ラム リサーチ コーポレーションにより出願された特許

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【課題】ラインエッジ粗さを低減させて特徴をエッチングする
【解決手段】ラインエッジ粗さを低減させて層内に特徴を形成するための方法が提供される。層の上に、フォトレジスト層が形成される。フォトレジスト層は、フォトレジスト側壁をともなうフォトレジスト特徴を形成するために、パターン形成される。複数のサイクルを実施することによって、フォトレジスト特徴の側壁の上に、厚さ100nm未満の側壁層が形成される。各サイクルは、単分子層から20nmまでの厚さを有する層をフォトレジスト層上に堆積させることを含む。フォトレジスト特徴を通して、層内に特徴がエッチングされる。フォトレジスト層および側壁層は、剥ぎ取られる。 (もっと読む)


【課題】プラズマ処理チャンバのパーツのための保護被覆およびその使用方法
【解決手段】フッ素ラジカルおよび酸素ラジカルなどのプラズマ生成ラジカルからRFストラップを保護するためにプラズマチャンバにおいて使用される、可撓性のポリマまたはエラストマを被覆されたRF帰還ストラップと、プラズマ処理装置内において、粒子汚染を抑えられた状態で半導体基板を処理する方法。被覆されたRFストラップは、粒子の生成を最小限に抑え、被覆されていないベース・コンポーネントよりも低い浸食速度を呈する。伝導性で可撓性のベース・コンポーネント上に可撓性被覆を被覆された被覆部材は、ギャップを調整可能な静電結合プラズマリアクタチャンバ内において1つまたは2つ以上の電極の移動を可能にするように構成されたRF地帰還を提供する。 (もっと読む)


【課題】プラズマ処理室において、ウェハ上でスタックを形成するシリコン系の複数の二重層の中に高アスペクト比のフィーチャをエッチングするための方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理室に主エッチングガスが流入される。第1の圧力を提供しながら、主エッチングガスがプラズマにされる。20℃未満のウェハ温度が維持される。プラズマにより上記複数のシリコン系二重層のうちの複数の組を貫いてエッチングする間に、第1の圧力よりも低い第2の圧力まで圧力を降下させる。上記複数の二重層のうち第1の複数の組がエッチングされた後に、主エッチングガスの流入を停止させる。 (もっと読む)


【課題】改良されたチャンバ洗浄機構、装置、および方法を提供する。
【解決手段】エッチング処理のさらなる調整を可能にするために利用されてもよい。一実施形態において、プラズマを生成するよう構成されたプラズマ処理チャンバ100は、基板を受けるよう構成された内側下部電極131と、内側下部電極の外側に配置された外側下部電極135とを備えた下部電極アセンブリ130を備えている。プラズマ処理チャンバは、上部電極111を備え内側下部電極と外側下部電極との真上に配置された上部電極アセンブリ110を、さらに備える。 (もっと読む)


【課題】ウェーハの温度を調整する方法および装置を提供すること。
【解決手段】ウェーハの材質をエッチングするエッチング・システム100は、測定装置114、エッチングチャンバ102、および制御装置112を有する。測定装置114は、複数の設定位置でのウェーハのプロファイルに沿って微細寸法テストフィーチャ(CD)を測定する。エッチングチャンバ102は、ウェーハを保持するチャック108と、該チャック108内の各設定位置に隣接して配置される複数の発熱体110と、を有し、測定装置114からウェーハを受け取る。制御装置112は、CDを受け取る測定装置114および発熱体110に接続される。この制御装置112は、エッチング処理前のリソグラフィ処理で生じるCDばらつきを補正するために、エッチング処理の温度依存であるエッチング特性を用いて、各設定位置の間の微細寸法のばらつきを減らす処理において、各発熱体の温度を調整する。 (もっと読む)


【課題】クライアント/サーバ関係にあるセンサとの間で情報を共有する処理システムを提供する。
【解決手段】処理チャンバを制御するコンピュータシステムを伴った処理チャンバを、処理チャンバでの処理を監視するために使用される1つまたはそれ以上のセンサに接続する。センサは、コンピュータシステムとともにクライアント/サーバ関係を構成し、センサがホットスワップ可能なプラグアンドプレイセンサになることができるような方法で、コンピュータシステムに接続される。コンピュータシステムは、センサとの間で様々なメッセージを交換し、センサと同期化し、センサから送信されたデータを統合および利用する。 (もっと読む)


【課題】複数のレチクルレイアウトを生成するための方法を提供する。
【解決手段】レチクルが準備され(工程304)、露光・現像によりパターン化フォトレジスト層が形成される(工程308)。CDを低減するために、パターン形成されたフォトレジスト層の形状の側壁を覆うように側壁層が蒸着される(工程312)。エッチング層内に形状をエッチングされる(工程316)ことにより、1組のエッチング形状の間に、2組のエッチング形状が形成される。次いで、パターン化フォトレジスト層および蒸着層は、剥離される(工程320)。 (もっと読む)


【課題】急速交互プロセス(RAP)制御技術を提供する。
【解決手段】RAPシステム、及びこれを動作させる方法は、RAPチャンバ(RAPC)と、これに結合され、対応するプロセスガス源流量コントローラを各々が含む、複数のプロセスガス源と、RAPCに結合されたバイアス信号源と、RAPCに結合されたプロセスガス検出器と、RAPC、バイアス信号源、プロセスガス検出器、及び複数のプロセスガス源に結合されたRAPCコントローラとを含み、RAPCコントローラは、第1のRAP段階を開始させるためのロジックを含み、該第1のRAP段階を開始させるためのロジックは、第1のプロセスガスをRAPCに投入するためのロジックと、RAPCの中で第1のプロセスガスを検出するためのロジックと、RAPCの中で第1のプロセスガスが検出された後に、対応する第1の段階バイアス信号をRAPCに印加するためのロジックとを含む。 (もっと読む)


【課題】DCバイアス電圧に応答した制御を含む真空プラズマプロセッサを提供する。
【解決手段】十分な電力を有するAC電気エネルギーを電極の少なくとも1つに供給することによって室内のガスをプラズマに励起して、電極の少なくとも1つを介してガスに供給されたAC電気エネルギーにより(a)供給されたAC電気エネルギーの周波数におけるプラズマ励起AC電場を第1電極アセンブリと第2電極アセンブリとの間に存在させ(b)DCバイアス電圧を室内のガスがプラズマに励起されるのに応答して電極の少なくとも1つに発生させ、DCバイアス電圧の指示に応答してプラズマ励起AC電場を制御する。 (もっと読む)


【課題】光アクセス窓のエッチングおよび堆積を低減させ、診断終点において所望のSNRを維持できるガス注入器を提供する。
【解決手段】注入器は、プロセスチャンバの外側の診断終点S−OUTから光アクセス窓70を通ってプロセスチャンバ内S−INへと、軸路に沿った光アクセスを提供する。中空のケースボディ90は、第1および第2のプロセスガスを受け取り、軸路を取り囲む。ボディ内のスリーブ92は、粒子の生成を最小限に抑えるために、ケースボディに対して促され、プロセスチャンバ内に第1のプロセスガスを注入する第1のガス穴106を画定する。スリーブの第2のガス穴124は、プロセスチャンバ内に第2のプロセスガスを注入するために、軸路を取り囲み、光信号が終点において所望の信号対ノイズ比(SNR)を有することを可能にする。第2の穴内にセプタム126を提供することによって、第2の穴を、アパーチャ136に分割する。 (もっと読む)


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