【課題】寄生容量に悪影響を与えることなく、より低いクランプ電圧が達成できるＥＳＤ保護回路を提供する。
【解決手段】ＥＳＤ保護回路は、第１および第２端子（Ｔ１，Ｔ２）の間にある主要なＥＳＤ電流伝導経路において、複数のバイポーラトランジスタ、即ち、複数のＥＳＤ電流伝導トランジスタ（ｑ１，ｑ２，ｑ４）を備え、ＥＳＤ電流伝導トランジスタの少なくとも１つ（ｑ１）と並列に接続され、ＥＳＤイベントの発生時に、ＥＳＤ電流伝導トランジスタの１つ又はそれ以上（ｑ２）に駆動電流（Ｉｂ２）を伝導するために設けられた少なくとも１つの駆動トランジスタ（ｑ３）をさらに備える。 （もっと読む）

【課題】真空の空洞内にＭＥＭＳ構造体が封止されたＭＥＭＳ素子において、封止の気密性が長期間安定に保持されるようにする。
【解決手段】ＭＥＭＳ構造体２０１が、基板３０１および積層構造体１２０により、空洞１１０内に気密封止されているＭＥＭＳ素子５００において、積層構造体１２０を構成する、２つの層の間に界面封止層１０１、１０２、１０３を設けて、気体が基板３０１の表面と平行な方向において、２つの層の界面を通過して空洞１１０内に侵入することを抑制する。 （もっと読む）

【課題】電力消費が低下したマイクロマシニングによるジャイロスコープを提供する
【解決手段】基板と、第１方向ｘ又はｙに沿って振動するように構成された３つの質量体ｍ１、ｍ２及びｍ３とを備え、第１質量体ｍ１は基板に機械的に連結され、第２質量体ｍ２は、第１質量体ｍ１及び基板に機械的に連結され、第３質量体ｍ３は、第２質量体ｍ２に機械的に連結され、各質量体ｍ１、ｍ２及びｍ３の重さ及びばね定数ｋ１，ｋ２、並びに、機械的連結ｋ１２，ｋ２３が、動作中に質量体ｍ１及び質量体ｍ３の共振周波数を充分に上回る周波数で質量体ｍ２が振動するように選択される。質量体ｍ２の共振周波数は、質量体ｍ１又はｍ３の共振周波数より、少なくとも２倍、更には２．５倍大きくてもよい。 （もっと読む）

【課題】着信する無線送信に応答したスペクトル環境の認識及び段階的なシステム復帰（ウェイクアップ）を可能にする、スケーラブルでエネルギー効率のよいディジタル受信機構造物を提供する。
【解決手段】パケットデータを受信する手段９０と、第１のプログラミング可能なプロセッサ１５を備えたパケット検出のための第１の処理モジュール１０と、第２のプログラミング可能なプロセッサ５５を備えた復調及びパケット復号化のための第２の処理モジュール５０と、上記第１の処理モジュール１０によりデータの検出について通知を受けかつ上記第２の処理モジュール５０を起動するように構成された第３のプロセッサを備えた第１のディジタル受信コントローラ３０とを備えた。 （もっと読む）

【課題】高精度で低電力のアナログ−デジタル変換器回路を提供する。
【解決手段】アナログ−デジタル変換器回路は、アナログ入力信号１を受信し、変換ビットの第１のセット３と第１の完了信号７とアナログ入力信号及び変換ビットの第１のセットにより表された信号の間の差を表す残差アナログ出力信号４とを発生する第１の変換器ステージ２と、第１の完了信号を受信しクロック信号を発生するクロック発生回路８と、各々が残差アナログ出力信号及び共通参照電圧を受信するよう構成されクロック信号により動作されて複数の比較器決定を出力する複数の比較器と、複数の比較器決定を受信し変換ビットの第２のセットを発生するデジタル処理ステージとを備える第２の変換器ステージ９と、変換ビットの第１及び第２のセットを組み合わせることにより、アナログ入力信号のデジタル表現を発生する手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】ソース領域、ドレイン領域、ソース領域とソース−チャネル界面およびドレイン領域とドレイン−チャネル界面を形成するチャネル領域、を有するトンネル電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】ソース領域は、第１ソースサブ領域２０と、ソース−チャネル界面２０１に近接する第２ソースサブ領域２５とを含み、第１ソースサブ領域と第２ソースサブ領域との間の界面が規定される。第２ピーク濃度は、第１ソースサブ領域と第２ソースサブ領域との界面に近接する位置での第１ドーピングプロファイルの最大レベルより充分高い。チャネル領域２１及びドレイン領域２２がゲート電極２４によって覆われないように、ソース領域の一部を長手方向Ｌに覆うようにした電極２４と、ゲート電極とソース領域との間の長手方向Ｌに沿ったゲート誘電体２９と備える。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ−ＣＭＯＳプロセス時術とコンパチブルなＨＥＭＴ装置の製造法を提供する。
【解決手段】基板１０１を提供するステップと、III族窒化物層のスタックを基板上に形成するステップと、窒化シリコンからなり、スタックの上方層に対して上に位置すると共に当接する第１パッシベーション層３０１を形成し、第１パッシベーション層が、現場でスタックに堆積されるステップと、第１パッシベーション層に対して上に位置すると共に当接する誘電体層を形成するステップと、窒化シリコンからなり、誘電体層に対して上に位置すると共に当接する第２パッシベーション層３０３を形成し、第２パッシベーション層が、ＬＰＣＶＤ、ＭＯＣＶＤ又は同等の手法によって４５０℃より高い温度で堆積されるステップと、ソースドレイン・オーミック接触とゲート電極６０１を形成するステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】高耐圧なＩＩＩ−窒化物デバイスを提供する。
【解決手段】半導体基板１、基板１上の活性層のスタックであって、それぞれの層はＩＩＩ−窒化物材料を含むスタック２−５、スタック２−５上のゲート８、ソース９およびドレインコンタクト１０、および基板１の裏側（活性層のスタックに接する側に対向する側）から基板１に接する活性層のスタックの下層まで基板中を延びるトレンチであって、トレンチはドレイン領域を完全に囲み、ドレインに向かうゲート領域の端と、ゲートに向かうドレイン領域の端との間に配置され、基板のドレイン領域は本質的に半導体材料から形成されるような幅を有するトレンチを含むＩＩＩ−窒化物デバイス。 （もっと読む）

【課題】低減した周波数ドリフトを達成することができる、実質的に安定した周波数で出力信号を発生するためのＭＥＭＳにシステムを提供する。
【解決手段】所定周波数は、温度依存性及び少なくとも一つの所定の特性に基づく。さらに、所定周波数で発振するためにＭＥＭＳ発振器を励振するよう構成された励振機構、及び、抵抗感知を用いてＭＥＭＳ発振器の温度を検出し、周波数ドリフトを最小限にするために温度依存性及び少なくとも一つの特性に基づいて、ＭＥＭＳ発振器の温度が所定温度の所定範囲内にあるか否かを決定し、ＭＥＭＳ発振器の温度を所定範囲内に留めるように適合させるように構成された温度制御ループを含む。さらに、ＭＥＭＳ発振器の所定周波数を出力するように構成された周波数出力を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉベースのフォトニクスプラットフォーム上で、フォトニックデバイス、Ｇｅ導波路一体型光検出器、およびハイブリッドＩＩＩ−Ｖ／Ｓｉレーザの共集積化のための方法を提供する。
【解決手段】パターン化したＳｉ導波路構造を含むＳｉデバイスを備えたＳｉベースのフォトニクス基板を用意する工程、誘電体層、例えば、ＳｉＯ_２層を、平坦化したＳｉベースのフォトニクス基板の上部に堆積する工程、適切なエッチング深さで溝を誘電体層にエッチング形成して、フォトニクス基板のパターン化したＳｉ導波路構造を露出させる工程、露出した導波路を選択エッチングして、Ｇｅ成長用のテンプレートを作成し、薄いＳｉ層をＧｅ成長用のシード層として残す工程、意図的なＧｅ過成長を伴って、シード層からＧｅを選択成長させる工程、Ｇｅ表面を平坦化し、１００ｎｍ〜５００ｎｍの減少した厚さを持つＧｅ層を残す工程を含む。 （もっと読む）