【課題】高密度リソグラフィパターンおよびフィーチャーを形成するための半導体デバイスの製造におけるレジストパターンの表面をアルカリ性にするのに有効な物質でレジストパターンを処理する、フォトリソグラフィパターンを形成方法を提供する。
【解決手段】（ａ）パターン形成される１以上の層を含む半導体基体を提供し；（ｂ）第１の複数の開口を含むレジストパターンを、前記１以上の層上に形成し；（ｃ）前記レジストパターンの表面をアルカリ性にするのに有効な物質で前記レジストパターンを処理し；（ｄ）ハードベークプロセスにおいて前記レジストパターンを熱処理し；（ｅ）樹脂成分と酸発生剤とを含む組成物の層を、前記レジストパターンの第１の複数の開口内に適用し；（ｆ）前記層を、酸発生剤が酸を発生する状態にして；並びに、（ｇ）前記レジストパターンおよび前記層を現像剤溶液と接触させる；ことを含む、電子デバイスを形成する方法。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスにおいてナノメートルスケールのフィーチャーサイズを達成する
【解決手段】第１の樹脂成分と第１の光活性成分とを含む第１の感光性組成物の第１の層１０６を形成し、前記第１の層を、パターン化されたフォトマスク１１０を通した活性化放射線に露光し、現像して第１のレジストパターン１１２を形成し、ハードベークプロセスにおいて前記第１のレジストパターンを熱処理し、表面をアルカリ性にするのに有効な物質で、前記ハードベークされた第１のレジストパターンを処理し、第２の樹脂成分と光酸発生剤とを含み、ポジ型である第２の感光性組成物の第２の層１１４を前記第１のレジストパターンのアルカリ性表面と接触するように適用し、前記第２の層を、パターン化されたフォトマスク１１６を通した活性化放射線に露光し、露光された第２の層を現像して、第２のレジストパターン１１４を形成する （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィパターニング技術、例えば、リソ−リソ−エッチおよび自己整合スペーサーダブルパターニングのようなダブルパターニングプロセスなどに、並びに、コンタクトホールおよび溝形成において有用な縮小プロセスに使用されうるフォトレジストパターンを処理するための組成物およびこの組成物を使用する方法を提供する。
【解決手段】フォトレジストパターンを処理するための組成物であって、第四級アンモニウムヒドロキシド溶液と第一級または第二級アミンとを含み、アルカリ性である組成物。 （もっと読む）

【課題】１重量％以上のセレンを含み、安定な分散物であり、ヒドラジンおよびヒドラジニウムを含まない、セレンインク。このセレンインクを製造する方法、およびこのセレンインクを使用して、様々なカルコゲナイドを含む半導体物質、並びにカルコゲナイド含有相変化メモリ物質の製造に使用するための基体上に、セレンを堆積する方法を提供する。
【解決手段】液体キャリア；セレンを含むセレン成分；ＲＺ−Ｚ’Ｒ’およびＲ^２−ＳＨ［式中、ＺおよびＺ’はそれぞれ独立して硫黄、セレンおよびテルルから選択され；ＲはＨ、アルキル基、アリール基、アルキルヒドロキシ基、アリールエーテル基およびアルキルエーテル基から選択され；Ｒ’およびＲ^２はアルキル基、アリール基、アルキルヒドロキシ基、アリールエーテル基およびアルキルエーテル基から選択される］から選択される式を有する有機カルコゲナイド成分；を初期成分として含むセレンインク。 （もっと読む）

【課題】高密度レジストパターンの形成を可能にする、自己整合型スペーサー多重パターニング方法を提供する。
【解決手段】（ａ）パターン形成される１以上の層を含む半導体基体に；（ｂ）第１の樹脂成分と光活性成分とを含む第１の感光性組成物の第１の層を適用し；（ｃ）パターン化されたフォトマスクを通した活性化放射線に第１の層を露光し；（ｄ）露光された第１の層を現像してレジストパターンを形成し；（ｅ）レジストパターンを熱処理し；（ｆ）当該レジストパターンの表面をアルカリ性にするのに有効な物質で処理し；（ｇ）第２の樹脂成分と光酸発生剤とを含む第２の感光性組成物の第２の層を、前記レジストパターンのアルカリ性表面と接触するように適用し；（ｈ）第２の層を活性化放射線に露光し；（ｉ）現像して、第２の層の現像中に除去されない第２の層の部分を含むスペーサーを形成する；ことを含む自己整合型スペーサー多重パターニング方法。 （もっと読む）

【課題】高密度レジストパターンの形成を可能にする。
【解決手段】この方法は、（ａ）パターン形成される１以上の層を含む半導体基体を提供し；（ｂ）パターン形成される１以上の層上に、第１の感光性組成物の第１の層を適用し；（ｃ）第１のフォトマスクを通した活性化放射線に第１の層を露光し；（ｄ）露光された第１の層を現像してレジストパターンを形成し；（ｅ）ハードベークプロセスにおいてレジストパターンを熱処理し；（ｆ）ハードベークされたレジストパターンを、当該レジストパターンの表面をアルカリ性にするのに有効な物質で処理し；（ｇ）樹脂成分と光酸発生剤とを含む第２の感光性組成物の第２の層を、処理されたレジストパターンおよびパターン形成される１以上の層の上に適用し；（ｈ）第２の層を活性化放射線に露光し；並びに、（ｉ）露光された第２の層を現像し、現像後に第２の層の一部分を残す；ことを含む。 （もっと読む）

【課題】工作物のマーキングのための改良された画像形成組成物および方法が必要とされている。
【解決手段】画像形成組成物およびその組成物の使用方法が開示される。本発明の画像形成組成物は、少ない量のエネルギーに対して敏感であるので、少ない量のエネルギーを与えることによって組成物の色彩または明度が変化する。本発明の組成物は、マーキング方法に使用することができる。 （もっと読む）

【課題】液浸リソグラフィーに特に好適な新規のフォトレジストプロセスを提供する。
【解決手段】（ａ）基体上にフォトレジスト組成物を適用し；（ｂ）フォトレジスト組成物を活性化する放射線でフォトレジスト層を液浸露光し；（ｃ）露光されたフォトレジスト層の水接触角を調節し；および（ｄ）処理されたフォトレジスト層を現像してフォトレジストレリーフ像を提供する；ことを含む、フォトレジスト組成物を処理する方法。 （もっと読む）

【課題】第ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体膜をドープする方法を提供する。
【解決手段】ａ）堆積チャンバー内に基体を提供し、ｂ）第ＩＩＩＡ族金属化合物を気相で堆積チャンバーに運び、ｃ）第ＶＡ族化合物を気相で堆積チャンバーに運び、ｄ）式Ｒ_ｘＧｅＨ_ｙのゲルマニウムドーパント化合物を気相で堆積チャンバーに運び、ｅ）第ＩＩＩＡ族金属化合物、第ＶＡ族化合物およびゲルマニウムドーパント化合物を堆積チャンバー内で分解し、ｆ）ゲルマニウムをドープした第ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体膜を基体上に堆積させる。 （もっと読む）

【課題】マイクロエレクトロニクスウェハの製造において下地反射防止コーティング層として使用されうる新規な組成物を提供する。下地反射防止コーティング層として使用されることができ、かつ水性フォトレジスト現像剤で除去されうる新たな組成物が特に望まれる。
【解決手段】一形態においては、ジエン／ジエノフィル反応生成物を含む有機コーティング組成物、特に反射防止コーティング組成物を提供する。別の形態においては、ヒドロキシルナフトエ基、例えば、６−ヒドロキシ−２−ナフトエ基を含む成分を含む、有機コーティング組成物、特に反射防止コーティング組成物を提供する。本発明の好ましい組成物は、基体から上塗りフォトレジスト層に戻る露光放射線の反射を低減させ、および／または平坦化、共形もしくはビアフィル層として機能させるのに有用である。 （もっと読む）