【課題】ＳｉＯ2膜形成の間にＯＨ結合の形成を妨げるか制限する４００℃またはそれ以下の温度で基板上にシリコン酸化物含有膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】ａ）ＰＥＣＶＤ反応チャンバ１１内に基板を収納すること、ｂ）少なくとも１つのシリコン含有化合物、ここで前記シリコン含有化合物はビス（ジエチルアミノ）シランである、を前記反応チャンバに注入すること、ｃ）オゾン、酸素および／または湿気（水分）からなる群から選ばれる少なくとも１つの酸素含有ガスを前記反応チャンバに注入すること、ｄ）前記基板上に堆積されるシリコン酸化物含有膜を得るために前記反応チャンバ内で少なくとも１つのシリコン含有化合物と少なくとも１つの酸素含有ガスを４００℃未満の温度で反応させること、ｅ）所期の膜厚が得られるまで工程ｂ）〜ｄ）を繰返すこと。 （もっと読む）

【課題】パイプライン・オプティマイザ・システムを提供することである。
【解決手段】
本発明の一実施形態は、遺伝的アルゴリズムを使用することによって、パイプライン動作の様々な様相を最適化する方法を提供する。概して、遺伝的アルゴリズムは、終了条件が満足されるまで、連続した世代にわたって実現可能なソリューションの集団を進化させるために使用される。各ソリューションは、パイプラインシステムの実現可能な動作状態を指定する。現存するソリューションは連続した世代にわたって修正され、集団内の識別されたソリューションは各々の連続世代で除去される。反復された世代にわたって、集団内のソリューションは改善される。一度、最適化生成ソリューションが生成されると、直接圧力最適化プロセスを使用して、最適化圧力ソリューションが生成されてもよい。 （もっと読む）

【課題】高圧窒素を製造するための方法および装置を提供する。
【解決手段】高圧蒸留カラム１０７と、中圧蒸留カラム１０６とを備え、露点まで冷却した空気を高圧カラムのベースに導入し、高圧カラムのベースから酸素富化液体を取り出し、該酸素富化液体を中圧カラムの中間位置に導入し、中圧蒸留カラムのベースから液体を取り出し低圧まで低下さた後中圧カラムの頂部凝縮器１０９に送るとともに、中圧カラムから取り出した蒸気流を圧縮して高圧蒸留カラムのベースに導入し、さらに中圧カラムの頂部から抜き出した液体を高圧にして、高圧蒸留カラムの頂部に注入して、高圧カラムの頂部から窒素を抜き出す。 （もっと読む）

【課題】極低温蒸留によって窒素を製造する方法を提供する。
【解決手段】一酸化炭素を含んだ空気を極低温蒸留塔５へと送り、窒素の流れＤを、固定値Ｓ１未満のＣＯ含有率で、前記蒸留塔の塔頂から取り出し、外部源７からもたらされる窒素に富んだ極低温液の流れを前記塔の塔頂へと送り、前記空気のＣＯ含有率が事前に既定した閾値（Ｓ０）を上回っていない場合、前記塔へと送る極低温液の流量を値Ｖ未満とし、前記空気のＣＯ含有率が事前に既定した前記閾値（Ｓ０）を上回っている場合、前記塔へと送る極低温液の流量を値Ｖよりも大きくする。 （もっと読む）

【課題】クリーニングガスに一酸化窒素ガスを添加して処理室内のドライクリーニングを行う際、その取り扱いを容易にし、制御性よくクリーニングの性能を向上させる。
【解決手段】基板を処理する処理容器２０１と、該処理容器内にフッ素原子を含むガスと一酸化窒素ガスとを事前に混合させて供給する第１のクリーニングガス供給系２３２ｈと、第１のクリーニングガス供給系とは別に設けられ、処理容器内にフッ素原子を含むガスを供給する第２のクリーニングガス供給系２３２ｅと、を有する基板処理装置として、前記第１のクリーニングガスと、前記第２のクリーニングガスと、を処理容器２０１内で混合してドライクリーニングを行う。 （もっと読む）