【課題】下塗り反射防止コーティング層として使用されることができ、かつ水性フォトレジスト現像剤で除去されうる新たな組成物の提供。
【解決手段】ジエン／ジエノフィル反応生成物を含む有機コーティング組成物、特に反射防止コーティング組成物が提供される。好ましい本発明の組成物は、基体から上塗りフォトレジスト層に戻る露光放射線の反射を低減させるのに有用であり、および／または平坦化、一体化もしくはビアフィル層として機能する。 （もっと読む）

【課題】高密度データ層を含む複数層光学データ記憶媒体を形成する方法、並びにこのような方法によって形成する記憶媒体を提供する。
【解決手段】複数のデータピットを含む第１のデータ層を第１のワークピースの前面および裏面の少なくとも一方が有する、第１の自立ワークピースを提供し、第１のデータ層に近接した第１の反射層を形成し、複数のデータピットを含む第２のデータ層を第２のワークピースの前面および裏面の少なくとも一方が有する、第２の自立ワークピースを提供し、第２のデータ層に近接した第２の反射層を形成し、第１のワークピース上にポリマー層を提供し、型をポリマー層に押し付けて、複数のデータピットを含む第３のデータ層をポリマー層に形成し、型をポリマー層から分離させ、第３のデータ層に近接した第３の反射層を形成し、並びに第１のワークピースを第２のワークピースに取り付ける、ことを含む光学データ記憶媒体の形成方法。 （もっと読む）

【課題】フォトレジスト組成物上に適用される上塗り層組成物を提供する。
【解決手段】フォトレジスト組成物上に適用される上塗り層組成物が提供される。この組成物について、液浸リソグラフィー処理に対する特別な適用性を見いだした。 （もっと読む）

【課題】有機金属化合物の提供。
【解決手段】ＩＶ族金属含有フィルムの蒸着前駆体として使用するために有用な有機金属化合物が提供される。ある種の有機金属前駆体を用いてＩＶ族金属含有フィルムを堆積させる方法も提供される。前記のＩＶ族金属含有フィルムは電子デバイスの製造において特に有用である。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの汚染物質をクリーニングする方法を提供する。
【解決手段】物質から汚染物質をクリーニングするために、酸クリーナー、続いて、アルカリクリーナーを用いて半導体ウェハをクリーニングする方法が提供される。酸クリーナーは実質的に全ての金属汚染物質を除去し、一方で、アルカリクリーナーは実質的に全ての非金属汚染物質、例えば、有機物質および粒子状物質を除去する。 （もっと読む）

【課題】３００ｎｍ以下および２００ｎｍ以下、たとえば１９３ｎｍおよび１５７ｎｍを含む短波長イメージングに適した新規フォトレジストの提供。
【解決手段】本発明のフォトレジストは、フォト酸レイビル基を有する樹脂、１以上のフォト酸発生化合物、および接着促進添加化合物を含む。本発明のフォトレジストは、ＳｉＯＮおよび他の無機表面層に対して著しい接着性を示すことができる。 （もっと読む）

【課題】液浸リソグラフィーに有用な新規フォトレジスト組成物の提供。
【解決手段】本発明の好ましいフォトレジスト組成物は、レジストの樹脂成分と実質的に非混和性である１以上の物質を含む。本発明のさらに好ましいフォトレジスト組成物は、１）Ｓｉ置換、２）フッ素置換；３）超分岐ポリマー；および／または４）ポリマー粒子を含む。本発明の特に好ましいフォトレジストは液浸リソグラフィー処理中のレジスト層と接触する液浸液中への、レジスト物質の滲出を低下させることができる。 （もっと読む）

【課題】錫または錫合金めっき皮膜に対しリフロー処理を施した後においても、めっき皮膜にヨリが発生することなく、同時に変色が抑制され、良好なはんだぬれ性を有するメッキ皮膜およびその形成方法を提供する。
【解決手段】ａ）基体表面上に錫皮膜をめっきする工程；ｂ）基体表面上の該錫皮膜を、リフロー処理する前に、グリシンおよびＬ−アルギニンからなる群から選択される１以上のアミノ酸を含む水溶液で処理する工程；およびｃ）該錫皮膜をリフロー処理する工程を含む錫めっき皮膜の表面処理方法。 （もっと読む）

【課題】フォトレジスト組成物上に適用される上塗り層組成物を提供する。
【解決手段】フォトレジスト層上での上塗り層の形成における使用に適した組成物であって、１種以上の酸性官能基を含む第１樹脂、重合単位として式（Ｉ）のモノマーを含み、第１樹脂とは異なる第２樹脂であって、第１樹脂の表面エネルギーよりも低い表面エネルギーを有する第２樹脂、並びに、ジアルキルグリコールモノアルキルエーテルを含む溶媒を含む組成物。
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【課題】樹脂バインダーおよび光酸発生剤のブレンドを含む新しいフォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】樹脂バインダーおよび、組成物の露光されたコーティング層を現像することができるのに十分な量の光酸発生化合物の混合物を含み、該光酸発生化合物の混合物は、第１の光酸発生剤および第２の光酸発生剤を含み、第１および第２の光酸発生剤は、光活性化されると、少なくとも約０．５だけｐＫａ値が異なる第１の光酸および第２の光酸をそれぞれ発生するフォトレジスト組成物。 （もっと読む）