【課題】ノーマリーオフ型であるとともに、ゲート閾値電圧のばらつきが小さいＨＥＭＴ型のトランジスタを提供する。
【解決手段】このトランジスタは、ｐ型領域18と、チャネル領域20と、バリア領域22と、絶縁膜62と、ゲート電極64を備えている。チャネル領域20は、ｎ型またはｉ型であり、ｐ型領域の表面に接しており、第１チャネル領域と第２チャネル領域を有している。バリア領域22は、第１チャネル領域の表面とヘテロ接合している。絶縁膜62は、第２チャネル領域の表面、及び、バリア領域の表面に接している。ゲート電極64は、絶縁膜62を介して第２チャネル領域及びバリア領域に対向している。第１チャネル領域と第２チャネル領域は、電流経路において直列に配置されている。 （もっと読む）

【課題】 ノーマリーオフ型であるとともに、ゲート閾値電圧のばらつきが小さいＨＥＭＴ型のトランジスタを提供する。
【解決手段】 このトランジスタは、ｐ型領域と、チャネル領域と、バリア領域と、絶縁膜と、ゲート電極を備えている。チャネル領域は、ｎ型またはｉ型であり、ｐ型領域の表面に接しており、第１チャネル領域と第２チャネル領域を有している。バリア領域は、第１チャネル領域の表面とヘテロ接合している。絶縁膜は、第２チャネル領域の表面、及び、バリア領域の表面に接している。ゲート電極は、絶縁膜を介して第２チャネル領域及びバリア領域に対向している。第１チャネル領域と第２チャネル領域は、電流経路において直列に配置されている。 （もっと読む）

ナノ構造は、1つの縁が基板上に配置された複数の金属ナノブレードを含む。複数の金属ナノブレードの各々は、大きい表面積対質量比および長さより小さい幅を有する。水素を貯蔵する方法は、複数のマグネシウムナノブレードを水素貯蔵触媒でコーティングする工程、および複数のマグネシウムナノブレードを用いて水素化マグネシウムを化学的に生成することにより水素を貯蔵する工程を含む。

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制御ユニットおよび火炎発生ユニットを備える消火訓練装置、ならびにそれらを使用する方法およびシステムを提供する。

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ビデオフレームを処理する方法、コンピュータプログラム製品、及びコンピュータシステムを提供する。現在フレームは、少なくとも２個の相異なる大きさを有するＭ個のブロックに分けられる。Ｍは、少なくとも９である。現在フレームの各ブロックは、動きブロックまたはＩ−ブロックに分類される。重複されたブロック動き補償（ＯＢＭＣ）は、所定のスキャン順序によってＭブロックの各ブロックに対して行われる。ＯＢＭＣが行われるブロックは、セルフブロックで表す。ＯＢＭＣは、その隣接ブロックに対してセルフブロックで行われる。隣接ブロックは、セルフブロックに最も近接した隣接ブロックを備える。セルフブロックに対してＯＢＭＣの実行は、セルフブロック及びそのそれぞれの隣接ブロックに対して加重ウィンドウを生成することを含む。

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複数のナノ粒子を提供する。本ナノ粒子は、金属酸化物または半導体酸化物の表面領域と、金属または半導体のコア領域とを有してもよく、および／または、均一にドープされていてもよい。本ナノ粒子は、バルク材料を摩砕して粉末とし、その後、この粉末を溶液中でエッチングして所望のナノ粒子サイズとすることによって形成することができる。

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