説明

ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー.により出願された特許

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【課題】電気コネクタのような、ニッケル含有基体上に硬質金をスポットめっきする際、めっき箇所以外に金が置換めっきされるのを抑制するメッキ液組成物を提供する。
【解決手段】金イオン源と、コバルト塩またはニッケル塩を含む金属イオン源と、下記式で示されるメルカプトテトラゾールまたはその塩を含む組成物。


(式中、R1は、水素、C1−C20)炭化水素基、(C8−C20)アルアルキル、フェニル、ナフチル、アミンまたはカルボキシル基;Xは水素、(C1−C2)アルキル、またはアルカリ金属、カルシウム、アンモニウムまたは第四級アミンのような好適な対イオンである) (もっと読む)



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【課題】カルボニル含有配位子を含む特定の有機金属化合物を使用する金属含有膜を蒸着する方法を提供する。
【解決手段】蒸着反応器内に基体を提供し;式[R2R1N(CO)]nM+mL1(m−n)/pL2q(式中、R1およびR2は独立して選択され、;X=NまたはP;M=第7族〜第10族金属;L1=負の電荷pを有するアニオン性配位子;L2=中性配位子;m=Mの価数;n=1〜6;p=1〜2;q=0〜4;並びにm≧nである)の有機金属化合物を気相で反応器に運び;並びに、有機金属化合物を分解させて、基体上に金属含有膜を堆積させる;ことを含む、金属含有膜を堆積させる方法。 (もっと読む)


【課題】形成されるレジストパターンの寸法の制御された増大、低減または維持を可能にする。
【解決手段】電子デバイスを形成する方法は、(a)パターン形成される1以上の層を含む半導体基体を提供し;(b)感光性組成物の第1の層を、前記パターン形成される1以上の層上に適用し;(c)前記第1の層を、パターン化されたフォトマスクを通した活性化放射線に露光し;(d)第1の層を現像してレジストパターンを形成し;(e)ハードベークプロセスにおいて前記レジストパターンを熱処理し;(f)前記レジストパターンの表面をアルカリ性にするのに有効な物質で、前記レジストパターンを処理し;(g)感熱性組成物の第2の層を、前記レジストパターンのアルカリ性表面と接触するように適用し;(h)前記感熱性組成物の第2の層を、熱酸発生剤が酸を発生するのに有効な温度に加熱し;並びに(i)加熱された第2の層を現像する;ことを含む。 (もっと読む)


【課題】半導体及び先端実装技術、例えば、ゲート電極、オーミック接触、相互接続ライン、ショットキー障壁ダイオード接触、光起電力、太陽電池及び光電子部品形成などにおける様々な目的のために使用されうるケイ化ニッケルの形成工程数を削減する形成方法を提供する。
【解決手段】ケイ素含有基体をニッケルでコーティングし、このニッケルは保護層でコーティングし、この組み合わせはケイ化ニッケルを形成するのに充分な温度に加熱される。このケイ化ニッケル形成は酸素含有環境において行われうる。 (もっと読む)


【課題】新規ポリマー、およびそのようなポリマーを含有するフォトイメージャブル組成物の提供。
【解決手段】非炭素四価化学種(Si、Ti、Ge、Zr、Sn)を有する新規ポリマー、およびそのようなポリマーを含有するフォトイメージャブル組成物が提供される。好ましいポリマーは、有機であり、たとえば1種類以上のポリマー繰り返し単位が炭素原子を含む。SiOまたはTiOの繰り返し単位を含むポリマーが特に好ましく、このようなポリマーは、短波長、たとえば300nm未満および200nm未満において画像形成されるレジストの樹脂成分として非常に有用となりうる。 (もっと読む)


【課題】低発泡性で、安定で、均一であり、マイクロ粗化およびポリマー除去性能を悪化させず、かつ高Tgポリマーをはじめとする広範囲のTg値のポリマーを膨潤および軟化させるために使用されうる溶媒膨潤剤(solvent swell)を利用する、金属化のためのスルーホールまたはバイアを調製する方法を提供する。
【解決手段】a)ポリマーおよび複数のバイアを含む基体を提供し;b)1種以上の両性界面活性剤、1種以上の有機溶媒および1種以上の分散剤を含む組成物を、前記ポリマーおよび複数のバイアを含む基体上に適用して、複数のバイア内のポリマーを膨潤させ;並びにc)膨潤したポリマーに酸化剤を適用して、バイア内のポリマーを除去するかまたはトポグラフィー変化させる;ことを含む方法。 (もっと読む)



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