【課題】逆相境界（ＡＰＢ）の無いＩＩＩ−Ｖ化合物半導体材料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体材料の製造方法は、ａ）｛００１｝配向を有する第１半導体材料からなる基板と、基板の上に位置し、これと接触する絶縁層と、絶縁層内に、少なくとも部分的に基板を露出させる凹部領域を用意する工程と、ｂ）凹部領域において露出基板の上に位置し、これと接触するバッファ層を形成する工程工程と、ｃ）バッファ層の表面を粗面化するために、熱処理を印加する工程とを含み、バッファ層が、熱処理の印加後に二重ステップ表面を有する丸み形状をなし、ｄ）凹部領域を、バッファ層の二重ステップ表面の上に位置し、これと接触するＩＩＩ−Ｖ化合物半導体材料で少なくとも部分的に充填する工程をさらに含む。 （もっと読む）

【課題】良好なシリコン表面パッシベーション品質する表面パッシベーション方法を提供する。
【解決手段】シリコン表面をパッシベーションする方法であって、この方法は、（ａ）シリコン表面を洗浄する工程であって、最終工程が親水性のシリコン表面を得る化学的酸化工程である一連の工程に、シリコン表面を晒す工程を含む工程と、（ｂ）進歩的な乾燥技術を用いて、洗浄したシリコン表面を乾燥させる工程と、（ｃ）シリコン表面上に、ＡＬＤＡｌ_２Ｏ_３層のような酸化物層を堆積する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】画素間のクロストークが小さく、優れた量子効率を持つＣＭＯＳ撮像装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＭＯＳ撮像装置のための光検出器アレイまたは画素アレイを製造する方法であって、複数の高アスペクト比のトレンチを基板の正面側に形成するステップと、複数のフォトダイオードを基板の正面側に形成し、複数のフォトダイオードの各々が基板の正面に対して平行な面内で高アスペクト比のトレンチによって囲まれるようにするステップとを含む。トレンチをクリーニングするため、酸化物層を複数のトレンチの内壁に形成し、そして複数のトレンチの内壁から酸化物層を除去する。トレンチは高ドープ材料で充填し、基板は裏面から薄型化する。このクリーニングは、側壁を通過する拡散を制限し、トレンチ側壁での不要な電荷キャリア再結合を生じさせ、画素間のクロストークをもたらす欠陥、残留物、不純物をトレンチ側壁から除去する。 （もっと読む）

【課題】ドープ領域における不連続部に対するリスクを増加させないで、ドーピング元素ペーストの量を減少させることである。
【解決手段】ドーピング元素ペーストのペースト層６を基板にスクリーン印刷し、該スクリーン印刷したドーピング元素ペーストのペースト層を焼成して行うドーピング元素との合金化により、基板４の半導体層にドープ領域を形成する方法であって、高純度ドーピング元素層５を半導体層に付与した後、ペースト層をドーピング元素層にスクリーン印刷することを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳコンポーネントを収納する密封空洞を備えたＭＥＭＳデバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイス１は、ＭＥＭＳコンポーネント６を収納した密封空洞５を備え、空洞５は、ある厚さｔ_ｄを有する絶縁体層スタック３の中に形成され、これにより空洞５および絶縁体層６のスタック３は、基板２と、厚さｔ_Ｓを有する封止絶縁体層４との間に挟まれており、ＭＥＭＳコンポーネント６は、絶縁体層スタック３の厚さｔ_ｄおよび封止絶縁体の厚さｔ_Ｓに渡って延びた少なくとも１つの溝８によって取り囲まれている。 （もっと読む）

【課題】基板に形成されたカーバイドシリコン層の少なくとも露出された部分を除去するための方法を提供する。
【解決手段】カーバイドシリコン層４５を酸素含有プラズマに曝すことにより、前記カーバイドシリコン層４５の少なくとも露出された部分を酸化シリコン層に変換し、そして基板から前記酸化シリコン層を除去するステップからなる。 （もっと読む）

【課題】１ミクロンより小さい、好適には１０ｎｍより小さい（チヤネルまたは細孔）幅と、ミクロン範囲またはそれより長い長さとを有する、埋め込まれたナノチヤネル（またはナノ細孔）を含むナノチヤネルデバイスを提供する。
【解決手段】単結晶基板１を含むデバイスであって、単結晶基板１は、単結晶基板１の所定の結晶面を露出させる少なくとも１つのリセス領域４を有し、少なくとも１つのリセス領域４は、更に、リセス幅を有し、および充填材料５と埋め込まれたナノチャネル６とを含み、埋め込まれたナノチャネル６の幅、形状、および深さは、少なくとも１つのリセス領域４のリセス幅と、露出した所定の結晶面に対して垂直な方向における充填材料の成長表面の成長速度により決定されるナノチヤネルデバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブのような単一ナノ構造の成長に適した、金属表面上に触媒ナノ粒子を形成する方法の提供。
【解決手段】少なくとも以下の工程：基板表面の少なくとも一部の上に金属層を有する基板を形成する工程と、少なくとも金属層の上に犠牲層を堆積する工程と、犠牲層に小さな孔を形成して、これにより金属層を露出させる工程と、単一触媒ナノ粒子１２を孔の中に形成する工程と、犠牲層を除去する工程と、を含む方法及び、更に、触媒ナノ粒子からのカーボンナノチューブの成長。 （もっと読む）

【課題】高いバイアス電圧を必要とせずに、メモリセルとして動作可能なマルチゲート半導体デバイスを提供する。
【解決手段】マルチゲートＭＯＳＦＥＴをベースとした、比較的低いバイアス電圧を要するキャパシタレスのメモリデバイス。充分な本体係数を用意し、Ｖ_Ｔフィードバックループを導入することによって、閾値電圧をゲート−本体間電圧を関連させる蓄積層を用いて、ヒステリシスウインドウ（Ｈ）を導入できる。ＭＯＳＦＥＴは、「１」値または「０」値を保存することができ（５４，５１）、（プログラムウインドウＰＷの範囲内で）保存した値を読み出し、ホールドする（５０）。デバイスは、１．５Ｖなどの比較的低い動作電圧、１０^１６動作サイクルなどの高い信頼性、〜５秒などの長い保持時間で動作する。 （もっと読む）

【課題】4、4’ジ置換4H-シクロペンタジチオフェンの新規合成方法の提供。
【解決手段】次の一般式：


を有する化合物の合成方法に関し、該方法は、負のpKaを有する二塩基酸の存在下に一般式：


［式中、R₁およびR₂は有機基であり、XおよびYは独立に、水素、塩素、臭素、ヨウ素、ボロン酸、ボロン酸エステル、ボラン、擬ハロゲンおよび有機錫からなる群から選ばれる。］を有する化合物を反応させる工程を含んでなる。この方法はさらに、原料となる化合物（II）および、その閉環の結果得られる化合物に関する。 （もっと読む）