【課題】チャックの絶縁層のメサ構成の面密度を設定することによって静電チャックの熱伝達係数プロフィルを修正する方法や、チャックの絶縁層のメサ構成の高さを調節する方法、または静電チャックの静電容量プロフィルを修正する方法を提供する。
【解決手段】所与の箇所における熱伝達係数は、熱流束プローブを使用して測定することができ、静電容量は、静電容量プローブを使用して測定することができる。これらのプローブは、チャックの絶縁表面上に配置され、チャック全体にわたって複数回の測定を行うことで、目標メサ面密度および目標メサ高さを求めるための熱伝達係数プロフィルおよび静電容量プロフィルが得られる。目標密度は、すでに存在するメサの面密度を機械的に調節することで実現される。目標高さは、メサを作製する予定の領域の周りに低い領域を作製することで、または既に存在しているメサの周りの低領域を掘り下げることによって実現される。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチングリアクタの静電チャックの寿命を向上させるチャンバ洗浄機構を提供する。
【解決手段】一実施形態において、プラズマを生成するよう構成されたプラズマ処理チャンバ１００は、基板を受けるよう構成された内側下部電極１３１と、内側下部電極の外側に配置された外側下部電極１３３とを備えた下部電極アセンブリを備えている。プラズマ処理チャンバは、上部電極１１１を備え内側下部電極１３１と外側下部電極１３３との真上に配置された上部電極アセンブリ１１２を、さらに備える。 （もっと読む）

【課題】ダマシンプロセスによる銅の充填において、銅シード層の完全性を失わないように行う。
【解決手段】誘電体層に半導体結線形状を形成するための方法は、誘電体層上に形成された形成されたバリア層上、および誘電体層のエッチング形状内に、銅シード層を蒸着する工程を含む。次いで、銅シード層は、酸化された層を銅シード層から除去するために処理を施される。次いで、その方法は、処理された銅シード層上に銅充填層を電気メッキする工程に進む。銅充填層は、誘電体層のエッチング形状を満たすよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】酸素にさらされても絶縁膜を形成しない材料からメモリセルキャパシタプレートを製造するための形成方法を提供する。
【解決手段】メモリセルキャパシタプレートの形成方法は、犠牲層を堆積する工程と、その犠牲層内に開口部を形成する工程とを含む。続いて、酸素にさらされても相当の導電性を維持する導電性料を含む電極材料層７０２を、犠牲層の上面に堆積し、開口部の少なくとも一部を充填する。次に、電極材料層７０２の一部を少なくとも犠牲層の上面と同じ略同じ高さにまで除去することによりメモリセルキャパシタプレートの上面を画定し、その後、犠牲層を除去する。 （もっと読む）

【課題】基板を処理するためのプラズマ処理システムの処理の均一性を改善する。
【解決手段】プラズマ処理システムは、処理チャンバを備え、処理チャンバ内では、処理のためにプラズマが点火および維持される。プラズマ処理システムは、さらに、処理チャンバの下端に配置された電極１５２を備える。電極１５２は、処理チャンバ内に電界を発生させるよう構成されている。プラズマ処理システムは、さらに、電極とプラズマとの間のインピーダンスを制御するための要素を備える。インピーダンスは、電界に影響を与えることにより、基板の表面にわたって処理の均一性を改善するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】改善されたウエハ領域圧力制御を提供するプラズマ処理室を実現する。
【解決手段】プラズマ処理室は、プラズマを発生し維持するために接続される装置を持つ真空チャンバである。この装置の一部は、エッチング用ガス源および排気口である。閉じ込めリングはウエハ上の領域を定義する。ウエハ領域圧力はこの閉じ込めリングにわたる圧力降下に依存する。閉じ込めリングは、１００％より大きいウエハ領域圧力制御範囲を提供するウエハ領域圧力制御装置の一部である。そのようなウエハ領域圧力制御装置は、所望のウエハ領域圧力制御を提供するのに用いられるホルダ上の３つの調節可能閉じ込めリングおよび閉じ込めブロックでありえる。 （もっと読む）

【課題】エッチング層内に特徴をエッチングするための方法であって、エッチング層の上に配されたアモルファスカーボン又はポリシリコンのパターン化疑似ハードマスクに対するコンディショニングを提供する。
【解決手段】コンディショニングは、炭化水素ガスを含む無フッ素蒸着ガスを供給することと、無フッ素蒸着ガスからプラズマを形成することと、５００ボルト未満のバイアスを提供することと、パターン化疑似ハードマスクの上端上に蒸着を形成することとを含む。エッチング層は、パターン化疑似ハードマスクを通してエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】基板表面で均一な処理を生成するために、処理チャンバの内部に成分を分配する成分送給機構を提供する。
【解決手段】前記成分は、処理チャンバ１２内のワークピース１８を処理するために使用される。前記成分送給機構７５は、成分を処理チャンバの所望の領域に出力する複数の成分出力部を含む。前記成分送給機構は、更に、複数の成分出力部に結合された空間分配スイッチ４０，５６を含む。前記空間分配スイッチは、成分を複数の成分出力部の少なくとも一つへ振り向けるように構成される。前記成分送給機構は、更に、空間分配スイッチに接続された単一の成分供給源３６を含む。前記単一の成分供給源は、成分を空間分配スイッチへ供給するように構成される。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理システムの再設計をできるだけ少なくして、プラズマ閉じ込めを強化する方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハーのプラズマ処理用装置１００を開示する。この装置は、その内部に下部電極１０３と上部電極１０５とを配置したチャンバ１０１を備える。下部電極１０３は、高周波電流をチャンバに流し、チャンバ内でプラズマを生成するように構成される。上部電極１０５は、下部電極１０３の上に配置され、チャンバから電気的に絶縁されている。上部電極には電圧源１２３が接続されている。電圧源１２３は、チャンバに対する上部電極１０５の電位を制御可能なように構成される。上部電極の電位を電圧源を用いて制御することにより、下部電極と上部電極との間に生成するべきプラズマ電位に影響を与えることが可能である。 （もっと読む）

【課題】エッチレイヤに特徴を形成する方法を提供する。
【解決手段】第１のマスクが前記エッチレイヤ上に形成され、前記第１のマスクは、幅を有する複数のスペースを定義する。第１のマスクは横方向にエッチングされ、エッチングされた第１のマスクは、前記第１のマスクの前記スペースの前記幅より大きい幅を有する複数のスペースを定義する。前記エッチングされた第１のマスク上に側壁レイヤが形成され、前記側壁レイヤは、前記エッチングされた第１のマスクによって定義される前記スペースの前記幅よりも小さい幅を有する複数のスペースを定義する。前記エッチレイヤ中に前記側壁レイヤを通して特徴がエッチングされ、前記特徴は前記エッチングされた第１のマスクによって定義される前記スペースの前記幅よりも小さい幅を有する。前記マスク及び前記側壁レイヤは取り除かれる。 （もっと読む）