【課題】半導体幕形成用インクの提供。
【解決手段】（ａ）セレン、（ｂ）ＲＺ−Ｚ’Ｒ’およびＲ^２−ＳＨから選択される式を有する有機カルコゲナイド（式中、ＺおよびＺ’は硫黄、セレンおよびテルルから独立して選択され、ＲはＨ、Ｃ_１−２０アルキル基、Ｃ_６−２０アリール基、Ｃ_１−２０ヒドロキシアルキル基、Ｃ_１−２０メルカプトアルキル基およびエーテル基から選択され、Ｒ’およびＲ^２はＣ_１−２０アルキル基、Ｃ_６−２０アリール基、Ｃ_１−２０ヒドロキシアルキル基、Ｃ_１−２０メルカプトアルキル基およびエーテル基から選択される）（ｃ）ＣｕＣｌ_２およびＣｕ_２Ｏの少なくとも１種を当初成分として含む第１ｂ族含有物質（ｄ）場合によって、二座チオール成分；アルミニウム、インジウム、ガリウムおよびこの組み合わせから選択される第３ａ族材料（ｄ）液体キャリア成分を含むカルコゲナイド含有半導体材料製造用のインク。 （もっと読む）

【課題】光起電力素子の製造において金属インクを用いて金属コンタクトを形成する方法を提供する。
【解決手段】金属インクは選択的にインクジェットおよびエアロゾル装置によって半導体コーティング上に選択的に堆積される。この複合体は金属インクがコーティングをバーンスルーして半導体との電気コンタクトを形成するのに選択的な温度に加熱される。次いで、光誘起もしくは光アシストめっきによって金属層が電気コンタクト上に堆積される。 （もっと読む）

【課題】光沢銀の高速堆積のための、シアン化物を含まない銀電気めっき液を提供する。
【解決手段】酸化銀及び１種以上の銀ヒダントイン錯体からなる銀イオン源などの銀イオン源、ヒダントイン、ヒダントイン誘導体、スクシンイミドおよびスクシンイミド誘導体から選択される１種以上の錯化剤、ジアルキルスルフィドおよびジアルキルジスルフィドから選択される１種以上の有機スルフィド、並びに１種以上のピリジルアクリル酸を含み、シアン化物を含まない溶液からなる銀の電気めっき液。 （もっと読む）

【課題】シート抵抗率の増大およびアルミニウム電極の腐蝕を抑制する剥離剤配合物を提供する。
【解決手段】ホットメルトエッチングレジストが、半導体ウェハ上の反射防止コーティングもしくは選択的エミッタに選択的に適用される。無機酸含有エッチング剤を用いて、反射防止コーティングおよび選択的エミッタの露出部分がエッチング除去されて、半導体基体を露出させる。このホットメルトエッチングレジストは次いで、半導体の電気的一体性を悪化させないアルカリ剥離剤を用いて半導体から剥離される。次いで、露出した半導体は金属化されて、電流トラックを形成する。 （もっと読む）

【課題】気相中で固体前駆体化合物を反応器に供給するための供給装置が提供される。
【解決手段】当該装置は、出口室と、固体前駆体化合物および固体前駆体化合物上に配置された充填材料の層を含む前駆体組成物を含む入口室とを含む、固体前駆体化合物用の気相供給装置である。かかる装置は、その上に充填材料の層を有する固体前駆体化合物の前駆体組成物を含む。ＣＶＤ反応器内への供給のために前駆体化合物によって飽和されたキャリアガスを移送するための方法も提供される。 （もっと読む）

【課題】表面極性をリソグラフィ的に変え、自己組織化層によるパターン形成方法の提供。
【解決手段】光酸発生剤を含む感光層の一部分を照射し、発生した酸を隣の下層１２０ａの部分に拡散させる工程。前記下層１２０ａは酸分解可能基、アタッチメント基および官能基を含む酸感受性コポリマーを含む。感光層は下層の表面上に配置されており、拡散させる工程は下層１２０ａおよび感光層を加熱することを含み、下層１２０ａ中の酸感受性コポリマーの酸感受性基は拡散した酸と反応して下層の表面に極性領域を形成し、前記極性領域はパターンの形状を有する。感光層は除去され、下層の表面上に自己組織化層１５０ｂを形成する工程。前記自己組織化層１５０ｂは極性領域に対する親和性を有するブロックと、極性領域に対する親和性が低いブロックとを有するブロックコポリマーを含む。第１もしくは第２のドメインのいずれかを除去し下層の部分を露出させる工程。 （もっと読む）

【課題】表面特性をリソグラフィ的に変え、その上の自己組織化層のパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸分解可能基、アタッチメント基、および官能基を含む酸感受性コポリマーと光酸発生剤とを含む下層２２０ａの部分を照射し、前記酸分解可能基は、下層の照射部分において光酸発生剤から生じた酸と反応して、下層２２０ａの表面に極性領域を形成する。前記極性領域はパターンの形状および寸法を有している。下層２２０ａの表面上に自己組織化層２５０ｂを形成する。前記自己組織化層２５０ｂはブロックコポリマーを含み、前記ブロックコポリマーは、極性領域に対して親和性を有し、極性領域に対して整列する第１のドメインを形成する第１のブロックと、前記第１のドメインの隣に整列する第２のドメインを形成する第２のブロックとを有している。次に第１のドメインもしくは第２のドメインのいずれかを除去して、下にある下層２２０ａの部分を露出させる。 （もっと読む）

【課題】サブクオーターミクロン（＜０．２５μｍ）寸法の高解像の像を提供できる新規のフォトレジスト組成物の提供。
【解決手段】光酸不安定基を有する樹脂；光酸発生剤化合物；およびフォトレジストコーティング層の未露光領域への望まれない光発生酸拡散を低減させる様に機能しうるマルチアミド成分；を含むフォトレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】ミラー光沢銀層をニッケルもしくはニッケル合金基体上に電気めっきするための、環境に優しい銀電気めっき方法を提供する。
【解決手段】ａ）１種以上の銀イオン源、１種以上のイミドもしくはイミド誘導体、および１種以上のアルカリ金属硝酸塩を含み、シアン化物を含まない溶液を提供し；ｂ）ニッケルを含む基体を前記溶液と接触させ；並びにｃ）ニッケルもしくはニッケル合金上に銀ストライク層を電気めっきする。 （もっと読む）

【課題】金属の無電解めっきの触媒として使用される、安定で、コスト効果的な金属ナノ粒子を提供する。
【解決手段】一般式：


（式中、Ｒ１は非置換（Ｃ１４〜Ｃ３０）アルキルであり、Ｒ２およびＲ３は同じかまたは異なっており、非置換（Ｃ１〜Ｃ６）アルキルである）を有するアミンオキシドで封入された金属ナノ粒子を含む組成物で、金属ナノ粒子が、銀、金、白金、インジウム、ルビジウム、ルテニウム、ロジウム、オスミウム、イリジウム、銅、コバルト、ニッケルおよび鉄から選択される。 （もっと読む）