【課題】有機および無機汚染物質を半導体ウェハから清浄化すると同時に、半導体ウェハをマイクロエッチングする方法の提供。
【解決手段】半導体ウェハをインゴットから薄く切り出した後に、切断流体、並びに切断プロセスにおいて使用されるソウから汚染される金属および金属酸化物を、１種以上の水酸化第四級アンモニウムと、１種以上の水酸化アルカリと、１種以上のミッドレンジアルコキシラートとを、含むアルカリ水溶液により清浄化し、同時にマイクロエッチングする。 （もっと読む）

【課題】電気コネクタのような、ニッケル含有基体上に硬質金をスポットめっきする際、めっき箇所以外に金が置換めっきされるのを抑制するメッキ液組成物を提供する。
【解決手段】金イオン源と、コバルト塩またはニッケル塩を含む金属イオン源と、下記式で示されるメルカプトテトラゾールまたはその塩を含む組成物。


（式中、Ｒ１は、水素、Ｃ１−Ｃ２０）炭化水素基、（Ｃ８−Ｃ２０）アルアルキル、フェニル、ナフチル、アミンまたはカルボキシル基；Ｘは水素、（Ｃ１−Ｃ２）アルキル、またはアルカリ金属、カルシウム、アンモニウムまたは第四級アミンのような好適な対イオンである） （もっと読む）

液浸リソグラフィに特に有用な新規フォトレジスト組成物が提供される。本発明の好ましいフォトレジスト組成物は塩基反応性基を有する１種以上の材料を含む。本発明の特に好ましいフォトレジストは、液浸リソグラフィ処理中にレジスト層に接触する液浸液体へのレジスト材料の低減された漏出を示すことができる。 （もっと読む）

【課題】カルボニル含有配位子を含む特定の有機金属化合物を使用する金属含有膜を蒸着する方法を提供する。
【解決手段】蒸着反応器内に基体を提供し；式［Ｒ２Ｒ１Ｎ（ＣＯ）］ｎＭ＋ｍＬ１（ｍ−ｎ）／ｐＬ２ｑ（式中、Ｒ１およびＲ２は独立して選択され、；Ｘ＝ＮまたはＰ；Ｍ＝第７族〜第１０族金属；Ｌ１＝負の電荷ｐを有するアニオン性配位子；Ｌ２＝中性配位子；ｍ＝Ｍの価数；ｎ＝１〜６；ｐ＝１〜２；ｑ＝０〜４；並びにｍ≧ｎである）の有機金属化合物を気相で反応器に運び；並びに、有機金属化合物を分解させて、基体上に金属含有膜を堆積させる；ことを含む、金属含有膜を堆積させる方法。 （もっと読む）

【課題】形成されるレジストパターンの寸法の制御された増大、低減または維持を可能にする。
【解決手段】電子デバイスを形成する方法は、（ａ）パターン形成される１以上の層を含む半導体基体を提供し；（ｂ）感光性組成物の第１の層を、前記パターン形成される１以上の層上に適用し；（ｃ）前記第１の層を、パターン化されたフォトマスクを通した活性化放射線に露光し；（ｄ）第１の層を現像してレジストパターンを形成し；（ｅ）ハードベークプロセスにおいて前記レジストパターンを熱処理し；（ｆ）前記レジストパターンの表面をアルカリ性にするのに有効な物質で、前記レジストパターンを処理し；（ｇ）感熱性組成物の第２の層を、前記レジストパターンのアルカリ性表面と接触するように適用し；（ｈ）前記感熱性組成物の第２の層を、熱酸発生剤が酸を発生するのに有効な温度に加熱し；並びに（ｉ）加熱された第２の層を現像する；ことを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体及び先端実装技術、例えば、ゲート電極、オーミック接触、相互接続ライン、ショットキー障壁ダイオード接触、光起電力、太陽電池及び光電子部品形成などにおける様々な目的のために使用されうるケイ化ニッケルの形成工程数を削減する形成方法を提供する。
【解決手段】ケイ素含有基体をニッケルでコーティングし、このニッケルは保護層でコーティングし、この組み合わせはケイ化ニッケルを形成するのに充分な温度に加熱される。このケイ化ニッケル形成は酸素含有環境において行われうる。 （もっと読む）

【課題】新規ポリマー、およびそのようなポリマーを含有するフォトイメージャブル組成物の提供。
【解決手段】非炭素四価化学種（Ｓｉ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｓｎ）を有する新規ポリマー、およびそのようなポリマーを含有するフォトイメージャブル組成物が提供される。好ましいポリマーは、有機であり、たとえば１種類以上のポリマー繰り返し単位が炭素原子を含む。ＳｉＯ_２またはＴｉＯ_２の繰り返し単位を含むポリマーが特に好ましく、このようなポリマーは、短波長、たとえば３００ｎｍ未満および２００ｎｍ未満において画像形成されるレジストの樹脂成分として非常に有用となりうる。 （もっと読む）

【課題】低発泡性で、安定で、均一であり、マイクロ粗化およびポリマー除去性能を悪化させず、かつ高Ｔｇポリマーをはじめとする広範囲のＴｇ値のポリマーを膨潤および軟化させるために使用されうる溶媒膨潤剤（ｓｏｌｖｅｎｔ ｓｗｅｌｌ）を利用する、金属化のためのスルーホールまたはバイアを調製する方法を提供する。
【解決手段】ａ）ポリマーおよび複数のバイアを含む基体を提供し；ｂ）１種以上の両性界面活性剤、１種以上の有機溶媒および１種以上の分散剤を含む組成物を、前記ポリマーおよび複数のバイアを含む基体上に適用して、複数のバイア内のポリマーを膨潤させ；並びにｃ）膨潤したポリマーに酸化剤を適用して、バイア内のポリマーを除去するかまたはトポグラフィー変化させる；ことを含む方法。 （もっと読む）

【課題】高解像サブハーフミクロンおよびサブクオーターミクロンフィーチャーなどの高性能用途に適したフォトレジスト組成物の提供。
【解決手段】下記式：


（式中、各Ｒ_２は同じかまたは異なっている非水素置換基であり；各ｎは０〜４の整数である）から選択される部分を含む樹脂を含むフォトレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスにおいてナノメートルスケールのフィーチャーサイズを達成する
【解決手段】第１の樹脂成分と第１の光活性成分とを含む第１の感光性組成物の第１の層１０６を形成し、前記第１の層を、パターン化されたフォトマスク１１０を通した活性化放射線に露光し、現像して第１のレジストパターン１１２を形成し、ハードベークプロセスにおいて前記第１のレジストパターンを熱処理し、表面をアルカリ性にするのに有効な物質で、前記ハードベークされた第１のレジストパターンを処理し、第２の樹脂成分と光酸発生剤とを含み、ポジ型である第２の感光性組成物の第２の層１１４を前記第１のレジストパターンのアルカリ性表面と接触するように適用し、前記第２の層を、パターン化されたフォトマスク１１６を通した活性化放射線に露光し、露光された第２の層を現像して、第２のレジストパターン１１４を形成する （もっと読む）