説明

アイメックにより出願された特許

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【課題】MEMSデバイス中に、シリコンゲルマニウム層と、CMOS金属層や他のシリコンゲルマニウム層のようなこのシリコンゲルマニウム層に接続する層との間に、双方の層を分離する誘電体層スタック中の開口部を通る低抵抗コンタクトを形成する方法を提案する。
【解決手段】誘電体層6の開口部中に中間層である界面層14を形成し、これによってこの開口部の底部と開口部の側壁を覆う。この中間層はシリコンゲルマニウムMEMS電極8と、MEMS成分を含むシリコンゲルマニウム構造層4との界面となる。中間層、すなわち界面層14は、TiN層またはTaN層より成る。 (もっと読む)


【課題】パッシベーション層を備え、改善した性能を持つデバイスを実現できるIII−V族加工基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】III−V族加工基板の製造方法は、<110>または<111>の結晶方位を持つ第1のIII−V化合物からなる上側層(2)を備えたベース基板(I)を用意すること、第2のIII−V化合物からなるバッファ層(3)を少なくとも形成することを含んだ、中間層(II)を形成することであって、中間層(II)は、ベース基板の上側層(2)の上に位置し、これと接触するようにすること、IV族半導体材料からなる擬似格子整合パッシベーション層(4)を成長させることであって、擬似格子整合パッシベーション層は、中間層(II)の上に位置し、これと接触するようにすることを含む。 (もっと読む)


本発明は、入力信号を所定の複数の閾値のうちの少なくとも異なる2つと比較するための調整可能な上記複数の閾値を有する複数の比較手段と、複数の増幅回路とを備えたアナログ入力信号をデジタル信号に変換するためのパイプライン型アナログからデジタルへの変換器(ADC)であって、上記複数の比較手段は階層的ツリー構造を形成するように設けられ、上記階層的ツリー構造は複数の階層的レベルを有し、上記階層的レベルのうちの少なくとも1つが上記複数の増幅回路のうちの少なくとも1つの増幅回路と関連し、上記少なくとも1つの増幅回路は次の階層的レベルにおいて少なくとも1つの比較手段の入力を生成し、上記複数の階層的レベルは先行する階層的レベルの非線形歪みが除去されるように、前の階層的レベルの出力に従って上記調整可能な閾値を設定するための手段を備えたパイプライン型ADCに関する。
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面外可変オーバーラップ式MEMSキャパシタを製造する方法は、互いの上部に積層した、第1層(41)、第2層(42)および第3層(43)を備えた基板(40)を用意することと、単一のエッチングマスク(50)を用いて、第3層(43)を通り、第2層(42)を通り、第1層(41)に至る複数の第1溝(70)をエッチングすることとを含む。複数の第1溝(70)をエッチングすることは、第3層(43)にある複数の第1フィンガー(51)および第1層(41)にある複数の第2フィンガー(52)を規定する。単一のマスクを使用することによって、プロセスは自己整合される。該方法は、複数の第1溝(70)が設けられた第1領域において、第2層(42)を除去することをさらに含み、これにより複数の第1フィンガー(51)と複数の第2フィンガー(52)との間にスペースまたはギャップを形成する。
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【課題】低電力で動作可能な抵抗スイッチングメモリセルの製造方法およびそのメモリセルを提供する。
【解決手段】抵抗スイッチング不揮発性メモリ素子1は、上部電極4と下部電極2の間に挟まれて接触し、実質的に等方性で半化学量論的な金属と酸素の比を有する抵抗スイッチング金属酸化物層3を含む。特定の具体例では、メモリ素子は、ニッケル上部電極とニッケル下部電極との間に挟まれて接触するニッケル酸化物抵抗スイッチング層を含み、ニッケル酸化層の酸素とニッケルの比は0と0.85との間である。 (もっと読む)


例えば生物医学用のデバイスのパッケージ方法を説明している。該方法は、基板上でコンポーネントを得ることと、基板の第1部分上に少なくとも1つの傾斜側壁を誘導する少なくとも1つの物理的プロセスを使用して、コンポーネント及び基板の第1部分を、基板の第2部分から分離することとを含む。方法はまた、チップのために封入部を設けることを含む。好都合なことに、生じるパッケージチップは、優れた密封性を生じる優れたステップカバレッジ、埋込み後の損傷又は感染のリスクを減らす鋭くないエッジを有し、また、従来のビッグボックスパッケージ技術と比較して、比較的小さいパッケージ体積を有する。 (もっと読む)


予め決定された周波数帯域において複数の信号のビームを受信するように設けられた位相アレイ無線装置を備えたEHF無線通信受信機に関する。位相アレイ無線装置は、それぞれが複数の着信信号の1つを処理して差動I/Q出力信号を形成するために設けられた複数のアンテナパスを備え、各アンテナパスは低域周波数変換部及び制御可能な位相シフトを印加するための位相シフティング部を備え、信号合成回路はアンテナパスと接続されて差動I/Q信号を合成するように設けられる。制御回路は、アンテナパスの位相シフティング部に接続されて制御可能な位相シフトを制御するように設けられる。各アンテナパスにおいて、位相シフティング部は低域周波数変換部からのベースバンド部ダウンストリームであり、制御可能な利得をI/Qブランチにおいてそれぞれに低域周波数変換された着信信号に適用するために設けられた可変利得増幅器のセットを備える。
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【課題】半導体基板のリンス処理時に、希土類酸化物およびアルカリ土類酸化物のうちの少なくとも一種を含む酸化膜の膜減りを抑制する。
【解決手段】半導体基板(W)上には、希土類酸化物およびアルカリ土類酸化物のうちの少なくとも一種を含む酸化膜が形成されている。半導体基板(W)に対するリンス処理において、アルカリ性薬液または有機溶剤からなるリンス液が用いられる。 (もっと読む)


有機誘電体材料(110)中に埋め込まれた第2構造(91)への金属相互接続(181)を提供する方法であって、有機誘電体材料(110)中に埋め込まれた、例えば金属ピラー(91)のような第2構造を有する第1構造を得る工程と、少なくとも第1構造のいくつかの位置で、有機誘電体材料(110)の上に硬い層(130)を提供する工程であって、硬い層(130)は有機誘電体材料(110)の剛性より高い剛性を有する工程とを含む方法。この方法は、第1構造(91)と有機誘電体材料(110)との間の界面でクラックの無い相互接続構造を提供する。
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インライン堆積システムにおいて有機材料層を基板上に形成する方法であって、有機材料は、所定の一定でない堆積レートプロファイルで堆積される。該プロファイルは、所定の第1平均堆積レートで有機材料層の少なくとも第1単分子層を堆積するために用意した所定の第1堆積レート範囲と、所定の第2平均堆積レートで有機材料層の少なくとも第2単分子層を堆積するために用意した所定の第2堆積レート範囲とを含む。インジェクタの開口を経由した有機材料の注入は、所定の堆積レートプロファイルを実現するために制御される。
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