【課題】電圧制御されたプログラム可能な抵抗層を有する抵抗メモリ素子とプログラミング方法を提供する。
【解決手段】参照面に平行な面に横たわり、参照面上の垂直な投影で上部電極投影を有する上部電極素子１２と、参照面に平行な面に横たわり、参照面上の垂直な投影で下部電極投影を有する下部電極素子１４と、上部電極素子１２と下部電極素子１４との間に挿入された可変性の抵抗率を有する活性層１６を含む抵抗メモリ素子１０において、上部電極投影と下部電極投影との間にオーバーラップ領域Ｌ３があり、オーバーラップ領域Ｌ３は少なくとも上部電極投影のコーナーおよび／または少なくとも下部電極投影のコーナーを含み、オーバーラップ領域Ｌ３の面積は、参照面上の、上部電極素子１２と下部電極素子１４の全投影面積の１０％以下を構成する。 （もっと読む）

【課題】ＮＡＮＤフラッシュメモリデバイスを電気的、物理的に小型化し、良好なデータ保持と電気的特性を備えたフローティングゲートデバイスを提供する。
【解決手段】フローティングゲートメモリデバイスの製造方法に関し、ベース基板１００、埋め込み絶縁層、および単結晶半導体上部層から形成される、半導体−オン−絶縁体基板が提供される。トレンチが基板中に形成され、フローティングゲートとして働く単結晶上部部分を有する高層フィン型構造１１１−１１４を形成する。埋め込み絶縁層の一部は、フローティングゲートデバイスのトンネル酸化物層１０１’として働く。ゲート誘電体層１６０は、熱酸化により単結晶上部部分の側壁の上に形成され、薄い膜厚のゲート誘電体層を可能にする。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上にIII族窒化物材料を成長させるための新規な方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、ポーラス状の最上層を有するシリコン基板を含む基板と、
上記最上層上の、Ｇｅ材料からなる第２層と、
上記第２層上の、III族窒化物材料からなる別の層とを有する装置に関する。
さらに、本発明は、高品質のIII族窒化物層のエピタキシャル成長に非常に適した方法、中間層若しくはテンプレートデバイスに関する。 （もっと読む）

【課題】シリコンやゲルマニウムのようなＩＶ族半導体材料を、半導体表面上に、絶縁表面上への堆積無しに選択的に堆積する方法を提供する。
【解決手段】半導体プロセスで半導体材料の選択成長を行う方法が、第１領域１１と第２領域１２とを含むパターニングされた基板１０を提供する工程を含み、第１領域１１は露出した第１半導体材料を含み、第２領域１２は露出した絶縁材料を含む。この方法は、更に、第２半導体材料の前駆体、Ｃｌ化合物とは応性しないキャリアガス、および錫テトラクロライド（ＳｎＣｌ_４）を供給することにより、第１領域の第１半導体材料の上に第２半導体材料の膜を選択的に形成する工程を含む。錫テトラクロライドは、第２領域の絶縁材料上への第２半導体材料の堆積を阻害する。 （もっと読む）

【課題】基板から銅含有層の少なくとも一部を除去する方法を提供する。
【解決手段】第１反応チャンバ中で、銅含有表面層４の少なくとも一部を、ハロゲン化銅表面層５に変える工程と、第２反応チャンバ中で、光子含有雰囲気６に晒して、ハロゲン化銅表面層５の少なくとも一部を除去して、揮発性のハロゲン化銅生成物８の形成を始める工程とを含む。光子含有雰囲気６に晒す間に、この方法は、更に、第２反応チャンバから揮発性のハロゲン化銅生成物８を除去し、第２反応チャンバ中で揮発性のハロゲン化銅生成物８の飽和を避ける工程を含む。本発明の具体例にかかる方法は、銅含有層のパターニングに用いられる。例えば、本発明の具体例にかかる方法は、半導体デバイス中に銅含有相互接続構造を形成するのに使用される。 （もっと読む）

【課題】プロセス工程の数が減らされて、これにより製造コストが低減され、良好な開回路電圧（open-circuit voltage）と良好な短絡回路電流（short-circuit current）を有し、この結果、良好なエネルギー変換効率を有する、部分的なバックコンタクトの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板２を提供する工程と、シリコン基板２の裏側に表面パッシベーション層３を堆積する工程と、表面パッシベーション層３とシリコン基板２との間の界面に薄い層に裂けた領域または泡１を形成する工程と、表面パッシベーション層３の上に金属層４を堆積する工程と、金属の焼成を行う工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】化学気相堆積により、基板上にＧｅの連続した層を堆積する方法を提供する。
【解決手段】非反応性キャリアガスと、高次のゲルマニウム前駆体ガス、即ちゲルマン（ＧｅＨ_４）より高次のゲルマニウム前駆体ガスとの混合物が適用される。好適には、約２７５℃と約５００℃との間の堆積温度で堆積が行われ、混合物中の前駆体ガスの分圧は、約２７５℃と約２８５℃との間の温度で少なくとも２０ｍＴｏｒｒであり、約２８５℃と約５００℃との間の温度で少なくとも１０ｍＴｏｒｒである。 （もっと読む）

【課題】ｎ型Ｇｅ上に形成されるコンタクトの接触抵抗を低減する。
【解決手段】第１ドーパントレベルのｎ型ドーパントがドープされたゲルマニウム領域（１０）を上部に有する半導体基板を得る工程と、ｎ型ドープされたゲルマニウム領域（１０）を覆う界面シリコン層（１１）を形成する工程であって、界面シリコン層（１１）は第２ドーピングレベルのｎ型ドーパントでドープされて臨界膜厚より大きな膜厚を有し、これにより界面シリコン層（１１）は少なくとも部分的に緩和される工程と、界面シリコン層（１１）を覆うように、１×１０^−２Ωｃｍより小さい電気抵抗率を有する材料の層（１２、１３）を形成する工程とを含む方法。本発明はまた、対応する半導体デバイスを提供する。 （もっと読む）

【課題】隣接デバイスの特性への悪影響を低減するＴＳＶ相互接続構造の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の主面Ｓ１を有する基板を設け、少なくとも一つのＴＳＶ穴部と、ＴＳＶ穴部を囲み残りの基板材料によって分離されるトレンチ状構造３、とをエッチングにより同時に作製する。基板の第１の主面でトレンチ状構造の開口をピンチオフするためと、ＴＳＶ穴部側壁を平滑にするために、誘電性のライナー２ａ、２ｂを堆積し、トレンチ状構造にエアギャップ４を作製する。ＴＳＶ相互接続１０を生成するためにＴＳＶ穴部に導体材料を堆積する。 （もっと読む）

【課題】基板上の陽極酸化可能な層、例えば犠牲層上に存在するアルミニウム層であって、該犠牲層は、マイクロ電気機械システム又はナノ電気機械システム（ＭＥＭＳ／ＮＥＭＳ）を備えたキャビティから除去する必要があるような層のマスク陽極酸化の方法を提供する。
【解決手段】Ａｌ層の陽極酸化は、細長い孔の形成につながり、該孔を通じて犠牲層を除去可能である。本発明の方法に従って、Ａｌ層の陽極酸化は、陽極酸化される領域２１を規定する第１マスク２０、及び陽極酸化される第２領域を規定する第２マスク２２であって、前記第２領域は第１領域を包囲するようなマスクの補助がある状態で行う。第１マスク及び第２マスクが規定する領域の陽極酸化は、第１領域周囲の閉環形態における陽極酸化構造の形成につながり、第１領域内では不要な横方向陽極酸化に対するバリアを形成する。 （もっと読む）