【課題】アセタール部分を含む（メタ）アクリラートモノマー、このモノマーから形成される単位を含むポリマー、およびこのポリマーを含むフォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】２個のアセタール環構造を有するアルコールから得られる(メタ)アクリル酸エステルモノマー。該モノマー、ポリマー、およびフォトレジスト組成物はフォトリソグラフィパターン形成に有用である。前記フォトレジスト組成物でコーティングされた基体、フォトリソグラフィパターンを形成する方法、および電子デバイスも提供する。この組成物、方法およびコーティングされた基体には、半導体デバイスの製造における特別な適用性が見いだした。 （もっと読む）

【課題】ボイドを形成せず、盛り上がりをはじめとするオーバープレーティングの減少を示し、種々のフィーチャーサイズの上の滑らかで平坦な堆積物を提供し、および種々の電解質濃度を使用する、半導体製造において使用するためのレベリング剤を提供する。
【解決手段】特定のアミン類とポリエポキシドと化合物の反応生成物を電解銅メッキ浴のレベリング剤として使用する。 （もっと読む）

【課題】電子デバイス製造における微細パターンの形成を可能にし、および最新技術に関連する１以上の上記課題を回避するかまたは顕著に改善する、改良されたポリマー、フォトレジスト組成物、およびネガティブトーン現像のためのフォトリソグラフィ方法の開発。
【解決手段】特定のアセタール部分を含む単位と、ラクトン部分を含む単位とを含むポリマー。このポリマーを含むフォトレジスト組成物、前記フォトレジスト組成物でコーティングされた基体、およびフォトリソグラフィパターンを形成する方法。このポリマー、組成物、方法およびコーティングされた基体には、半導体デバイスの製造における特別な適用性が見いだされる。 （もっと読む）

【課題】基体から上塗りフォトレジスト層に戻る露光放射線の反射を低減させる、および／または平滑化、共形もしくはビアフィル層として機能させる有機コーティング組成物の提供。
【解決手段】１以上のパラバン酸部分を含む成分を含む反射防止コーティング組成物。 （もっと読む）

【課題】電子デバイス製造におけるネガティブトーン現像プロセスを用いて微細パターンの形成を可能にするフォトグラフィ法を提供。
【解決手段】特定のアセタール部分を有する単位を含むポリマー、およびこのポリマーを含むフォトレジスト組成物、前記フォトレジスト組成物でコーティングされた基体、およびフォトリソグラフィパターンを形成する方法により、電子デバイスの製造においてフォトグラフィ処理における厚さ損失の低減、並びにパターン崩壊マージン、解像度およびフォトスピードの向上をもたらしうることが見いだされた。 （もっと読む）

【課題】非硬化性であり、信頼できるはんだ付け接続を容易にし、かつ従来のエポキシベースのアンダーフィル材料との適合性を促進するようにカスタマイズすることができるフラックス組成物を提供する。
【解決手段】非硬化性組成物である（Ｉ）で表されるアミンフラックス剤を含むアミンフラックス組成物とすることにより、アミンフラックス組成物は様々なアンダーフィル組成物との適合を容易にするように設計され、その結果、はんだ付けされた表面は好ましくは、仕上げの電気接合を形成するアンダーフィル組成物の適用前にクリーニングを必要としない。
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【課題】ブロブ欠陥のような欠陥が低減されたフォトレジストの提供。
【解決手段】塩基反応性基を有する１種以上の材料を含み、ドライリソグラフィに特に有用な新規フォトレジスト組成物が提供される。特に好ましいフォトレジストはレジストの塗膜層の現像後の欠陥を低減できる。塩基反応性基は、典型的なフォトレジスト現像条件、例えば、０．２６Ｎのテトラブチルアンモニウムヒドロキシド現像剤組成物でのシングルパドル現像下で典型的に反応性である。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストポリマーに重合可能な新規光酸発生剤化合物、およびこの重合性光酸発生剤を含むフォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）を有する化合物：


式中、Ｑはハロゲン化されているかもしくはハロゲン化されていないＣ_２−３０オレフィン含有基であり、Ａはフッ素置換Ｃ_１−３０アルキレン基、フッ素置換Ｃ_３−３０シクロアルキレン基、フッ素置換Ｃ_６−３０アリーレン基、もしくはフッ素置換Ｃ_７−３０アルキレン−アリーレン基であり、Ｚはスルホナート、スルホンアミドもしくはスルホンイミドを含むアニオン性基であり、並びにＧ^＋は特定のカチオンである。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯＮ、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ケイ酸ハフニウム、ケイ酸ジルコニウムおよび他の無機表面のような下地無機表面に対して良好な接着性を示しうるイオン注入リソグラフィ適用に特に有用な新規フォトレジストの提供。
【解決手段】１）樹脂、２）光活性成分、および３）多ケト成分を含む化学増幅ポジ型フォトレジスト組成物のレリーフ像を半導体基体上にコーティングした半導体基体を提供し、並びにイオンを前記基体に適用する。 （もっと読む）

【課題】短工程で重合性光酸発生モノマーを製造する方法の提供。
【解決手段】式（Ｉ）のスルトンを、重合性基を有する求核試薬と反応させて得たカチオン塩を第２のカチオンと交換する。


（式中、各Ｒは独立してＦ、Ｃ_１−１０アルキル、フッ素置換Ｃ_１−１０アルキル、Ｃ_１−１０シクロアルキル、もしくはフッ素置換Ｃ_１−１０シクロアルキルであって、ただしＲの少なくとも１つはＦであり；ｎは０〜１０の整数であり、並びにｍは１〜４＋２ｎの整数である。） （もっと読む）