【課題】低減した周波数ドリフトを達成することができる、実質的に安定した周波数で出力信号を発生するためのＭＥＭＳにシステムを提供する。
【解決手段】所定周波数は、温度依存性及び少なくとも一つの所定の特性に基づく。さらに、所定周波数で発振するためにＭＥＭＳ発振器を励振するよう構成された励振機構、及び、抵抗感知を用いてＭＥＭＳ発振器の温度を検出し、周波数ドリフトを最小限にするために温度依存性及び少なくとも一つの特性に基づいて、ＭＥＭＳ発振器の温度が所定温度の所定範囲内にあるか否かを決定し、ＭＥＭＳ発振器の温度を所定範囲内に留めるように適合させるように構成された温度制御ループを含む。さらに、ＭＥＭＳ発振器の所定周波数を出力するように構成された周波数出力を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】シリコン表面に、Ａｌ２Ｏ３層を備えて表面パッシベーション層を形成するに際し、表面パッシベーション層は、パッシベーション層の良好な表面パッシベーション品質が維持されると共に、ブリスター形成が、高温でも回避される方法を提供する。
【解決手段】結晶シリコン基板の表面に表面パッシベーション層を形成する方法であって、この方法が、前記表面上に、１５ｎｍ以下の厚さを有するＡｌ_２Ｏ_３層を堆積するステップと、前記表面上への前記Ａｌ_２Ｏ_３層の堆積の後、５００℃と９００℃の間の範囲の温度でガス発生プロセスを行うステップと、ガス発生プロセスの後、前記Ａｌ_２Ｏ_３層上に、窒化シリコン層及び／又は酸化シリコン層等の少なくとも１個の追加誘電体層を堆積するステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】第１および第２のチャネル材料をそれぞれ有する第１ＭＯＳＦＥＴと第２ＭＯＳＦＥＴを含むハイブリッドＭＯＳＦＥＴデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖオン絶縁体スタックは、続いて第１基板に接続される第２基板の上に形成される。ＩＩＩ−Ｖ層１０３および絶縁体層は第１領域から選択的に除去されて、これにより第１基板の半導体層が露出する。第１ＭＯＳＦＥＴの第１ゲートスタック１０９は第１領域の露出した半導体層上に形成される。第２ＭＯＳＦＥＴの第２ゲートスタック１０９’は第２領域のＩＩＩ−Ｖ層の上に形成される。 （もっと読む）

【課題】表面増強ラマン散乱（ＳＥＲＳ）セットアップと結びついた（一体型の）表面プラズモンポラリトン、及びそこでの導波路一体型共振器に使用可能である共振器構造を提供する。
【解決手段】共振器構造１００は、２つの金属層１１０，１３０と、該２つの金属層１１０，１３０の間に挟持された絶縁層１２０とを有する金属−絶縁体−金属導波路を備える。共振器構造１００はまた、絶縁層１２０内の少なくとも一部に配置され且つ絶縁層１２０内に共振キャビティの少なくとも１つのミラーを形成する、少なくとも１つのナノスケール金属反射体１６０ａ,１６０ｂを備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマ反応器のチャンバ内におけるプラズマパラメータデータを測定する装置及び方法を提供する。
【解決手段】プラズマと接触する単一の平面ラングミュアプローブの表面でプラズマパラメータデータを測定すするために、プラズマと接触する単一の平面ラングミュアプローブ１の表面でバイアスコンデンサ２が単一の平面ラングミュアプローブ１とＤＣバイアス電源３との間で接続されている。続いて、ＤＣバイアスが測定される結果として、バイアスコンデンサ２の放電電流が測定され、放電の間に単一のプローブでのプローブ電位が測定され、プローブ表面上の誘電体膜の存在及び／又は厚さを検出する。 （もっと読む）

【課題】容器中の液体を通る音波の行動により基板を洗浄し、容器中で実質的に音波の反射が発生しない方法に関する。洗浄効率に関して大きな改良を得る。
【解決手段】基板は、洗浄液を含むタンク中に、液体中で形成された音波に対して所定の角度で配置される。この角度は、伝達角度に対応し、即ち、基板表面から波が反射されない角度に対応する。減衰材料はタンク中に配置され、基板を通って伝達される全ての波を実質的に吸収するように配置される。 （もっと読む）

【課題】キャビティ、好ましくはＭＥＭＳ又はＮＥＭＳデバイスが位置するキャビティを簡単な工程で封止するための方法を提供する。
【解決手段】薄膜層を犠牲層２上に堆積し、その後放出孔を薄膜層内でエッチングし放出工程を実施する。その際、少なくとも犠牲層の一部を放出孔を通じて除去し、キャビティを形成する。前記放出工程の前に狭窄層を放出孔の側壁に形成する。狭窄層を封止層５とする場合は封止層のリフローにより放出孔を閉鎖し、狭窄層が封止層でない場合には薄膜層上部に封止層を堆積し、直接封止層をリフローすることで放出孔を閉鎖する。 （もっと読む）

【課題】光照射に適合した、少なくとも１つの電位障壁、又は表面障壁を持つ半導体デバイスの製造または処理に関し、高い絶縁破壊電圧と、大電流で低いキヤリア密度を有するデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ａ）基板１を用意するステップと、ｂ）第１エピタキシャル半導体層３を基板１の上に設けるステップと、ｃ）１次元または２次元の繰り返しパターンを形成するステップと、を含み、パターンの各部分が、０．１〜５０の範囲のアスペクト比を有するようにした方法を開示する。対応する半導体デバイス、電子回路および装置も開示している。 （もっと読む）

【課題】有機太陽電池に使用するのに十分な導電性を有し、ポスト処理を必要としない、溶液生まれのＥＴＬ層に適した、チタン酸化物ゾルゲル層を形成するための、前駆体溶液形成方法を提供する。
【解決手段】以下の工程：ａ）酸を水と混ぜて、第１混合物を得る工程、ｂ）第１混合物を水混和性アルコールと混ぜて、第２混合物を得る工程、ｃ）一般式Ｎ（Ｒ^１）（Ｒ^２）（Ｒ^３）の化合物を第２混合物と混ぜて、第３混合物を得る工程、ｄ）例えば１０分から１５分のような、第３混合物が室温になるために十分な時間待つ工程、ｅ）チタン酸化物前駆体を第３混合物に加えて、溶液を得る工程、を含むチタン酸化物ゾルゲル層を形成するための前駆体溶液形成方法。 （もっと読む）

【課題】製造コスト下げると同時に良好なエネルギー変換効率を維持することにより、ワットピーク当たりのコストを削減した結晶シリコン太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】結晶シリコン太陽電池の製造方法であって、第１ドーパント型の結晶シリコン基板を提供する工程と、注入工程を行い、これにより、結晶シリコン基板の表側に、第１型とは反対の第２型のドーパントを導入する工程と、注入工程後に、基板の表面上に水素含有層を堆積する工程と、水素含有層の堆積後に、熱処理を行い、これにより第２型のドーパントを電気的に活性化する工程とを含む。 （もっと読む）