【課題】押し出し性に優れたＡｌＭｇＳｉ合金を提供する。
【解決手段】本発明は、押し出し目的に特に有用な、ＭｇおよびＳｉを含有するアルミニウム合金であって、前記合金は、均一化の間に形成され、均一化後の冷却の間に多数の小さなＭｇ₂Ｓｉ粒子の核化サイトとして働くＡｌＭｎＦｅＳｉ分散質粒子を含み、重量％で：
Ｍｇ ０．３〜０．５；
Ｓｉ ０．３５〜０．６；
Ｍｎ ０．０３〜０．０６；
Ｃｒ 最大０．０５；
Ｚｎ 最大０．１５；
Ｃｕ 最大０．１；
Ｆｅ ０．０８〜０．２８；および
加えて、０．１重量％までの結晶粒微細化元素、および、０．１５重量％までの偶発的な不純物からなることを特徴とする合金である。 （もっと読む）

【課題】熱効率の増大、並びに１ｋＷ設置容量当たりの投入経費及び作動経費の低減を必ず伴うような、主ガスタービンベースの電力及び熱発生プロセスからの排気ガス中のＣＯ₂の捕獲及び回収のための改良型方法に到達すること。
【解決手段】本発明は、ガスタービンベースの主電力及び熱発生プロセスからの排気ガスからＣＯ₂を捕獲する方法に関する。主電力及び熱発生プロセスは、二次ガスタービンベースの電力及び熱発生プロセスに直列に接続されており、二次ガスタービンベースの電力及び熱発生プロセス並びにＣＯ₂分離プロセスは、主電力プロセス排気ガスダクトを介して主電力及び熱発生プロセスと接続されるだけである。 （もっと読む）

金属材料、具体的にはアルミニウム若しくはその合金の材料、又は、Ｃｕ及びその合金のような他の非鉄金属の押出用の押出工具又は押出ダイである。ダイは、インサート６，７が設けられたキャビティ４，５を有するダイプレート２，３を備えたモジュール型である。ダイプレート２，３を含み強い熱機械的な要求を有するダイの領域は、ニッケル、鉄又はコバルトベースの超合金で作製されるのに対し、インサート、即ち、ダイのマンドレル６及び／又はベアリング７を含み強い摩擦的な要求を有する領域のダイは、耐摩耗性材料で製造され、この耐摩耗性材料は、高速度工具鋼、析出硬化鋼若しくは熱間加工高合金鋼、又は、ナノ粒子若しくはＣＶＤのような皮膜が与えられる任意の適切な鋼タイプとすることができる。
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太陽熱のための吸収コーティングの製造方法及び金属基材に塗布されるそのようなコーティング、特に、薄いアルミニウム金属シートに塗布されるコーティング。このコーティングは、金属酸化物前駆体をベースとするゾル−ゲルタイプのものであり、顔料粒子をその前駆体に親和的に混合した後、混合されたゾルラッカーを金属基材に塗布し、その後、必要な温度で湿った空気中で反応させてゾル−ゲルコーティングを得る。前駆体は、好ましくはＣｅＯ₂（ＮＯ₃）ベースのゾルでよいが、好ましくは２０％のＣｅＯ₂を有し、粒径が１０〜２０ｎｍであり、ｐＨが１．５である。また、顔料粒子は、マンガンフェライトブラックスピネル、Ｍｎ₃Ｃｕ₂ＦｅＯ₈でよい。 （もっと読む）

【課題】時効に要する時間を短縮すると共に、機械的性質及び押出し性の両方に優れたアルミニウム合金を与えるアルミニウム合金の処理方法を提供する。
【解決手段】マグネシウム及びケイ素の合金混合物０．５重量％〜２．５重量％（Ｍｇ／Ｓｉのモル比は０．７０〜１．２５である）；並びにアルミニウムで形成される残部を含むアルミニウム合金が、冷却後に、均質化、押出し前の予熱、及び時効（該時効は、押出し後に、１６０℃〜２２０℃の最終保持温度に２段階時効操作として行われる）にかけられるアルミニウム合金の処理方法において、時効は、押出し材が１００℃／時を超える加熱速度で１００℃〜１７０℃の温度に加熱される第１段階と、押出し材が５〜５０℃／時の加熱速度で最終保持温度に加熱される第２段階とを含み、加熱開始から最終保持温度での保持終了までに要する時間が３〜２４時間の間であることを特徴とするアルミニウム合金の処理方法とする。 （もっと読む）

太陽電池ウエハ又は半導体装置の製造から生じる鋸屑又は切屑のような高純度シリコンの残余物又は他の残留Ｓｉを再利用する方法が、ウエハ製造プロセス又は半導体装置の製造プロセスから生じる乾燥切屑、削屑及び／又は他の残留Ｓｉを、四塩化ケイ素、すなわちＳｉＣｌ₄を生成する直接塩素化反応器１において金属級シリコンと共に、供給原料として使用することを特徴とする。未反応の切屑又は反応しないまま反応ゾーンから流出する他の小さい粒子を、それらのサイズにかかわらず、さらなる塩素化のために繰り返し反応器に戻す。本方法に含まれる装置は、反応器１の他に、Ｓｉ材料／切屑を混合及び貯蔵する貯蔵及び混合装置２と、反応器の反応ゾーンから流出すると共に、戻り給送手段９によって反応器の反応ゾーンに戻されるＳｉ含有粒子を分離及び回収する回収装置３と、反応器の反応ゾーン及び回収装置から流出する最小サイズの粒子を、液体ＳｉＣｌ₄とのスラリーの形態で集める凝縮ユニット１０と、ウエハ製造プロセス又は半導体装置の製造プロセスから生じるさらなる切屑、削屑及び他の残留Ｓｉを、冷却及び温度制御のために後で反応器の反応ゾーンに直接加えられる既存のＳｉＣｌ₄／Ｓｉスラリーに加えてこれと混合する混合ユニット１３とを備えることができる。
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本発明は、溶融Ｚｎ金属によるＳｉＣｌ₄の還元により高純度シリコンを製造する方法及び装置に関する。この方法は、ＺｎＣｌ₂を溶解する溶融塩と接触させながら還元が起こることを特徴とする。その後、還元中に生成されるＺｎＣｌ₂は、気化することなく溶融塩に溶解する。この利点は、還元中のガスの発生が最低限に抑えられ、ＳｉＣｌ₄及びＺｎのより高い利用、それゆえ、より高いＳｉ収率がもたらされることである。別の利点は、溶融塩によって、空気に敏感な材料、Ｚｎ、ＳｉＣｌ₄及びＳｉが還元中に酸化するのを効率的に妨げることである。ＺｎＣｌ₂を含有する得られる溶融塩は、Ｚｎ金属を再生するＺｎＣｌ₂の電解に用いることができる。電解中に発生する塩素は、ＳｉＣｌ₄を生成するのに用いることができる。
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液体亜鉛金属による四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ₄）の還元により、高純度シリコン（Ｓｉ）金属を製造する方法及び装置。ＺｎによるＳｉＣｌ₄の還元及びＺｎＣｂの電解によるＺｎの生成は、電解質として溶融塩を用いる共通の一体型リアクタ及び電解セルにおいて起こる。リアクタ及び電解セルは、好ましくは、第１の又は複数の隔壁（１５，８，７）によって２つ以上の連通する区画（１３，１，２）に分割される共通のハウジング内に設けられ得る。更に、好適な電極によって行われるＺｎＣｌ₂の電解は、少なくとも１つの区画（１，２）で起こり、且つＺｎによるＳｉＣｌ₄の還元は、少なくとも１つの他の区画（１３）で起こり、Ｚｎ金属は、ＺｎＣｌ₂の電解のチャンバ（１，２）間からＳｉＣｌ₄の還元のチャンバ（１３）へと流れ、且つ電解質は、ＺｎＣｌ₂の電解のチャンバ間からＳｉＣｌ₄の還元のチャンバへと循環する。電解が起きるチャンバの環境は、好ましくは、第１の隔壁（１５）によって他のチャンバの環境と分離されている。
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高い粘性を有する材料、特にアルミニウム及びアルミニウム合金のような金属の連続押出用のスクリュー押出機。押出機は、押出される材料の給送用の入口１１を有するスクリューハウジング４のライナ２内に回転可能に設けられたアルキメディアン・スクリュー１と、圧縮チャンバすなわち押出チャンバ５と、所望の押出製品７の形状を成形するダイを有する押出ダイアセンブリ６とを備える。アルキメディアン・スクリュー１とライナ２との設計は、必要な圧縮が、スクリューの最大５４０度の回転、すなわちアルキメディアン・スクリューの最大１．５回転のフライトの長さに相当する、押出チャンバ５を向いたスクリューの下流端で生じるようなものであり、スクリューの一端と押出チャンバ５とにおいてこのようにして形成される金属の固体プラグが剛性回転を抑えられ、必要な圧縮と押出圧力とを得るようなものである。
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本発明は、塩化亜鉛を含む溶融塩から亜鉛を電解製造する方法及びセルに関する。セルは、電解質を含有する少なくとも１つの電解チャンバ（２）と、少なくとも１つの隔壁（７，８）によって該電解チャンバと分離される少なくとも１つの隣接チャンバ（１）とを有する。電解チャンバ内の環境は、少なくとも１つの隔壁によって隣接チャンバ内の環境と分離される。電解質は、電解質の液位よりも低い位置の隔壁における少なくとも１つの開口部を通って、電解チャンバと隣接チャンバとの間を流れるように誘導される。生成される亜鉛金属は、セルの底部で回収される。電解質流れは、実質的に層流に制御されることができる。
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