成分を含有するフォトレジストであり、これを用いることでＳｉＯＮ、酸化ケイ素、窒化ケイ素および他の無機表面のような下地無機表面に対して良好な解像度、接着性を示し、イオン注入リソグラフィ用途に特に有用であり、サブ３００ｎｍ、および２００ｎｍ、例えば２４８ｎｍ、１９３ｎｍおよびＥＵＶをはじめとする短波長像形成に有用である。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィプロセスにおいて使用されうる感放射線性ポリマーおよび組成物が提供される。このポリマーおよび組成物は活性化放射線に対して向上した感受性を提供する。
【解決手段】第１の形態に従って、ポリマーが提供される。ポリマーはポリマー骨格およびポリマー骨格に共有結合したモノマー系光酸発生剤を含む。光酸発生剤は、重合性スルホナートアニオンを有するスルホニウム塩またはヨードニウム塩の１種以上に由来する。 （もっと読む）