説明

ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー.により出願された特許

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【課題】液浸リソグラフィーに有用な新規フォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】(a)(i)1種以上の光酸不安定基を含む1種以上の樹脂、(ii)光活性成分、および(iii)フッ素化された光酸不安定基を含む1種以上の物質を含むフォトレジスト組成物を基体上に適用し、それにより該適用する工程の間に該(iii)の1種以上の物質がフォトレジスト組成物層の上部領域へ向かって移動する工程;並びに、(b)該適用したフォトレジスト組成物を、フォトレジスト組成物を活性化する放射線に液浸露光する工程;を含むフォトレジスト組成物の処理方法。 (もっと読む)


【課題】フォトレジストによるサブミクロン寸法の高解像イメージの提供。
【解決手段】下記式Iまたは式II




で示されるトリ(スルホニル)メチドまたはビス(スルホニル)イミド光酸発生剤化合物(PAG)、並びに、このようなPAG化合物を含むフォトレジスト組成物。 (もっと読む)


【課題】イオン注入リソグラフィ用途に特に有用な、低Tg成分を含む新規のフォトレジストの提供。
【解決手段】本発明のフォトレジストは、低Tg成分を含む新規のフォトレジストであり、これを用いることでSiON、酸化ケイ素、窒化ケイ素および他の無機表面のような下地無機表面に対して良好な解像度、接着性を示し、イオン注入リソグラフィ用途に特に有用であり、サブ300nm、および200nm、例えば248nm、193nmおよびEUVをはじめとする短波長像形成に有用である。 (もっと読む)


【課題】光酸発生剤化合物(PAG)の新規の合成方法、新規の光酸発生剤化合物、およびそのPAG化合物を含むフォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】ポジ型またはネガ型フォトレジスト組成物において使用するための、スルホニウム(>S+)成分を含む新規の光酸発生剤化合物(PAG)。特に好ましいスルホニウムPAGは、ジフルオロスルホン酸カチオン成分(例えば、R−CF2SO3−、ここで、Rは非水素置換基である)を含む。また、スルホニウム含有光酸発生剤を製造するための合成方法は、置換アルキルスルフィドを環化して、シクロペンチル、シクロヘキシルまたはシクロヘプチルスルホニウムPAG(例えば、RS+<(CH2)4−6(式中、Rは非水素置換基である))を合成する。 (もっと読む)


【課題】化学蒸着(CVD)用金属含有前駆体を一定濃度で蒸発させる装置及び方法を提供する。
【解決手段】本装置は外部ケーシング102と内部ケーシング110からなりその間を流体で恒温とした蒸発器100と熱交換器304からなり、内部ケーシングはキャリア流体を導入する第1の導管210と前駆体を同伴したキャリア流体を取り出す第2の導管214、熱交換器から蒸発器へ前駆体を導入する第1の前駆体導管306からなっている。熱交換器を蒸発器の近傍に配置することによって、蒸発器内の前駆体の温度と同じ温度で蒸発器に新たな前駆体を供給できるので、蒸発器内の前駆体を実質的に一定の温度に維持できる。 (もっと読む)


【課題】半導体基体のテクスチャ化方法において、改良されたテクスチャ化均一性、再現性、成分の蒸発の低減および改良された反射率性能を伴うテクスチャ化溶液を提供する。
【解決手段】170以上の分子量を有し、75度以上の引火点を有する不揮発性アルコキシ化グリコール、そのエーテルおよびエーテルアセタート誘導体を含む水溶液で半導体がテクスチャ化される。このテクスチャ化された半導体は、光起電力素子の製造に使用されうる。 (もっと読む)


【課題】液浸リソグラフィーに有用な新規フォトレジスト組成物の提供。
【解決手段】本発明の好ましいフォトレジスト組成物は、レジストの樹脂成分と実質的に非混和性である1以上の物質を含む。本発明のさらに好ましいフォトレジスト組成物は、1)Si置換、2)フッ素置換;3)超分岐ポリマー;および/または4)ポリマー粒子を含む。本発明の特に好ましいフォトレジストは液浸リソグラフィー処理中のレジスト層と接触する液浸液中への、レジスト物質の滲出を低下させることができる。 (もっと読む)


【課題】雨および砂の浸蝕の全期間で耐えることができ、必要な波長帯において透過性であり、かつ高速航空機における使用に耐えうる、20μmを超える厚いアルミナコーティングを硫化亜鉛およびセレン化亜鉛物品上に堆積させる方法を提供する。
【解決手段】a)硫化亜鉛またはセレン化亜鉛を含む物品を提供し;並びに、b)マイクロ波アシストマグネトロンスパッタリングによって、20μmを超える厚みのアルミナの層を硫化亜鉛またはセレン化亜鉛上に、60Å/分以上の堆積速度で堆積させる;ことを含む方法。 (もっと読む)


【課題】浸漬リソグラフィ処理に適した、フォトレジスト組成物の上に適用されるバリアー層組成物を提供する。別の面において、浸漬リソグラフィ処理のための新規な方法を提供する。
【解決手段】浸漬リソグラフィ用のバリアー層として、少なくとも樹脂主鎖内にフッ素置換基を含有していない1種以上の樹脂をはじめとする、1種以上の非溶媒担体材料(成分)を含有する。 (もっと読む)


【課題】基体上への第3a族金属の堆積を容易にするように設計され、ヒドラジン爆発の危険性を回避できる新たな第3a族インク配合物、その製造方法及び第3a族インクを使用して第3a族物質を、VLSI技術におけるシリコンデバイスの金属化、半導体III−V合金の成長、薄膜トランジスタ(TFT)、発光ダイオード(LED)および赤外線検出器などの様々な半導体用途に使用するための基体上に堆積する方法を提供する。
【解決手段】ポリアミン溶媒、第3a族物質/有機物錯体、および還元剤を初期成分として含み、還元剤のモル濃度が第3a族物質/有機物錯体のモル濃度を超えており、第3a族インクは安定な分散物であり、かつ第3a族インクはヒドラジンおよびヒドラジニウムを含まない、第3a族インク。 (もっと読む)


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