【課題】同一のレジストパターンにより、ドライエッチングおよびウエットエッチングを連続的に行なう際に、変質したレジスト表面層を剥がれなくするように改良された、半導体装置の製造方法を提供することを主要な目的とする。
【解決手段】半導体基板１の上に、絶縁膜２と導電層３を順次形成する。導電層３の上にレジストパターン４を形成する。レジストパターン４をマスクに用いて、導電層３をドライエッチングする。レジストパターン４の表層部を一部削る。レジストパターン４をマスクに用いて、絶縁膜２をウエットエッチングする。 （もっと読む）

【課題】回路のインダクタンスを低減し得るとともに、小型化及び軽量化が図られ、しかも耐振動性にも優れたパワーモジュールを得る。
【解決手段】パワー半導体素子５に外部から印加される直流電源電圧を平滑化するための箱形の平滑コンデンサ２０が、ケース枠６の上面の第２辺（即ち、Ｎ端子８Ｎ及びＰ端子８Ｐが並ぶ辺）を含むケース枠６の側面に接触して、かつ、ケース枠６の上面に対して平滑コンデンサ２０の上面の高さが揃えられた状態で配設されている。また、平滑コンデンサ２０のＮ電極２１Ｎ及びＰ電極２１Ｐは、平滑コンデンサ２０の上面上において、パワーモジュール本体部９９のＮ端子８Ｎ及びＰ端子８Ｐにそれぞれ近接する箇所に配設されている。 （もっと読む）

【課題】回路のインダクタンスを低減し得るとともに、小型化及び軽量化が図られ、しかも耐振動性にも優れたパワーモジュールを得る。
【解決手段】パワー半導体素子５に外部から印加される直流電源電圧を平滑化するための箱形の平滑コンデンサ２０が、ケース枠６の上面の第２辺（即ち、Ｎ端子８Ｎ及びＰ端子８Ｐが並ぶ辺）を含むケース枠６の側面に接触して、かつ、ケース枠６の上面に対して平滑コンデンサ２０の上面の高さが揃えられた状態で配設されている。また、平滑コンデンサ２０のＮ電極２１Ｎ及びＰ電極２１Ｐは、平滑コンデンサ２０の上面上において、パワーモジュール本体部９９のＮ端子８Ｎ及びＰ端子８Ｐにそれぞれ近接する箇所に配設されている。 （もっと読む）

【課題】 従来のＯＭＰＡＣ型ＢＧＡパッケージよりも更なる多ピン化、狭ピッチ化、電気特性の向上、放熱特性の向上、および実装性の向上を実現できるＢＧＡパッケ−ジを有する半導体装置を得る。
【解決手段】 ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）パッケ−ジの半導体装置において、基板の中央部に形成された凹部内に半導体チップが収納され、前記基板の半導体チップの上面側に複数のボール状外部電極が形成され、前記凹部は蓋で塞がれており、さらに前記基板には半導体チップの下面側にサーマルビアが形成されている。 （もっと読む）

【目的】 本発明は、基板上の汚染物を効率よく除去することができるように改良された装置を提供することを主要とする。
【構成】 当該装置は、液滴２１を基板１に向けて噴出する噴出ノズル１１を備える。噴出ノズル１１には、液体供給手段２３およびガス供給手段２２が接続される。噴出ノズル１１内には、噴出ノズル１１内に供給された液体と気体とを混合し、液体を液滴２１に変える混合手段が設けられている。 （もっと読む）