説明

ラム リサーチ コーポレーションにより出願された特許

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【課題】保護ポリマーコーティングを、プラズマ処理チャンバのシリコンまたはシリコンカーバイド電極上に形成する方法が提供される。
【解決手段】ポリマーコーティングは、プラズマ成分およびガス反応物への露出に対して、下にある電極表面への保護となる。この方法は、チャンバ102をクリーニングするプロセス中、またはチャンバ102内で半導体基板10をエッチングするプロセス中に実施することができる。 (もっと読む)


【課題】半導体基板を改良された限界寸法均一性でエッチングする方法を提供する。
【解決手段】誘導結合プラズマエッチングチャンバ内の基板支持体上に半導体基板を支持することと、第1のエッチングガスをシャワーヘッドノズル23により半導体基板の上の中央領域に供給することと、少なくとも1種類のシリコン含有ガスを含む第2のガスであって、第2のガス中のシリコン濃度が第1のエッチングガス中のシリコン濃度より高い第2のガスをプラズマチャンバの側壁を通して噴射器20により半導体基板の上の中央領域を囲む周辺領域に供給することと、第1のエッチングガスおよび第2のガスからプラズマを発生させることと、半導体基板の露出面をプラズマエッチングすることとを含む。 (もっと読む)


【課題】フィーチャの微細化や基板サイズの大型化に対応し、プラズマの密度や基板面にわたる均一性のためのプラズマのパラメータの制御が可能となる装置を提供する。
【解決手段】プラズマチャンバは、大気負荷を中立化するように構成されたカンチレバー組立体を含む。前記チャンバは壁を含み、前記壁は、内部領域を囲み、かつ、該壁に形成された開口部を有する。前記カンチレバー組立体は、前記チャンバ内で基板を支持する基板体を含む。前記カンチレバー組立体は、一部分が前記チャンバの外に配置されるように開口部を通って伸びている。前記チャンバは、前記壁に対して相対的に前記カンチレバー組立体を動かすように動作する駆動機構を含む。 (もっと読む)


【課題】エッジホイールと基板との界面に付着した流体を効果的に除去できるエッジホイールの提供。
【解決手段】円板状基板を支持・回転するエッジホイール14において、エッジホイール14の外周面に基板10の端部と係合する溝13を形成し、該溝13から内部に伸張する少なくとも一本の放射状チャネル18を備え、該放射状チャネル18に、真空源あるいは流体源と連通し、放射状チャネル18を吸引することにより、基板10とエッジホイール14との間の界面に存在する液体を除去し、又逆に放射状チャネル18に流体を供給することにより、基板10の端部を濡らすことも可能にする。 (もっと読む)


【課題】プラズマエッチング室内において、基板の上に形成された二層レジストをエッチングするための方法を提供する。
【解決手段】二層レジストの第1の層の上にパターンを形成された基板をエッチング室に導入する工程から開始される。次いで、SiCl4ガスがエッチング室に流し込まれる。次に、SiCl4ガスを流し入れつつエッチング室内においてプラズマを発生させる。次いで、二層レジストがエッチングされる。 (もっと読む)


【課題】プラズマ処理プロセスの間に加工物上方の電束の均一性を改善する。
【解決手段】誘電材料108を有し、かつ/あるいは異なる厚さ、プロファイル、および/または形状を伴う空洞106を有する静電チャックアセンブリ100は、導電支持体102と、静電チャックセラミック層104とを含む。誘電体層またはインサート108は、導電支持体102と静電チャックセラミック層104の間に配置される。空洞106は、静電チャックセラミック層104の座面内に配置される。埋め込まれた極パターンが、静電チャックアセンブリ中に任意に組み込まれてよい。 (もっと読む)


【課題】反応器チャンバ内部のパーティクル汚染度を低減するプラズマ反応器の構成部品を提供する。
【解決手段】反応器150のプラズマ処理チャンバ152において、プラズマ閉じ込めリング(不図示)、チャンバ壁172、チャンバライナ(不図示)及び/又はシャワーヘッド154のプラズマ露出面は、ポリマーの付着を促進する表面粗さ特性を持つプラズマ溶射された被膜160を備え得る。更に、基板支持体168のプラズマ露出面は、プラズマ溶射された被膜(不図示)も備え得る。高密度プラズマを閉じ込める実質的に全ての面がポリマーの付着を促進する表面粗さ特性を持つことができ、反応器内のパーティクル汚染は実質的に減少され得る。 (もっと読む)


【課題】CD(限界寸法)誤差を低減し、シュリンク処理の形状依存を補正できるパターン化フォトレジスト層を実現するコンピュータ読み取り可能な媒体を備えた装置を提供する。
【解決手段】媒体614は形状レイアウトを受信するためのコンピュータ読み取り可能なコードと、形状レイアウトに対してシュリンク補正を適用するためのコンピュータ読み取り可能なコードとを備える。シュリンク補正を適用するためのコンピュータ読み取り可能なコードは、パターン化層に形状を形成するための角切り欠き部を提供して、線の幅および長さ、形の修正などを調整する。 (もっと読む)


【課題】傾斜ベース検出タスクを閾値ベース検出タスクに変換する方法を提供する。
【解決手段】モニターされている処理の値に対応する一組の点についての近似方程式を規定すること140で開始する。その後、モニターされている処理の現在点における期待値が予測される142。次に、モニターされている処理の現在点における測定値と対応する期待値との差が計算される144。それから、逐次点についてこの差がモニターされることにより、測定値と期待値との間の偏差値を検出する146。次に、モニターされている処理の遷移点は、偏差値の検出に基づいて識別される148。 (もっと読む)


【課題】チャックの絶縁層のメサ構成の面密度を設定することによって静電チャックの熱伝達係数プロフィルを修正する方法や、チャックの絶縁層のメサ構成の高さを調節する方法、または静電チャックの静電容量プロフィルを修正する方法を提供する。
【解決手段】所与の箇所における熱伝達係数は、熱流束プローブを使用して測定することができ、静電容量は、静電容量プローブを使用して測定することができる。これらのプローブは、チャックの絶縁表面上に配置され、チャック全体にわたって複数回の測定を行うことで、目標メサ面密度および目標メサ高さを求めるための熱伝達係数プロフィルおよび静電容量プロフィルが得られる。目標密度は、すでに存在するメサの面密度を機械的に調節することで実現される。目標高さは、メサを作製する予定の領域の周りに低い領域を作製することで、または既に存在しているメサの周りの低領域を掘り下げることによって実現される。 (もっと読む)


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