説明

アイメックにより出願された特許

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磁気素子の磁化を超高速で制御するための装置とその方法であって、装置(100)は表面弾性波発生手段(102)と、典型的には機能的及び部分的に構造的に前記SAW発生手段(102)内に設けられたトランスポートレイヤー(104)と、少なくとも1つの強磁性素子(106)とを備える。表面弾性波は発生された後、典型的には圧電材料より成るトランスポートレイヤー(104)内を伝播する。これにより、歪みがトランスポートレイヤー(104)及びトランスポートレイヤー(104)と接触した強磁性素子(106)内に発生する。この歪みは磁気弾性結合により強磁性素子(106)内に有効磁界を発生する。表面弾性波が強磁性共振(FMR)周波数に実質近い周波数を有する場合は、強磁性素子(106)は充分に吸収され、素子の磁化状態はFMR周波数で制御される。装置はRF磁気共振器、センサ、カメラ等に使用される。対応する方法は磁気要素及び磁気論理素子における超高速の読み出し及び切り換えに利用される。

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本発明は、半導体基板を含み、その上部に少なくとも薄層歪緩和バッファを有し、本質的に3層のスタックから成っている半導体装置に関するものであり、その薄層歪緩和バッファは半導体装置のアクティブ部分でなく、さらに、薄層歪緩和バッファを形成する前記3層が本質的に一定のGe濃度を有することを特徴としている。前記3層は以下の通りである:Si1−xGeの第1エピタキシャル層、xはGe濃度である;前記第1エピタキシャル層上の、Si1−xGe:Cの第2エピタキシャル層、Cの量は少なくとも0.3%である;前記第2層上のSi1−xGeの第3エピタキシャル層。

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