説明

ラム リサーチ コーポレーションにより出願された特許

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【解決手段】データセンタのエレメントの非標準動作をシミュレートするためのコンピュータ実行方法及びデータセンタ管理装置が提供される。方法は、データセンタエレメントによって影響される1つのデータセンタリソースを決定する行為と、データセンタリソース及びデータセンタエレメントに基づいて複数のシミュレータから1つのシミュレータを選択する行為と、当該シミュレータを使用してデータセンタエレメントの非標準動作のインパクト分析を生成する行為とを含む。データセンタ管理装置は、ネットワークインターフェースと、メモリと、ネットワークインターフェース及びメモリにつながれたコントローラとを含む。コントローラは、データセンタエレメントによって影響される1つのデータセンタリソースを決定するように、データセンタリソース及びデータセンタエレメントに基づいて複数のシミュレータから1つのシミュレータを選択するように、並びに第1のシミュレータを使用してデータセンタエレメントの非標準動作のインパクト分析を生成するように構成される。 (もっと読む)


【解決手段】プラズマ処理チャンバで用いる基板支持体は、その上部外周に傾斜側壁を備える。プラズマ処理の際に基板支持体の上部基板支持面上に支持される基板の下に位置するエッジリングが基板を囲むように配置される。傾斜側壁は、プラズマ処理の際に露出されて、副生成物堆積物が生じる基板支持体の唯一の面である。傾斜側壁は、その場(in situ)チャンバ洗浄処理の際の副生成物堆積物のスパッタリング速度を増大させる。チャンバに供給される洗浄ガスがプラズマ状態に励起することによって、副生成物堆積物が洗浄除去される。 (もっと読む)


【課題】簡単な構成で処理後のウェハの有無を確実に判定することができるウェハセンシング装置および当該装置を備えた半導体製造装置を提供すること。
【解決手段】ウェハセンシング装置は、加熱処理を行う処理装置を備えた半導体製造装置に装備され、搬送されるウェハの温度を赤外線温度センサーにより遠隔計測する手段と、計測結果が第1の一定温度以上の場合は、ウェハが搬送手段に搭載されていると判定する判定手段とを備える。赤外線温度センサーは搬送室の下面に設けられた、赤外線を透過する気密の観測窓の外部からウェハの温度を遠隔計測する。非接触で処理後のウェハの有無が確実に判別でき、製造や保守が容易である。 (もっと読む)


【解決手段】
RF駆動プラズマのRF電圧信号を測定することによってウェハのバイアス電圧を補償するための方法および装置であって、少なくとも静電チャック(ESC)、容量分圧器、信号処理および信号調節ネットワークを含むことを開示する。バイアス補償装置は、ESCのRF電圧を検知する容量分圧器と、対象の特定のRF信号をフィルタリングする目的のための信号調節ネットワークと、フィルタリングされたRF信号からDCウェハ電位を計算するための信号処理部とを含む。 (もっと読む)


【課題】
【解決手段】容量結合RF駆動プラズマ処理チャンバ内でプラズマ閉じ込めの状態の変化を検出するための方法およびシステムが開示されている。1または複数の実施形態において、プラズマ非閉じ込め検出方法は、静電チャック(ESC)の形態の電力供給された電極におけるRF電圧と、ESCへのウエハの固定に関与する電源(PSU)の開ループ応答とを能動的にポーリングできるアナログまたはデジタル回路を用いる。その回路は、ESCに供給されるRF電圧の変化およびPSUの開ループ応答の変化の両方を検出する手段を提供する。これらの電気信号を同時に監視することにより、開示されているアルゴリズムは、閉じ込め状態から非閉じ込め状態へプラズマが変化した時点を検出することができる。 (もっと読む)


【解決手段】入口ロードロックチャンバのなかに、ウエハが提供される。入口ロードロックチャンバのなかに、真空が形成される。ウエハは、加工ツールへ搬送される。加工されたウエハを提供するために、ウエハは、プロセスチャンバにおいて加工され、該加工は、ウエハ上にハロゲン残留物を形成する。ウエハの加工後、プロセスチャンバにおいて脱気工程が提供される。加工されたウエハは、脱気チャンバのなかへ移される。加工されたウエハは、脱気チャンバにおいて、UV光と、オゾン、酸素、又はH2Oの少なくとも1つを含むガス流とによって処理される。ガス流は、停止される。UV光は、停止される。加工されたウエハは、脱気チャンバから取り出される。 (もっと読む)


【解決手段】第1のRF周波数を有する少なくとも第1のRF信号を含むRF信号のセットも加えられるコンポーネントに分離電力を提供するためのシステム及び方法が提供される。DC電圧信号を提供することと、分離変圧器を使用してDC電圧信号を分離電力信号に変調することとが含まれる。分離電力信号は、60Hzよりも高く且つ第1のRF周波数よりも低い中間周波数を有する。DC電圧信号を一次巻線に供給することと、二次巻線から分離電力信号を得ることと、分離電力信号を使用して分離電力をコンポーネントに送ることとが含まれる。 (もっと読む)


本発明の一態様は、ウェハキャリアおよび作動部を有するウェハ洗浄システムを制御するためのシステムおよび方法を提供する。ウェハキャリアは、進路に沿って第1の方向および第2の方向に移動することができる。作動部は、ウェハキャリアを第1の方向および第2の方向に制御可能に移動させることができる。制御システムは、振動センサ部およびウェハキャリア位置制御装置を含む。振動センサ部は、ウェハキャリアの振動を検知でき、検知された振動に基づいて振動信号を出力することができる。ウェハキャリア位置制御装置は、検知された振動を減少させるために、振動信号に基づいてウェハキャリアの移動を修正するように作動部に命令することができる。 (もっと読む)


【課題】
【解決手段】少なくともウエハを処理するためにプラズマを生成するプラズマ処理システムが開示されている。プラズマ処理システムは、プラズマの少なくとも一部を維持するための電流を伝導するコイルを備える。プラズマ処理システムは、さらに、位相角を測定することなく供給電流の量を測定して供給電流の電流量測定値を提供するためにコイルに接続されたセンサを備える。供給電流は、上記の電流、または、(例えば、上記の電流を含む)複数の電流を提供するために用いられる全電流である。プラズマ処理システムは、さらに、位相角測定値に関連する情報を用いることなく、電流量測定値および/または電流量測定値を用いて得られた情報を用いてコマンドを生成し、供給電流の量および/または全電流の量を制御するためのコマンドを提供するために、センサに接続された制御器を備える。 (もっと読む)


【解決手段】プラズマ半導体処理装置の基板支持アセンブリ用の加熱プレートは、スケーラブルな多重化レイアウトに配置された複数の独立に制御可能な平面ヒータゾーンと、これらの平面ヒータゾーンを独立に制御すると共に、これらに電力を供給する電子回路とを備える。この加熱プレートが組み込まれる基板支持アセンブリは、静電クランプ電極と、温度制御されるベースプレートとを備える。この加熱プレートを製造する方法は、平面ヒータゾーン、電力供給ライン、電力リターンライン、およびビアを含むセラミックまたはポリマーのシートを一つに接合することを含む。 (もっと読む)


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