説明

アイメックにより出願された特許

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本発明はデジタルフロントエンド回路に関し受信されたデータをフィルタリングするためのフィルタリング手段を備えフィルタリング手段は、第1の周波数帯域内に受信されたデータをフィルタリングするための第1のフィルタ分岐と、第1の周波数帯域とは異なった選択された第2の周波数帯域内に受信されたデータをフィルタリングするための第2のフィルタ分岐とを備え、第2のフィルタ分岐は第1のフィルタ分岐と並列接続されプログラム可能な、受信されたデータをリサンプリングするためのリサンプリング手段と、受信されたデータに関する同期化とスペクトル検出とを実行する回路とを備え当該回路はフィルタリング手段の出力に接続され、相関器手段と、相関器手段によるデータ出力もしくはフィルタリングによるデータ出力をベクトル化するための手段と、データをベクトル化するための手段に接続されたプロセッサ手段とを備える。
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【課題】ダイシングやアセンブリ中の処理環境等から壊れやすいMEMSデバイスを保護することが可能な封止構造とその製造方法を提供する。
【解決手段】MEMSデバイスを含むチャンバを覆う膜と、膜を支持し膜を基板に接続するアンカーからなる封止構造において、アンカーと膜を形成する構造材料を多結晶SiGeで形成し、犠牲層を用いたウエハレベルパッケージプロセスにより製造する。また、チャンバ内をSi酸化物で充填した構造とする。 (もっと読む)


【課題】駆動電子素子作製プロセスや使用される基板の型に依存しないマイクロマシンデバイスを低いプロセス温度で製造する方法を提供する。
【解決手段】マイクロマシンデバイスの製造方法が開示され、この方法はアモルファス半導体材料の構造層101を形成する工程と、構造層101中に、第1領域111と第2領域112を規定する工程と、第1領域111の上に、第2領域112が露出された状態になるようシールド層を形成する工程と、構造層101の第2領域112を、第1フルーエンスのパルスレーザーを用いてアニールする工程と、その後に、シールド層を除去する工程と、構造層101の第1領域111および第2領域112を、第1フルーエンスより実質的に小さい第2フルーエンスを用いてアニールする工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】基板中に形成されたトレンチ中に、単結晶のゲルマニウムまたはシリコンゲルマニウムを形成する改良された方法を提供する。
【解決手段】誘電体分離3(例えばSTI)を有する基板1を準備する工程と、基板材料1(例えばSi)のトレンチエッチング4を行う工程と、トレンチ4内への充填層5(例えばGe)の選択成長を行う工程と、略溶融温度での充填層6の加熱により、充填層5(例えばGe)の再結晶化7により達成される。 (もっと読む)


【課題】ペロブスカイト構造を有するアルミン酸希土類から形成された誘電体層を提供する。
【解決手段】アルミン酸希土類(REAl2−x、0<x<2)を含み、ペロブスカイト結晶構造を有する誘電体層に関し、アルミン酸希土類は、63以上で71以下の原子番号を有する希土類元素を含む。また、誘電体スタック、およびアルミン酸希土類誘電体層を含み更に少なくとも上部テンプレート層104を含むテンプレートスタックを含む誘電体スタックの作製方法に関し、上部テンプレート層104はペロブスカイト構造を有し、上部テンプレート層104はアルミン酸希土類誘電体層105の下にありこれと接触する。好適な具体例では、誘電体スタックは更に結晶構造を有する下部テンプレート層103を含み、下部テンプレート層103は上部テンプレート層104の下にありこれに接触する。 (もっと読む)


【課題】GaN含有へテロ層スタックと、光透過率のために粗面化された表面とを含む半導体デバイスの改良された製造方法の提供。
【解決手段】III−V族材料の伝導層2を成長させる工程と、伝導層2の上に、伝導層2の第1部分が露出するようにマスクを形成する工程と、伝導層2の第1露出部分を部分的に分解してする工程とを含む。好適には、分解を伴う1つの工程で再堆積が起こり、複数の成長結晶3の結晶ファセット31に基づきテクスチュア表面を得る。結果のデバイスは、好適には、発光素子を含む。この伝導層は、上側に存在するのが好ましい。 (もっと読む)


検知及び/又は駆動のための電子デバイスは、生体細胞(40)が付着するデバイス表面を備え、センサ及び/又はアクチュエータ(25)と、チャネルポート(21)を持つアクセスチャネル(20)とをさらに備え、前記チャネルポートは前記表面に設置される。アクセスチャネル(20)は、生体細胞(40)がアクセスチャネル(20)に進入して、センサ(25)へのアクセスを提供できるように設計される。特に、細胞(40)は、アクセスチャネル(20)に進入することによって突起部分(41)を形成し、この部分が検知される。アクセスチャネル(20)には、センサ(25)が存在する特定のセンサポートを設けてもよい。デバイスは、例えば、エレクトロポレーション治療において、ニューロンなどの生体細胞を検知または駆動するため使用できる。
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半導体装置は、インターポーザー原理を利用して有利に記述される。この半導体装置は、少なくとも一つの半導体ダイ(130)を備え、窓基板(110)は、上記少なくとも一つの半導体ダイ(130)を取り付ける少なくとも一つの窓形の空胴(120)を備えた無機基質であり、上記窓基板(110)は相互接続構造(140)を有する。さらに、少なくとも一つの半導体ダイは、少なくとも一つの空胴の内部に位置決めされ、上記相互接続構造に接続され、半導体装置(100)のアッセンブリあるいはパッケージングの別のレベルへの接続を提供する。本発明は、また、このような半導体装置を製造する方法に関する。
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分子を特性評価及び/又は操作するためのシステム(100)について説明している。そのシステムは特に、生体分子に適するが、本発明はそれに限定されない。システム(100)は、分子の通過に適したナノ構造(120)を有する基板(110)を備える。そのシステムはさらに、ナノ構造(120)を分子通過させるための手段(210)及びナノ構造(120)でプラズモン力場を印加することにより、粒子の通過速度に影響を与えるように適合したプラズモン力場発生手段(130)を含む。対応する方法についても説明している。
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