説明

ラム リサーチ コーポレーションにより出願された特許

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【課題】プラズマ密度やエッチングの均一性を向上させる。
【解決手段】空隙を形成するために下部電極104と反対側に上部電極114を含むプラズマ処理装置において形成されたプラズマのフローコンダクタンスを制御する。下部電極104は、基板を支持するために構成され、RF電源110に結合されている。空隙に注入されたプロセスガスは、動作中にプラズマ状態に励起される。装置は、下部電極を同心円状に取り囲み、内部にスロットセットを有するグランドリングと、スロットを通してガスフローを制御するための機構108を含む。 (もっと読む)


【課題】プラズマ処理チャンバの使用のために故障を検出する方法及び装置を提供する。
【解決手段】プラズマチャンバ内でプラズマ処理が開始され、前記プラズマ処理に関するプラズマパラメータデータが、平面イオン流束(PIF)タイプのプローブ110の使用により得られ、プローブ110の感知表面117は、プラズマに曝され、かつ前記プラズマチャンバ内のシャワーヘッド電極118の表面と同じ平面にあり、故障状態を示すために前記プラズマパラメータデータが評価される。 (もっと読む)


【課題】半導体基板のパーティクル汚染を減少させるプラズマ処理装置の炭化シリコン部品を提供する。
【解決手段】半導体基板処理装置のシャワーヘッド電極10の下側バッフル板22aに用いられる炭化シリコン部品について、シリコン蒸気と炭素との反応により生成した後、パーティクル汚染の要因となる遊離炭素を、少なくともその表面から除去するために、およそ750℃かおよそ1200℃の温度で加熱する処理を行なう、あるいは酸素プラズマで処理する。 (もっと読む)


【課題】エッチングレイヤ中にフィーチャを形成する方法を提供する。
【解決手段】エッチングレイヤ上に第1マスクが形成され、第1マスクは幅を持つ複数のスペースを規定する。第1マスク上に側壁レイヤが形成され、側壁レイヤは、第1マスクによって規定されるスペースの幅を低減する。側壁レイヤを通してエッチングレイヤにフィーチャがエッチングされ、フィーチャは、第1マスクによって規定されるスペースの幅よりも小さい幅を有する。マスクおよび側壁レイヤが除去される。エッチングレイヤ上に追加マスクが形成され、追加マスクは幅を持つ複数のスペースを規定する。追加マスク上に側壁レイヤが形成され、側壁レイヤは、追加マスクによって規定されるスペースの幅を低減する。側壁レイヤを通してエッチングレイヤにフィーチャがエッチングされ、フィーチャは、追加マスクによって規定されるスペースの幅よりも小さい幅を有する。マスクおよび側壁レイヤが除去される。 (もっと読む)


【課題】エッチングプロセス中にウェーハの損傷を低減する方法を開示する。
【解決手段】多数の実施形態の一つにおいて、方法は、少なくとも一つのエッチングプロセスのそれぞれにバイアス電圧を割り当てるステップと、少なくとも一つのエッチングプロセスの一つの開始前に、割り当てバイアス電圧を生成するステップとを含む。方法は、更に、少なくとも一つのエッチングプロセスの一つの開始前に、割り当てバイアス電圧を静電チャックに印加するステップを含む。割り当てバイアス電圧レベルは、ウェーハアーク放電を低減する。 (もっと読む)


【課題】プラズマ処理装置の処理チャンバのプラズマ発生領域においてrf電磁界分布を発生するアンテナ装置を提供する。
【解決手段】プラズマ発生領域内に伸びる第1高周波電磁界を発生するrf誘導性アンテナ210、および受動アンテナ220,222を備え、受動アンテナ220,222は誘導的にrf誘導性アンテナ210に結合されることによって、第2高周波電磁界を生成するよう構成され、該第2高周波電磁界は、前記プラズマ発生領域における前記高周波電磁界の半径方向分布および方位角方向分布を変化させ、受動アンテナ220,222がないときと比較して処理装置の処理均一性を異ならせるように前記第1高周波電磁界を変更し、前記プラズマ発生領域における前記高周波電磁界分布は、rf誘導性アンテナ210に対して受動アンテナ220,222がないときとは異なる方位角対称性を有する。 (もっと読む)


【課題】プラズマ閉じ込めリングのプラズマに露出する面上のポリマー堆積を回避するために、これらの面上が十分な高温に達するように構成されたプラズマ閉じ込めリング組立体を提供する。
【解決手段】プラズマ閉じ込めリング14、16、18および20は、それぞれサーマルチョーク54、56、58および60を含む。プラズマエッチング処理中に、プラズマおよび他の加熱効果によって、プラズマ閉じ込めリング14、16、18および20に熱が供給される。サーマルチョーク54、56、58および60は、サーマルチョーク54、56、58および60の位置から外方向への放射状の熱伝導を低減し、それによって、サーマルチョーク54、56、58および60と内側リング状面34、36、38および40のそれぞれとの間に規定されたそれぞれのプラズマ閉じ込めリング14、16、18および20の内側部分の加熱を促進する。 (もっと読む)


【課題】プラズマ処理空間からの排気を均一に行う。
【解決手段】プラズマ処理空間を囲う真空チャンバ2と、その壁を貫通する開口2aに対して外側から吸引口51aが連通接続された真空ポンプ50と、プラズマ処理空間に臨んで基板を乗載可能な基板支持体12とを備えたプラズマ処理装置において、真空ポンプ50を介して真空チャンバに基板支持体12を固設する。また、その支持脚12aが、開口2aの中央を通り、真空ポンプ50の支軸52を兼ねるようにする。さらに、その支軸52を中空の杆体にする。これにより、プラズマ処理空間から開口に至る排気路が基板支持体の周りで同じになるうえ、その開口のところでも同一性が維持されて、排気が均一になる。コンパクトな装置にもなる。 (もっと読む)


【課題】基板のプラズマ処理において、動的な温度制御能力を有する基板支持体を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置に用いられる基板支持体40であって、金属熱伝達部材48と、基板支持表面を有した上に位置する静電チャック50と、を備え、前記熱伝達部材48は、当該熱伝達部材48に加熱及び冷却の少なくとも一方を行うために、それを通して液体が循環される少なくとも1つの流路を有する。前記熱伝達部材は、小さい熱質量を有し、プラズマ処理の間に、前記基板温度を急激に変化させるように、前記液体によって所望の温度に急激に加熱及び/又は冷却することが出来る。 (もっと読む)


【課題】プラズマプロセスチャンバ用プラズマ閉じ込めリングのプラズマ曝露面の上へのポリマーの堆積を大幅に低減する。
【解決手段】プラズマプロセスチャンバ用プラズマ閉じ込めリングのプラズマ曝露面の上で十分に高い温度に達するようになされる。プラズマ閉じ込めリングは、リングの部分の加熱を効果的に向上させるRF損失材料を含む。加熱効果を向上させるために低放射率材料をプラズマ閉じ込めリングアセンブリの部分に設けることができる。 (もっと読む)


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