【課題】研磨パッドの上の膜の厚さを制御するための装置および方法
【解決手段】化学機械平坦化システム（１００）で用いるための装置が提供される。該装置は、流体駆逐デバイスおよび流体送出デバイスを含む。流体駆逐デバイスは、研磨パッド（１０１）の上方の近接位置に配置することができ、研磨パッド（１０１）の一領域から第１の流体の少なくとも一部を駆逐するように構成される。流体送出デバイス（１０３）は、研磨パッドの上記領域において、駆逐された第１の流体を、第１の流体と異なる第２の流体に置き換えることができる。研磨パッド（１０１）の表面の上に存在する膜の特性を制御する方法も提供される。更には、研磨パッド表面の上方の近接位置において、研磨パッドの上に流体を送出することができる装置も提供される。該装置は、更に、研磨パッド表面の上から上記の流体の少なくとも一部を除去できることが望ましい。この除去は、研磨パッド表面の上方の近接位置において、流体の送出に隣接して生じるように構成される。 （もっと読む）

プラズマ処理装置に有用な部品を表面仕上げする方法が提供される。本部品は、少なくとも１つのプラズマに曝される石英ガラス面を含む。本方法は、所望の表面形態を実現するために、前記プラズマに曝される面を機械研磨すること、化学エッチングすること及び洗浄することを含む。それらの方法により、前記部品の石英ガラス密封面も仕上げることができる。同一の部品のプラズマに曝される面及び密封面は、互いに異なる表面形態に仕上げられうる。
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【課題】レイヤにおいて微小形状をエッチングする方法が提供される。
【解決手段】レイヤ上にポリマー材料のアンダーレイヤが形成される。アンダーレイヤ上にトップイメージレイヤが形成される。トップイメージレイヤがパターン付けされた照射に曝露される。トップイメージレイヤにおいてパターンが現像される。パターンがトップイメージレイヤからアンダーレイヤへ還元性ドライエッチングで転写される。レイヤがアンダーレイヤを通してエッチングされ、トップイメージレイヤは完全に除去され、アンダーレイヤは、レイヤをエッチングするあいだ、パターンをアンダーレイヤからレイヤへ転写するためのパターンマスクとして用いられる。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ上のレイヤのプラズマエッチングを行う装置を提供する。
【解決手段】容量的に結合されたプロセスチャンバが提供される。ガス源は、前記容量的に結合されたプロセスチャンバに流体的に連通する。前記プロセスチャンバ内に第１電極が提供される。前記第１電極から間隔が置かれ対向する第２電極が提供される。第１高周波電源は、前記第１および第２電極のうちの少なくとも１つに電気的に接続され、前記第１高周波電源は１５０ｋＨｚおよび１０ＭＨｚの間の高周波電力を供給する。第２高周波電源は、前記第１および第２電極のうちの少なくとも１つに電気的に接続され、前記第２高周波電源は１２ＭＨｚおよび２００ＭＨｚの間の高周波電力を供給する。第１変調制御器は、前記第１高周波電源に接続され、１ｋＨｚから１００ｋＨｚの間の周波数において前記第１高周波電源の制御された変調を提供する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】チャンバ内の流体の流れと流体の圧力とを可変に制御することを可能にするチャンバが提供されている。そのチャンバは、チャンバ内の内部容器内の流体の流れと流体の圧力とを制御するよう構成可能である着脱可能なプレートを用いる。また、着脱可能なプレートは、チャンバ内の内部容器をチャンバ内の外部容器と分離するために用いられてもよい。さらに、そのチャンバで用いるためのウエハ固定装置が提供されている。ウエハ固定装置は、ウエハの上面と下面との間の圧力差を用いて、ウエハ下面に接触するウエハ支持構造に向かってウエハを引っ張ることにより、動かない状態にウエハを固定して維持する。さらに、高圧チャンバの構成が提供されている。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】パターン化半導体基板（１００）を平坦化する方法及びシステムは、パターン化半導体基板を受領する工程を含む。パターン化半導体基板（１００）は、パターン内の多数の特徴部に充填された導電相互接続材料（１２０）を有する。導電相互接続材料は、過堆積（１１２）を有する。過堆積は、局所的な不均一性を有する。過堆積の全体部は、過堆積（１２０）を平坦化するために除去される。実質的に局所平坦化された過堆積は、大域的な不均一性を決定するためにマッピングされる。実質的に局所平坦化された過堆積は、大域的な不均一性を実質的に除去するためにエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理チャンバ内に、外周部がチャンバの側壁よりも小さいプラズマを生成する。
【解決手段】少なくとも一部の境界が絶縁シールド１８及び側壁によって構成された内部空間を有するプラズマ処理チャンバ１２と、チャンバ１２の内部空間において基板Ｗを支持する基板支持体１３と、ＲＦエネルギを絶縁シールド１８を通してチャンバ１２の内部空間に伝え、チャンバ１２内の絶縁シールド１８の下に領域が制限された略均一な磁界を生成する電気伝導コイル２０を有するＲＦエネルギ源とを備える。この磁界は、コイル２０の下の領域である中央部よりもチャンバの内部空間の周辺領域で実質的に弱く、該磁界により処理ガスが略均一なプラズマに励起される。 （もっと読む）