説明

マクダーミッド インコーポレーテッドにより出願された特許

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金属クロムを基板にめっきするめっき方法が開示される。方法は、硫酸塩及び/又はスルホン酸塩マトリクスを含む三価クロムめっき浴を使用する。方法は、また、不溶性陽極を利用する。マンガンイオンをめっき浴に添加することで、めっき浴を使用する際に有害な六価クロムイオンの形成を阻止する。 (もっと読む)


本発明は、媒体において様々な導電性基板に亜鉛ニッケル合金を電着することに関し、改良された析出物分布及び操作可能な電流密度範囲を提供することを目的とする。これは、亜鉛イオン;ニッケル金属イオン;アルカリ溶液中でニッケル金属イオンを保持することができる1つ以上の尿素系ポリマーと非重合性錯化剤との適切な組み合わせを含む浴、及び電解プロセスによって達成することができるため、導電性基板に亜鉛ニッケル合金を電着させるために浴が使用される。 (もっと読む)


本発明は、めっき溶液にシアン化物を用いることなく、亜鉛ダイカスト物品にめっきを施す方法を含む。前記方法は、先ず前記亜鉛ダイカスト物品に亜鉛合金層のめっきを施し、次いで銅、ニッケル、クロム、スズ、又は黄銅でめっきを施すことを提唱する。好ましい亜鉛合金初期コーティングは、亜鉛−ニッケルである。 (もっと読む)


金属表面のはんだ付け性を向上させる方法であって、はんだ付けする前に金属表面に銀めっきを施し、メルカプト置換又はチオ置換シラン化合物を含む添加剤で浸漬銀めっきを処理する方法を開示する。好ましい後処理は、3−メルカプトプロピルトリエトキシシラン及び/又は3−オクタノイルチオ−1−プロピルトリエトキシシランを含む。 (もっと読む)


【課題】 直接金属化プロセスにおいて、基板の表面に炭素分散物の被覆を設ける改良された方法であって、前記基板が導電部と非導電部とを含む。前記方法が、炭素分散物を基板に接触させて前記基板を炭素を含有する前記分散物で被覆する工程と、前記基板のほぼ平らな面の少なくとも一部に亘って非吸収性ローラーを移動させて、前記基板のほぼ平らな面から過剰な炭素分散物を除去する工程、及び前記基板を真空吸引チャンバに通して前記基板の表面に残る過剰な炭素分散物を除去する工程の少なくとも1つの工程とを含む。前記方法は、マイクロエッチングに対する要求を最小限にするためにより清浄な銅の表面を提供し、また、炭素分散物が基板の表面に不要に再付着するのを防ぐ。
【解決手段】 (もっと読む)


多層プリント基板の製造において銅表面に耐酸性を付与するための組成物。前記組成物は、酸と、酸化剤と、複素五員環化合物と、チオリン酸化合物又は硫化リン化合物とを含む。好ましい実施形態では、リン化合物は、五硫化リンである。前記組成物は、銅又は銅合金基材に塗布され、次いで前記銅基材は、高分子物質に接合される。 (もっと読む)


【課題】アルミニウム、アルミニウム合金、亜鉛、亜鉛合金、マグネシウム、マグネシウム合金、及び鋼などの金属基材を処理して、該金属基材上に化成皮膜を提供するための水性化成皮膜処理組成物。
【解決手段】化成皮膜処理組成物は、a)アルミニウムイオン源と、b)フルオロ化合物と、c)少なくとも1つのpH調整剤と、d)タングステン酸イオン及び三価クロムイオンからなる群から選択されるVIB族金属イオン源と、e)任意的に保存剤と、を含む。化成皮膜処理組成物は、金属表面上に耐食性皮膜を提供し、後に塗布される層の接着を改善する。 (もっと読む)


【課題】表面処理後、成形部品の一部のみが無電解めっきを受容可能になるが、他の部分は受容可能にならない。
【解決手段】本発明は、二重ショット成形プラスチック部品の非めっき等級樹脂部分に触媒毒を組み込み、触媒毒を含有している該部分上に任意の無電解めっき化学物質が析出する傾向を遅延させる方法に関する。 (もっと読む)


表面上に無電解めっきを受容するために前記表面を活性化させる改良方法であって、特にプリント基板における貫通孔を活性化させるために用いられ、酸性水性マトリクス中にパラジウムスズコロイドを含む活性化溶液に窒素ガスを分散させて、その中に収容されている第1スズの酸化を緩徐にする方法。前記活性化を実施するためのダイナミックフラッドコンベアシステムを記載する。 (もっと読む)


【課題】プロセスにおける不所望のアニオンの増加を避けることにより無電解ニッケルめっき浴の寿命を延ばす方法、及び浴のpH安定性を改善し、pH調整添加剤の添加を最小限に抑える方法。
【解決手段】該方法は、(a)無電解ニッケルめっき浴から無電解ニッケルを基材上に析出させる工程であって、前記無電解ニッケルめっき浴が好ましくはニッケル源及び次亜リン酸イオン源を含有している工程と、(2)ニッケルアノードを前記めっき浴に浸漬する工程と、(3)イオン交換膜により前記ニッケル浴から分離されているカソードを利用し、酸或いはその塩を含むカソード液を用いることにより回路を完成させる工程と、(4)前記浴に電流を流す工程と、を含む。ニッケルがめっき浴に溶解することによりニッケル濃度が維持され、水素はカソードから放出される。 (もっと読む)


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