【課題】横方向二重拡散ＭＯＳトランジスタ（ＬＤＭＯＳ）の特性を悪化させることがなく、回路素子サイズの増大や各素子の製造時のばらつきの影響を抑えることができる、半導体素子の保護回路を提供する。
【解決手段】ＬＤＭＯＳ１１０のバックゲートの出力をトリガーとして用い、ＬＤＭＯＳのドレインに接続される出力端子１２０に印加されるＥＳＤサージを、直列に接続された高耐圧ＭＯＳ１４０及び低耐圧ＭＯＳ１４２を経て接地端子１２２に流す。 （もっと読む）

【課題】 取引処理システムにおいて、ハイセキュリティな取引者の本人確認を行なうシステムに変更する場合に、システム更改費用、時間、移行管理等に多大な投資が必要であるという課題、および各金融機関がお互いにコンセンサスをとって短期間に移行計画を進めることが極めて困難であるという課題、およびプライバシーの侵害を恐れる口座所持者に新方式を強要できないという課題を解決する。
【解決手段】 システムにＩＤ２に基づいて取引者の本人確認を行なう認証サーバ６を設け、認証サーバ６が取引者のＩＤ２に基づいて取引者の本人確認を行ない、取引者を本人であると見なす場合に、取引者のＩＤ１を割り出して、割り出したＩＤ１を端末装置４を介してホストコンピュータ２に送信することにより、ホストコンピュータ２が旧来通りにＩＤ１に基づいて取引者の本人確認を行なえるようにする。 （もっと読む）

【課題】ドレイン配線の幅を従来よりも大きくして、ドレイン配線を導通可能な最大電流量を大きくすること。
【解決手段】高耐圧ＭＯＳトランジスタ装置１０は、基板１０２に設けられたＰウエル領域１０３中に形成されており、２０Ｖ以上のソース−ドレイン間耐圧を有している。そして、Ｐウエル領域中のソース１０４ａ，１０４ｂ及びドレイン１０８の間の領域部分が、外部電界の影響を受けて導電型が反転するのを防止する導電性膜を備えている。この導電性膜は、ゲート電極１２０ａ，１２０ｂと連続的に帯状層１２として一体形成されており、基板の表面を平面的に見たとき、帯状層は、ソース及びドレインの一方又は双方を囲んで設けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップがＭＣＰ化された場合には、チップ面積を増大させることなく他の半導体チップとの間のＥＳＤ保護を可能とし、また半導体チップがＭＣＰ化されなかった場合でも、チップ面積に無駄を生じさせない、半導体チップ及び複数の半導体チップが搭載された半導体装置を提供する。
【解決手段】内部回路２８を有する半導体チップ１は、内部回路２８の動作に必要な電気信号の授受をするための電極パッドを設けることができない領域に、半導体チップ１の接地バス線３６と電気的に接続される第１の電極パッド１０を有する。 （もっと読む）

【課題】ピックアップ工程でのコレットとの間の静電気放電による集積回路の故障を防止する。
【解決手段】半導体チップ10の上面のうちピックアップ工程でコレット54が接触する領域内で、かつ最上層の金属配線層24に設けられている複数の金属配線のうち半導体基板14とオーミック接続された接地線30の上部に相当する部分において、最上層の金属配線層24を覆う表面保護膜28を除去して開口部38を設けることで接地線30を露出させる。ピックアップ工程で半導体チップ10の上面にコレット54が接近すると、開口部38を介してコレット54と接地線30の間で静電気放電が生じ、接地線30に流入した中和電荷が直ちに半導体基板14に達することで、半導体基板14がマウントフィルム50と静電的に釣り合う状態となる。 （もっと読む）

【課題】 取引処理システムにおいて、ハイセキュリティな取引者の本人確認を行なうシステムに変更する場合に、システム更改費用、時間、移行管理等に多大な投資が必要であるという課題、および各金融機関がお互いにコンセンサスをとって短期間に移行計画を進めることが極めて困難であるという課題、およびプライバシーの侵害を恐れる口座所持者に新方式を強要できないという課題を解決する。
【解決手段】 システムにＩＤ２に基づいて取引者の本人確認を行なう認証サーバ６を設け、認証サーバ６が取引者のＩＤ２に基づいて取引者の本人確認を行ない、取引者を本人であると見なす場合に、取引者のＩＤ１を割り出して、割り出したＩＤ１を端末装置４を介してホストコンピュータ２に送信することにより、ホストコンピュータ２が旧来通りにＩＤ１に基づいて取引者の本人確認を行なえるようにする。 （もっと読む）