【課題】本発明は、電子部品に用いられる錫または錫合金めっき皮膜に対し、簡便な方法で錫または錫合金めっき皮膜表面のウィスカを低減することができ、かつ良好な錫または錫合金めっき皮膜をもたらし得る、錫または錫合金めっき皮膜表面処理水溶液を提供することを目的とする。
【解決手段】分子内にカルボン酸基を少なくとも１個有する有機化合物を含有し、ｐＨが２．５以下である、錫または錫合金めっき皮膜の表面を処理するための錫または錫合金めっき皮膜表面処理水溶液を提供する。前記分子内にカルボン酸基を少なくとも１個有する有機化合物は、分子内にカルボン酸基を２個以上有し、かつ分子内に窒素原子を有しない有機化合物であることが好ましく、該有機化合物は、リンゴ酸、マレイン酸、クエン酸であることが好ましい。また、かかる表面処理水溶液は、さらに窒素系化合物を含有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】半導体上のバックグラウンドめっきを抑制する方法を提供する。
【解決手段】方法は、高い光透過性を有する相変換レジストを誘電体上に選択的に堆積させてパターンを形成すること、そのレジストで覆われていない誘電体の部分をエッチング除去すること、並びにその誘電体のエッチングされた部分上に金属シード層を堆積させることを含む。次いで、光誘導めっきによって、その金属シード層上に金属層が堆積させられる。 （もっと読む）

【課題】太陽光発電および太陽電池のような半導体上にニッケルを光誘導めっきする方法において、均一であり、かつドープされた半導体基体への許容できる接着性を有する、厚みの薄いニッケル堆積物を提供する。
【解決手段】めっきプロセスを開始するために、半導体に初期光強度８０００ルクス〜２０，０００ルクス、または例えば１０，０００ルクス〜１５，０００ルクスの光を、典型的には、０．２５秒〜１５秒間、より典型的には２秒〜１５秒間、最も典型的には５秒〜１０秒間適用し、続いて、残りの期間、光の強度を典型的には、初期光強度の２０％〜５０％、または例えば３０％〜４０％低減させる。 （もっと読む）

【課題】アンモニアベースの浴からパラジウムおよびパラジウム合金をめっきするための高速方法を提供する。
【解決手段】パラジウム電気めっき浴として、パラジウム源の１種以上、アンモニウムイオン及び尿素から本質的になる組成物とし、少なくとも１０アンペア/ｄｍ２の電流密度を発生させてパラジウムを堆積させる方法。また、別の態様においては、パラジウム合金電気めっき浴として、パラジウム源の１種以上、合金形成金属源の１種以上、アンモニウムイオン及び尿素から本質的になる組成物とし、少なくとも１０アンペア/ｄｍ２の電流密度を発生させてパラジウム合金を堆積させる方法。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、錯化剤を含有せず、電気錫めっきを行う場合、特にバレルめっき法を用いて電気錫めっきを行う場合にカップリングレートが極めて小さく、かつはんだぬれ性の良好なめっき液及びめっき方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、（Ａ）第一錫イオン、（Ｂ）酸、（Ｃ）Ｎ，Ｎ−ジポリオキシアルキレン−Ｎ−アルキルアミン、アミンオキシドまたはこれらの混合物及び（Ｄ）固着防止剤を含有し、ｐＨ１以下のチップ部品用電気錫めっき液を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体の誘電性欠陥においてバックグラウンドめっきを抑制する方法を提供する。
【解決手段】導電母線および集電ラインのための導電パターンと、半導体の前面上の導電パターンの間のスペースを覆う誘電層とを有し、当該誘電層が１以上の欠陥を含有する半導体において、少なくとも誘電層を１種以上の酸化剤と接触させ、並びに、導電パターン上に金属層を選択的に堆積させる。 （もっと読む）

【課題】向上された電気めっき組成物の安定性および堆積物の形状を提供するインジウム電気めっき方法を提供する。
【解決手段】インジウム電気めっき組成物においてインジウムイオンを補充する方法が開示される。特定の弱酸のインジウム塩を用いて、インジウムイオンが電気めっき中に補充される。この方法は可溶性陽極および不溶性陽極を用いて使用されうる。 （もっと読む）

【課題】高い熱伝導率を有し、積層欠陥が低下した炭化珪素膜を提供する。
【解決手段】高熱伝導率を有し、積層欠陥が減少した、化学蒸着β相多結晶炭化珪素。炭化珪素は水素ガスおよびメチルトリクロロシランを反応物質として用いる特定の条件下で合成される。炭化珪素の熱伝導率は、高い熱負荷が発生する電子デバイスの装置の一部および部品として用いることができるほど十分高い。このような部品としては、アクティブ熱電クーラー、ヒートシンクおよびファンが挙げられる。 （もっと読む）

【課題】メッキ浴中で共通な他の成分と相溶性であり、スラッジ形成を妨げるために二価スズの酸化を防止し及び／又は第一スズを安定化させる酸化防止剤（還元剤）を提供する。
【解決手段】フルオロホウ酸、有機スルホン酸又はこれらの組み合わせからなる群から選択される酸、任意にこれらの塩を含む基準溶液；二価スズイオン；および酸化二価スズを還元するのに有効量のヒドロキシベンゼンスルホン酸又はこれらの塩を含む酸化防止化合物、を含むスズ及びスズ合金のメッキ溶液を使用して基体を電気メッキするメッキ方法。 （もっと読む）

【課題】新規なフォトレジスト組成物を有することが望まれる。優良な溶解速度およびフォトスピード特性を示す新規なフォトレジストを有することが、特に望まれる。
【解決手段】放射線感受性成分および少なくとも２種の異なるノボラック樹脂を含む、フォトレジスト組成物が提供される。一態様において、本発明のフォトレジストは、例えば水性現像溶液中で１秒あたり８００オングストロームを超えるなど、顕著に高い溶解速度を示す。別の態様において、本発明のフォトレジストは、例えば１００ｍＪ／ｃｍ^２以下などの、良好なフォトスピードを示すことができる。 （もっと読む）