説明

ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー.により出願された特許

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【課題】電子デバイス製造におけるネガティブトーン現像プロセスを用いて微細パターンの形成を可能にするフォトグラフィ法を提供。
【解決手段】特定のアセタール部分を有する単位を含むポリマー、およびこのポリマーを含むフォトレジスト組成物、前記フォトレジスト組成物でコーティングされた基体、およびフォトリソグラフィパターンを形成する方法により、電子デバイスの製造においてフォトグラフィ処理における厚さ損失の低減、並びにパターン崩壊マージン、解像度およびフォトスピードの向上をもたらしうることが見いだされた。 (もっと読む)


【課題】非硬化性であり、信頼できるはんだ付け接続を容易にし、かつ従来のエポキシベースのアンダーフィル材料との適合性を促進するようにカスタマイズすることができるフラックス組成物を提供する。
【解決手段】非硬化性組成物である(I)で表されるアミンフラックス剤を含むアミンフラックス組成物とすることにより、アミンフラックス組成物は様々なアンダーフィル組成物との適合を容易にするように設計され、その結果、はんだ付けされた表面は好ましくは、仕上げの電気接合を形成するアンダーフィル組成物の適用前にクリーニングを必要としない。
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【課題】ボイドを形成せず、盛り上がりをはじめとするオーバープレーティングの減少を示し、種々のフィーチャーサイズの上の滑らかで平坦な堆積物を提供し、および種々の電解質濃度を使用する、半導体製造において使用するためのレベリング剤を提供する。
【解決手段】特定のアミン類とポリエポキシドと化合物の反応生成物を電解銅メッキ浴のレベリング剤として使用する。 (もっと読む)



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【課題】SiON、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ケイ酸ハフニウム、ケイ酸ジルコニウムおよび他の無機表面のような下地無機表面に対して良好な接着性を示しうるイオン注入リソグラフィ適用に特に有用な新規フォトレジストの提供。
【解決手段】1)樹脂、2)光活性成分、および3)多ケト成分を含む化学増幅ポジ型フォトレジスト組成物のレリーフ像を半導体基体上にコーティングした半導体基体を提供し、並びにイオンを前記基体に適用する。 (もっと読む)



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【課題】フォトレジストポリマーに重合可能な新規光酸発生剤化合物、およびこの重合性光酸発生剤を含むフォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式(I)を有する化合物:


式中、Qはハロゲン化されているかもしくはハロゲン化されていないC2−30オレフィン含有基であり、Aはフッ素置換C1−30アルキレン基、フッ素置換C3−30シクロアルキレン基、フッ素置換C6−30アリーレン基、もしくはフッ素置換C7−30アルキレン−アリーレン基であり、Zはスルホナート、スルホンアミドもしくはスルホンイミドを含むアニオン性基であり、並びにGは特定のカチオンである。 (もっと読む)


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