【課題】
【解決手段】本明細書に記載の様々な例示的な実施形態において、システムは、同軸取り付けされた中点を両端部の間にそれぞれ有する複数のキャリアアームを備えており、キャリアアームの両端部の各々には、ウエハキャリアが取り付けられている。ハブは、複数の同軸取り付けされた駆動部を備えており、複数の駆動部の各々は、複数のキャリアアームの内の対応するキャリアアームの中点の近傍に結合されている。複数の駆動部の各々は、複数の同軸取り付けされた駆動部の内の残りの駆動部から独立して制御されるよう構成されている。それぞれのモータが、同軸取り付けされた駆動部の各々に結合されており、結合されたキャリアアームを回転させるよう構成されている。線形ウエハ搬送メカニズムが、複数のキャリアアーム上のウエハキャリアの内の選択されたキャリアにまたはキャリアからウエハを、ロード／アンロードロボットにとって容易なハンドオフ位置に移動させる。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】半導体デバイス製造に関わる一部の厳しい処理の間に繊細なナノ構造を保護するのに役立つように高アスペクト比ナノ構造の表面を処理するための方法が提供されている。高アスペクト比ナノ構造を含むウエハは、ナノ構造の表面の疎水性を高めるために処理される。その処理は、後に行われる湿式洗浄処理中に損傷されないようにナノ構造の表面を化学変化させるプライマの提供を含んでよい。次いで、ウエハは、例えば、湿式洗浄処理の次に乾燥処理を行うなど、さらに処理されてよい。ナノ構造の高い疎水性は、ナノ構造の崩壊を低減または防止するのに役立つ。 （もっと読む）

【課題】均一性の向上した誘導結合型プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】複数のコイル１，２をプラズマ・チャンバの誘電体ウィンドウ上に配置し、単一の高周波発生器３１０で電力を供給し、単一の整合回路網３２０によって調整する。各コイルは平面的か、または平面的と立体的ならせん状の組合せのいずれかである。各コイルの入力端部は入力側調整コンデンサＣ_１，Ｃ_２に接続され、出力端部は出力側調整コンデンサを介して接地に終端される。プラズマへの高周波の最大誘電結合の場所は、主として出力側コンデンサによって決定され、入力側コンデンサは、主として各コイルへの電流の大きさを調整するために使用される。各コイル内の電流の大きさおよび最大誘導結合の場所を調整することによって、異なる半径方向方位角領域内のプラズマ密度を変化させ制御することができ、したがって半径方向に方位角的に均一なプラズマを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】マスクを通して基板上のエッチングされるべきレイヤ内へ高アスペクト比フィーチャをエッチングする方法を提供する。
【解決手段】ＲＦ電力を第１周波数、前記第１周波数とは異なる第２周波数、および前記第１および第２周波数とは異なる第３周波数において与えることができる処理チャンバ内に基板が置かれる（４０４）。エッチャントガスが処理チャンバに供給される（４０８）。第１エッチングステップが行われ（４１２）、ここで第１周波数、第２周波数、および第３周波数は第１エッチングステップとしての電力設定である。第２エッチングステップが行われ（４１６）、ここで第１周波数、第２周波数、および第３周波数は異なる電力設定である。オプションとして第３エッチングステップも提供されえる（４２０）。 （もっと読む）

【解決手段】回転式シャッタを有するＵＶランプアセンブリ。各回転式シャッタは、反射性の陥凹面を伴う凹面壁を有する。回転式シャッタは、開位置と閉位置との間で一体的に回転させることができる。回転式シャッタは、開位置では、ＵＶランプのＵＶ光がＵＶランプアセンブリから出て行くのを阻まない一方で、閉位置では、ＵＶ光がＵＶランプアセンブリから出て行くのを阻む。 （もっと読む）

【解決手段】プラズマチャンバで使用される上方電極から金属汚染物質を洗浄するための方法。方法は、濃縮水酸化アンモニウムと、過酸化水素と、水とからなる洗浄溶液に上方電極を浸す工程を含む。洗浄溶液は、フッ酸及び塩酸を含まない。方法は、更に、上方電極を希硝酸に浸し、洗浄後の上方電極をすすぐ、随意の工程を含む。 （もっと読む）

【解決手段】プラズマエッチングシステムは、独立に制御可能な複数のヒーター領域を有する基板支持アセンブリを備える。プラズマエッチングシステムは、臨界デバイスパラメータのプレエッチング及び／又はポストエッチングの不均一性を補償可能に、所定位置のエッチング温度を制御するように構成される。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】基板の表面から金属キャッピング層の腐食生成物を洗浄するための方法およびシステムが提供されている。一実施形態によると、処理溶液は、界面活性剤、錯化剤、および、ｐＨ調整剤を含む。界面活性剤は、ウエハ表面を湿潤を改善し、キャッピング層のさらなる腐食を抑制するよう構成される。錯化剤は、基板表面から脱着した金属イオンと結合するよう構成される。ｐＨ調整剤は、基板表面からの腐食生成物の脱着を促進するために、ｐＨを所望のレベルに調整するよう構成される。 （もっと読む）

【解決手段】統合された無電解堆積プロセスを含むプロセスを通して基板を処理する方法およびシステムは、堆積溶液を用いて基板の導電性フィーチャの上に層を堆積させるように、無電解堆積モジュールにおいて基板の表面を処理することを含む。その後、基板表面は、無電解堆積モジュールにおいて洗浄液で洗浄される。この洗浄は、表面の脱湿を防いで、洗浄液から形成される転移膜によって基板表面が被覆されたままとなるように、調節される。基板は、その基板表面に転移膜を保持したまま、無電解堆積モジュールから取り出される。基板表面の転移膜によって基板表面の乾燥を防ぐことで、ウェットな状態で取り出しが行われる。無電解堆積モジュールから取り出された基板は、その基板表面に転移膜を保持したまま、堆積後モジュールの中に移される。 （もっと読む）

【解決手段】低表面張力液体を用いてウエハを処理及び乾燥するシステムは、低表面張力液体の沸点よりも２５℃低い温度以上の温度まで低表面張力液体を加熱することが可能な第１の熱源を備える低表面張力液体源と、加熱された低表面張力液体を空気／液体界面領域に供給する供給機構と、空気／液体界面領域に向けて配置される第２の熱源であって、低表面張力液体の沸点よりも少なくとも２℃高い温度まで空気／液体界面領域を加熱可能な第２の熱源と、を備える。また、低表面張力液体を用いてウエハを処理する方法を記載する。 （もっと読む）