【課題】読出し回路にビニングを組み込むことにより、多様なサブ解像プロセスを実行して、エイリアシングの影響を最小化することができる撮像回路を提供する。
【解決手段】センサ回路内の列回路からの画素信号をサンプリングおよび補間するビニング回路と、それに関連する方法である。該ビニング回路は異なるセンサ回路列ラインからのアナログ画素信号とリセット信号をサンプリングする。ビニング回路において所定数の列ラインがサンプリングされると、サンプリングした画素信号を一工程で共に平均化し、別工程でリセット信号を共に平均化する。 （もっと読む）

【課題】ＳＤＲＡＭと同じように動作する不揮発性メモリデバイスを提供する。
【解決手段】データバッファ３３０とメモリアレイ３１０の間には、データ通信接続端子３０６に供給されるデータをラッチするための書き込みラッチ３０４が接続される。シンクロナスメモリ３００における処理を実行する方法の１つは、データ接続端子３０６で書き込みデータを受け取るステップと、書き込みデータを書き込みラッチ３０４にラッチするステップと、書き込みデータをラッチした後、データ接続端子３０６を開放するステップとを含む。書き込みデータが書き込みラッチ３０４からメモリアレイ３１０のメモリセルに転送されている間にシンクロナスメモリ３００に対する読み出し処理を実行することができる。さらに、シンクロナスメモリ３００は、書き込み処理の間にクロックレイテンシを必要としない。 （もっと読む）

【課題】ライン型撮像素子におけるラインバッファ数を減少させる自動設計ツールを提供する。
【解決手段】階層構成をとるライン・バッファの最大段数をパラメータとして仮定する。この最大段数をもとに、平均分岐数、さらに、実際の段数を算定式で求めて段数の最適化を図る。こうして求めたバッファの構成は半導体撮像素子上に実装される。 （もっと読む）

【課題】優先使用を許容しない割り込みに対する応答時間を予測可能とする縮小命令セットパイプライン型マイクロプロセッサのベクトル割り込みシステムを提供する。
【解決手段】優先ベクトル割り込みユニット２８は、ベクトル割り込みマスクユニット４０、ベクトル割り込みサンプラーユニット４２、ベクトル割り込み優先フィルターユニット４４、ベクトル割り込みリセットユニット４６、ベクトル割り込みデコーダ４８、ベクトル割り込み制御ユニット５０及びスパーバイザーモード制御ユニット５２から構成されている。 （もっと読む）

電子容量を増大させるダブルピンフォトダイオードであるピンフォトダイオードとその形成方法を示す。本発明は基板ベースを備えるピンフォトダイオード構造を提供するものであり、基板ベースの上には半導体材料の第１の層が存在する。第１の伝導型のベース層が存在し、この第１の伝導型のベース層は基板ベースであるか、あるいは基板ベース上のドープ層である。前記第１の層の表面の下には第２の伝導型のドープ領域が少なくとも１つあり、ベース層と第１の接合を形成するように延在する。第２の伝導型の少なくとも１つの領域上には第１の伝導型のドープ表面層が存在し、これが第２の伝導型の前記少なくとも１つの領域と第２の接合を形成する。
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改善されたイメージャ画素構成は、画素回路を覆うが画素の導電相互接続層の下方に光シールドを有する。光シールドは、下の回路に対する接点のための開口を有する不透明（またはほぼ不透明）の材料の薄膜とすることができる。光シールド内の孔は、画素の光変換デバイスの活性領域を露出する。
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本発明は２端子の定電流素子を提供する方法及び装置、及び該定電流素子の動作に関連する。本発明は少なくとも約７００ｍＶの印加される電圧範囲にわたって定電流を維持する定電流素子を提供する。本発明は、正電位を印加して定電流値を低減させるか、又は、既存の定電流の電圧上限よりもより負の電圧を印加してその定電流レベルをその元の製造された値にリセットさせるか、又は、増大させるかのいずれかによって、定電流素子における定電流値を変化させかつリセットする方法も提供する。本発明は記憶素子を定電流素子に形成かつ変換する方法もさらに提供する。本発明は定電流素子をアナログ記憶素子として使用する方法も提供する。
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第１の伝導型の側壁・底部注入領域を第１の伝導型の基板内に配置するトレンチ分離を開示する。側壁・底部注入領域は、第１の伝導型のドーパントの傾斜注入により、又は９０度注入により、又は傾斜注入と９０度注入の組み合わせにより形成する。トレンチ分離領域に隣接して位置する側壁・底部注入領域は表面漏れと暗電流を減少させる。
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【課題】優先使用を許容しない割り込みに対する応答時間を予測可能とする縮小命令セットパイプライン型マイクロプロセッサのベクトル割り込みシステムを提供する。
【解決手段】優先ベクトル割り込みユニット２８は、ベクトル割り込みマスクユニット４０、ベクトル割り込みサンプラーユニット４２、ベクトル割り込み優先フィルターユニット４４、ベクトル割り込みリセットユニット４６、ベクトル割り込みデコーダ４８、ベクトル割り込み制御ユニット５０及びスパーバイザーモード制御ユニット５２から構成されている。 （もっと読む）

ＣＭＯＳイメージセンサは、様々な感光及び電気素子の少なくとも一方に接続された電荷蓄積コンデンサを有する。各画素に用いるコンデンサの容量は、検知すべき色に合わせて調整する。電荷蓄積コンデンサは、ＣＭＯＳイメージャのフィールド酸化領域の上に全面的に重ねて形成してもよく、画素センサセルの能動エリアの上に全面的に重ねて形成してもよく、あるいはフィールド酸化領域の上に部分的に重ね且つ画素センサセルの能動画素エリアの上に部分的に重ねて形成してもよい。
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