説明

金属技研株式会社により出願された特許

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【課題】 炭素材と銅合金を冶金的接合することにより高熱負荷機器を製造する方法、特に核融合炉のダイバータにおけるCFCブロックと冷却管を良好に接合させる製造方法を提供する。
【解決手段】 炭素材であるCFCブロック11の表面に蒸着によりチタン薄膜層12を形成し、チタン薄膜層12と緩衝材14の間と、緩衝材14と冷却管16の間に、銅を含むシート状のロウ材13,15を介挿して組み上げた組立体を、真空ロウ付けすることにより、チタン薄膜層12のチタンとCFCブロック11の炭素がチタンカーバイドに変成し、ロウ材13との濡れ性を向上させることにより、本来は冶金的接合がなされない銅と炭素材の接合部において、チタンと銅の共晶体が生成し、炭素材への銅の浸透を促進させることにより、CFCブロック11と冷却管16との強固な結合を有する高熱負荷機器を製造する。 (もっと読む)


【課題】転がり抵抗を導入した多角形型粒子モデル、即ち多角形型粒子の回転運動を導入した離散要素法解析シミュレーション方法、離散要素法解析シミュレーションプログラム、及び離散要素法解析シミュレーション装置を提供する。
【解決手段】多数の解析対象粒子の挙動を解析する離散要素法解析シミュレーション方法であって、仮想粒子に物性値を与えるステップと、前記仮想粒子を配置する仮想粒子配置ステップと、前記解析対象粒子の挙動をシミュレーションする挙動シミュレーションステップとを具備し、前記挙動シミュレーションステップは、前記解析対象粒子及び/又は仮想粒子間の粒子姿勢角度を測定するステップを具備し、前記解析対象粒子及び/又は仮想粒子について、回転運動を基に立てた運動方程式を解いて個々の粒子の挙動を求める。 (もっと読む)



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【課題】簡易な手法で安価に原材料として使用可能なシリコン焼結体を製造する方法を提供する。
【解決手段】廃シリコン粉末をクリーン環境下で乾燥し、真空下で、乾燥されたシリコン粉末を1150℃〜1300℃の範囲でかつ面圧0.5MPa以上でホットプレス処理を行って固体のシリコン焼結体を製造する。又は、廃シリコン粉末を水素雰囲気下で加熱処理し、加熱処理されたシリコン粉末を1150℃〜1300℃の範囲でかつ面圧0.5MPa以上でホットプレス処理を行ってシリコン焼結体を製造する。 (もっと読む)



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【課題】熱交換器をその筐体にて他の機器に溶接固定する新たな手法を提供する。
【解決手段】熱交換器100は、プレートユニット110を筐体130に収納して備える。プレートユニット110は、プレートの積層体であり多列の流路150を層状に有する。筐体130は、左右のサイドプレート131Sと上面プレート131Uと下面プレート131Dの4枚のプレートを接合して形成されている。そして、筐体130は、筐体端部から距離DLだけ離間した収納領域TSにプレートユニット110を取り囲んで収納した上で、筐体端部側の端部接合領域WAにおいて、サイドプレート131Sと上下面プレートとを溶接にて接合固定し、溶接ラインWLAを有する。この端部接合領域WA以外の残余領域NWAでは、上記各プレートはロウ材にて接合固定している。 (もっと読む)


【課題】流路を層状に備える熱交換器において、層状とされた各流路のシール性を確保しつつ積層済みプレート接合の際の押圧の簡便化する。
【解決手段】熱交換器100は、サイドプレート130とサイドプレート140で、プレート積層体のプレートユニット110を取り囲み、プレートユニット110の最上層プレート112と最下層プレート115の間の複数の中間プレート116にて、多列の流路150を層状に有する。両サイドプレートはプレートユニット110の側に凸のプレート側凸部132、142を備え、このプレート側凸部132、142は、プレートユニット110における最上層プレート112と最下層プレート115と干渉して、プレート押圧時のストッパとして機能する。 (もっと読む)


【課題】ロウ付けにより積層された流路形成部材を良好に接合することができる積層型流路要素、及びその製造方法を得る。
【解決手段】プレート積層型改質器10は、平板部30から外壁38、改質ガス閉止壁42等が立設された第2伝熱プレート28と、平板部30から外壁32等が立設された第1伝熱プレート24とを交互に積層すると共に、外壁32、38、改質ガス閉止壁42を相手方の平板部30にロウ付けにて接合して構成されている。このプレート積層型改質器10は、平板部30の端面30Fと改質ガス閉止壁42の端面42Aとに跨る突出ロウ部50、外壁32の外面32Aと外壁38の外面38Aとに跨る突出ロウ部52、54を有して構成されている。 (もっと読む)


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