【課題】金属線または間隔のクリティカルディメンションを実質上変化させることなく、所望量の金属を除去するエッチング工程が必要とされている。
【解決手段】エッチングレジストとエッチング後の金属残渣を単一工程で除去する、光学ディスプレーデバイスの製造方法が提供される。これらの方法はＬＣＤの製造に特に有用である。 （もっと読む）

【課題】ホルムアルデヒドを含有しない環境にやさしく、かつ、安定で均一な銅堆積物をもたらす無電解銅メッキ組成物および無電解銅メッキ方法の提供。
【解決手段】一以上の銅イオン源と、ヒダントインおよびヒダントイン誘導体から選択される一以上のキレート化剤２０〜１５０ｇ／Ｌと、還元剤として１０〜１００ｇ／Ｌのピルブアルデヒドとを含む無電解銅メッキ組成物、および、該組成物を用いる複数のスルーホールを含むプリント配線板の無電解銅メッキ方法。 （もっと読む）

【課題】有機金属化合物の提供。
【解決手段】イミノ錯体の形態の有機金属化合物が提供される。かかる錯体は蒸着前駆体としての使用に特に適している。かかる化合物を用い、例えばＡＬＤおよびＣＶＤなどによりの薄膜を堆積させる方法も提供される。 （もっと読む）

【課題】還元剤として有毒なホルムアルデヒドを含まず、環境にやさしくかつ均一な銅堆積物をもたらす無電解メッキ用銅組成物の提供。
【解決手段】一以上の銅イオン源と、ヒダントインおよびヒダントイン誘導体から選択される一以上のキレート化剤と、フルクトースおよびフルクトースエステルから選択される一以上の還元剤とを含む無電解銅メッキ組成物、および、該銅無電解メッキ組成物を用いる複数のスルーホールを含むプリント配線板の無電解銅メッキ方法。 （もっと読む）

【課題】有機金属化合物の提供。
【解決手段】ホスホアミジネートリガンドを含有する有機金属化合物が提供される。かかる化合物は蒸着前駆体としての使用に特に好適である。かかる化合物を用いた、ＡＬＤおよびＣＶＤなどによる薄膜を堆積させる方法も提供される。 （もっと読む）

【課題】有機金属化合物の提供。
【解決手段】電子供与基置換アルケニルリガンドを含有する有機金属化合物が提供される。かかる化合物は蒸着前駆体としての使用に特に好適である。かかる化合物を用い、例えばＡＬＤおよびＣＶＤなどにより薄膜を堆積させる方法も提供される。 （もっと読む）

【課題】ホルムアルデヒドを含んでおらず、且つ安定であり、許容可能な銅堆積物をもたらし、且つ環境にも優しい、無電解銅浴の提供する。
【解決手段】一以上の銅イオン源と、ヒダントインおよびヒダントイン誘導体から選択される一以上のキレート化剤と、一以上のレドックス対とを含む組成物で、そのヒダントイン誘導体は、１−メチルヒダントイン、１，３−ジメチルヒダントインおよび５，５−ジメチルヒダントインから選択される。 （もっと読む）

【課題】感光性デバイス上の電気的接触部をめっきする方法、太陽電池上の電気的接触部をめっきする方法を提供する。
【解決手段】太陽電池などの、半導体ウェーハ１０の裏面１１は例えば銀などで金属化し、前面１２はバスバー１４および電流収集線１５からなる金属パターンを銀含有伝導性ペースト上に堆積された銀の層から構成する。金属パターンは前面とオーム性接触をしている。ウェーハ前面は、例えば窒化ケイ素または他の誘電体材料をはじめとする反射防止コーティングでコーティングし、半導体ウェーハを入射光に付させながら、シアン化物非含有めっき浴を用いて、金属層、特に銀層が焼成伝導性ペースト上に堆積される。ウェーハ裏面は電源からめっきセルに電位を適用することによって、ウェーハ前面と裏面に同時に行われる。 （もっと読む）

【課題】コネクター表面の金皮膜としての特性を保持し、かつ、金めっき皮膜を所望の箇所に析出しつつ所望でない箇所には析出することを抑制する、硬質金めっき液およびめっき方法を提供する。
【解決手段】硬質金めっき液およびそのめっき方法であって、シアン化金、コバルト塩およびヘキサメチレンテトラミンを含む金めっき液を用いることにより、高い析出選択性を有する金めっき液を提供する。 （もっと読む）

【課題】光学アセンブリにおけるレンズ、光ファイバおよび密封蓋をはじめとする結合構成部品を、構成部品に対して汚染物質として作用しない一体に結合する方法、及び結合された構成部品を含む光学アセンブリを提供する。また光学アセンブリの製造を簡単にし費用を増加させない光学アセンブリを提供する。
【解決手段】マグネシウムを含む結合剤を用いて光ファイバ７やボールレンズ９及び密封蓋２３をシリコン基体３に化学的に結合する方法を提供する。 （もっと読む）