【課題】マグネシウムシリサイドとの相性が良好なドーパントを含有する新規な材料を提供する。
【解決手段】マグネシウムシリサイドにドープするドーパントとして、Ｃｏ、Ｎｂ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｔａ及びＺｎを用いる。本発明のマグネシウムシリサイドに含まれるドーパントの量は特に限定されないが、上記のドーパントの含有量は、原子量比で０．１０〜２．００ａｔ％であることが好ましい。また、本発明のマグネシウムシリサイドを焼結してなる焼結体は、熱電変換素子として好ましく用いることができる。 （もっと読む）

【課題】カーボンヒータや炉内カーボン部品の寿命を延長して設備費用を削減でき、高品質な結晶半導体を製出可能である結晶半導体の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】チャンバ内に配置された坩堝に貯留した半導体融液を、前記坩堝の底部から冷却して凝固させるとともに結晶半導体を成長させる結晶半導体の製造方法であって、前記チャンバ内の圧力を１０^−４Ｐａ以下に減圧し、該チャンバ内の水分を除去する水分除去工程Ｓ１０と、前記チャンバ内に不活性ガスを導入するガス導入工程Ｓ２０と、前記坩堝内に収容した半導体原料をヒータで加熱し溶解させて前記半導体融液とする溶解工程Ｓ３０と、前記坩堝を底部から冷却して、前記半導体融液を凝固させるとともに結晶半導体を成長させる成長工程Ｓ４０と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】切削加工を行なうことなくシリコン原料から筒状シリコン結晶体を製造することを可能とする、筒状シリコン結晶体製造方法とその製造方法で製造する筒状シリコン結晶体を提供する。
【解決手段】シリコンよりも熱膨張係数が小さく、融点が高い材質で形成された融液貯留容器と、シリコンよりも熱膨張係数が大きく、融点が高い材質で形成された中子を使用する。前記融液貯留容器の内面及び前記中子の外面に窒化珪素（Ｓｉ_３Ｎ_４）を塗布し、前記中子を前記融液貯留容器の内部に配置する。そして、前記融液貯留容器の内面と前記中子の外面とで形成された空隙にシリコン融液を充填し、前記シリコン融液の溌液性を維持しながら、前記融液貯留容器の底面側から上側へ温度勾配を設け、前記シリコン融液を固化させる。 （もっと読む）

【課題】シリコン結晶のドーパントによる抵抗調整精度を向上し、結晶歩留向上と原材料費コストダウンとを実現することができるシリコン結晶成長用ルツボとその製造方法、及びシリコン結晶成長方法を提供する。
【解決手段】シリコン結晶成長用ルツボＣは、貯留するシリコン融液との接触面にシリコン含浸ＳｉＣ層Ｃ１、溌液層Ｃ２、石英ガラス層Ｃ３、カーボン層Ｃ４から構成され、シリコン含浸ＳｉＣ層Ｃ１の製造方法は、原料ＳｉＣ粉末を、シリコン融液を貯留する空間を有する形状に成形するＳｉＣ粉末成形工程と、成形されたＳｉＣ粉末成形体を焼成し多孔質ＳｉＣ層を形成する焼成工程と、多孔質ＳｉＣ層に溶融したシリコンを含浸させ、シリコン含浸ＳｉＣ層を形成するシリコン含浸工程とを有する。前記シリコン含浸工程は、シリコン結晶引き上げ前のシリコン原料を加熱溶融する時に行っても良い。 （もっと読む）

【課題】カーボンヒータの寿命を延長して設備費用を削減でき、高品質な単結晶半導体を製出可能である単結晶半導体の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】チャンバ内に配置された坩堝に貯留した半導体融液にシードを浸漬し、前記シードを引き上げて単結晶半導体を成長させる単結晶半導体の製造方法であって、前記チャンバ内の圧力を１０^−４Ｐａ以下に減圧し、該チャンバ内の水分を除去する水分除去工程Ｓ１０と、前記チャンバ内に不活性ガスを導入するガス導入工程Ｓ２０と、前記坩堝内に収容した半導体原料をカーボンヒータで加熱し溶解させて前記半導体融液とする溶解工程Ｓ３０と、前記半導体融液に浸漬したシードを引き上げ、単結晶半導体を成長させる成長工程Ｓ４０と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ、Ｍｇ、及びＳｉからなる合金を含み、熱電変換モジュールの材料として好適に使用可能なアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料であって、優れた熱電変換特性を有するアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料を提供する。
【解決手段】本発明に係るアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料は、Ａｌ、Ｍｇ、及びＳｉからなる合金を含み、３００Ｋにおける電気伝導率σが１０００〜３０００Ｓ／ｃｍである。このアルミニウム・マグネシウム・ケイ素複合材料は熱電変換特性に優れているため、熱電変換素子を製造する際に好適である。 （もっと読む）

【課題】優れた熱電変換性能を有するマグネシウム−ケイ素複合材料を提供する。
【解決手段】実質的にドーパントを含まない場合、マグネシウム−ケイ素複合材料は、Ｍｇの含有量が原子量比で６６．１７〜６６．７７ａｔ％であり、Ｓｉの含有量が原子量比で３３．２３〜３３．８３ａｔ％である組成原料を、開口部とこの開口部を覆う蓋部とを有し、上記開口部の辺縁における上記蓋部への接触面と、上記蓋部における上記開口部への接触面とが共に研磨処理された耐熱容器中で加熱溶融する工程を有する製造方法により製造される。一方、ドーパントを含む場合、マグネシウム−ケイ素複合材料は、Ｍｇの含有量とＳｉの含有量との比が原子量比で６６．１７：３３．８３〜６６．７７：３３．２３であり、ドーパントの含有量が原子量比で０．１０〜２．０ａｔ％である組成原料により製造される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、高品質の結晶成長を高い歩留で成長させ、結晶歩留の改善を図る結晶成長装置または結晶成長方法に関する。
【解決手段】 本発明は、結晶成長を行なう上で、結晶品質の低下や結晶の乱れなどの悪影響を及ぼす混入水分や、混入空気などの活性ガス成分や、生成される炭素化合物ガスの真空排気を促進するため、炉壁材の昇温、供給ガスの昇温、吸着ガスの除去を行なう微量ガスの添加と昇温シーケンスにより炉内吸着ガスや混入ガスの排気を効率よく行なえる結晶成長装置及び結晶成長方法に関する。 （もっと読む）

【課題】 太陽電池用のシリコンリボンを得る工程で材料損失を低減する。
【解決手段】 円形シリコンインゴット１を角形に切削加工することで、表面の面方位が（110）面であり、かつ厚さが１〜５mmの角形肉厚シリコンウエハー７を製造する。角形肉厚シリコンウエハー７の表面に櫛状のレジストパターン71及び72を形成する。その表面に垂直な方向に異方性エッチングを行うことで、表面の面方位が（110）面であり、かつ厚さが１〜５mmの櫛状シリコン基板73及び74を製造する。櫛状シリコン基板73及び74の櫛歯73b及び74bからなる単結晶シリコンリボンをセル化して太陽電池を製造する。 （もっと読む）

【課題】 シリコン製の機械的手段を用いずに複数のシリコン結晶を所要の耐熱性及び強度で固定できるようにする。
【解決手段】 Ａに示すように、棒状シリコン結晶１に窪み１ａを設け、棒状シリコン結晶２に突起２ａを設ける。突起２ａの先端に窪み２ｂを設ける。Ｂに示すように窪み２ｂの内部に接合材３を入れた後に、Ｃに示すように棒状シリコン結晶１及び２を嵌め合わせる。この状態を保ったままで電気炉に入れ、接合材３に適した温度と雰囲気にする。所定の条件に達すると接合材３が融け、Ｄに示すように接合面の隙間４に浸入する。冷却することで棒状シリコン結晶１と２とは強固に接合される。 （もっと読む）